K1317 транзистор параметры – Возможность скачать даташит (datasheet) K1317 в формате pdf электронных компонентов

Renesas Electronics K1317 Даташит, K1317 PDF, даташитов

Номер в каталогеОписание (Функция)PDFпроизводитель
2SK812MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR(FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET) NEC => Renesas Technology
2SK685SILICON N-CHANNEL MOS FET Unspecified
2SJ115SILICON P-CHANNEL MOS FET Unspecified
2SJ183SILICON P-CHANNEL MOS FET Unspecified
2SK1517Silicon N-Channel MOS FET New Jersey Semiconductor
K1382FET/ Silicon N Channel MOS Type Toshiba
2SK656Silicon N-Channel MOS FET Panasonic Corporation
2SK1134N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET Unspecified
RSS100N03Silicon N-channel MOS FET ROHM Semiconductor
2SK3064Silicon N-Channel MOS FET Panasonic Corporation

ru.datasheetbank.com

2SK1317-E RENESAS — Транзистор: N-MOSFET 2SK1317 | TME

Страна

AlbaniaAlgeriaAmerican Minor Outlying IslandsAmerican SamoaAmerican Virgin IslandsAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBlueBoliviaBonaire, Saint Eustatius and SabaBosnia and HerzegovinaBotswanaBouvet IslandsBrazilBritish Indian Ocean TerritoryBritish Virgin IslandsBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurmaBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslndCoconut IslandsColombiaComorosCook IslandsCosta RicaCroatiaCuraçaoCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEast TimorEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEstoniaEthiopiaFalkland IslandsFaroe IslandsFijiFinlandFranceFrench GuyanaFrench PolynesiaFrench S.TerritGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuyanaHaitiHeard and McDonald IslandsHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiKosovoKuwaitKyrgyzstanLaosLatviaLesothoLiberiaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauretaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontserratMoroccoMozambiqueNamibiaNauruNepalNetherlandsNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandsNorth Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPalestinePanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairn IslandsPolandPortugalPuerto RicoQatarReunionRomaniaRussian FederationRwandaSaint HelenaSaint Kitts and NevisSaint MartinSamoaSan MarinoSao Tome and PrincipeSaudi ArabiaSenegalSeychellesSierra LeoneSingaporeSint Maarten (Dutch part)SlovakiaSloveniaSolomon IslandsSouth AfricaSouth Georgia and the Southern Sandwich IslandsSouth KoreaSpainSri LankaSt. LuciaSt. Pierre and MiquelonSt. Vincent and the GrenadinesSurinameSvalbardSwazilandSwedenSwitzerlandTaiwanTajikistanTanzaniaThailandTogoTokelau IslandsTongaTrinidad and TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks and Caicos IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUruguayUSAUzbekistanVanuatuVatican CityVenezuelaVietnamWallis and Futuna IslandsWest SaharaZambiaСербияЧерногория

Язык

РусскийEnglish

www.tme.eu

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серияПараметрНагрузка
РоссийскиеЗарубежныеPпот. мВт.tзд.р. нсЭпот. пДж.Cн. пФ.Rн. кОм.
К155 КМ1557410990150,4
К13474L13333504
К13174H226132250,28
К55574LS29,519152
К53174S19357150,28
К153374ALS1,244,8152
К153174F4312150,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)К155 (74)К531 (74S)
К155, КM155, (74)40108
К155, КM155, (74), буферная603024
К555 (74LS)2054
К555 (74LS), буферная601512
К531 (74S)501210
К531 (74S), буферная1503730

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

ПараметрУсловия измеренияК155К555К531К1531
Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,350,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мАI0вых= 8 мАI0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В2,43,5

2,73,4

2,73,4

2,7
I1вых= -0,8 мАI1вых= -0,4 мАI1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мАU1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В-18

-55

-100

-100-60-150

www.microshemca.ru