Кт326 характеристики – Транзистор КТ326 — DataSheet

Транзистор КТ326 — DataSheet

 

Цоколевка транзистора КТ326

 

Параметры транзистора КТ326
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ326АВС178, BFX12 *2, 2N1676 *2, 2N1677 *2, 2N2279 *2, 2N3451 *2
КТ326БBFY19, CIL215 *3, 2N4411 *2, 2N4261, 2N4261J *2, 2N4260 *2, WA0493 *2, 2N4208 *2, 2N4258A *3, V405A *2
КТ326АМBFX12, 2N5228 *2, PN3640, CD9011D *2, 2SA1161, 2N5208 *2
КТ326БМBFX13, PN4258,

PN4258A, 2SA1206, 2N5771

Структура —p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ326А(М)30 °С200мВт
КТ326Б(М)30 °С200
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ326А(М)≥250МГц
КТ326Б(М)≥400
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ326А(М)100к15*В
КТ326Б(М)100к15*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ326А(М)5В
КТ326Б(М)5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ326А(М)50мА
КТ326Б(М)50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ326А(М)20 В≤0.5мкА
КТ326Б(М)20 В≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ326А(М)2 В; 10 мА20…70*
КТ326Б(М)2 В; 10 мА45…160*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ326А(М)5 В≤5
пФ
КТ326Б(М)5 В≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ326А(М)≤30Ом, дБ
КТ326Б(М)≤30
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ326А(М)Дб, Ом, Вт
КТ326Б(М)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ326А(М)≤450пс
КТ326Б(М)≤450

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Транзистор КТ326: КТ326А, КТ326Б

Поиск по сайту

Транзистор КТ326 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Основное применение — переключающие устройства и усилители высокой и сверхвысокой частоты.
КТ326А, КТ326Б, 2Т326А, 2Т326Б имеют металлостеклянный корпус и гибкие выводы. Масса не более 0.5 г. Маркировка типа нанесена на корпусе.
КТ326АМ, КТ326БМ имеют пластмассовый корпус и гибкие выводы. Масса не более 0.3 г. Маркируются цветной точкой на корпусе со стороны коллектора: КТ326АМ — розовая, КТ326БМ — жёлтая.

КТ326 цоколевка

Цоколевка КТ326 показана на рисунке.

Электрические параметры КТ326

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкб = 2 В, Iэ = 10 мА:
  Т = +25°C:
КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ20 ÷ 70
КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ45 ÷ 160
  Т = −60°C:
КТ326А, КТ326АМ6 ÷ 70
КТ326Б, КТ326БМ15 ÷ 160
2Т326А, не менее6
2Т326Б, не менее15
• Граничная частота коэффициента передачи тока
при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее:
КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ250 МГц
КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ400 МГц
• Постоянная времени цепи обратной связи
при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 5 МГц
450 пс
• Напряжение насыщения КЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более   0.3 В
• Напряжение насыщения БЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более1.2 В
• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более:
Т = +25°C0.5 мкА
Т = +125°C10 мкА
• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 4 В, не более:
Т = +25°C0.1 мкА
Т = +125°C 2Т326А, 2Т326Б10 мкА
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более5 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более4 пФ

Предельные эксплуатационные показатели КТ326

• Напряжение К-Б (постоянное)20 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 100 кОм15 В
• Напряжение Э-Б (постоянное)4 В
• Суммарное напряжение К-Э (постоянное и переменное)
в режиме усиленияпри Rбэ ≤ 100 кОм
20 В
• Ток коллектора (постоянный)50 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
при Т ≤ +25°C для 2Т326А, 2Т326Б250 мВт
при Т = +125°C для 2Т326А, 2Т326Б83 мВт
при Т ≤ +30°C для КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ   42 мВт
• Температура сопротивления «переход — среда»0.6°C/мВт
• Температура перехода (p-n):
КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ+150°C
2Т326А, 2Т326Б+175°C
• Рабочая температура (окружающей среды)−60 … +125°C

katod-anod.ru

Биполярный транзистор КТ326А — описание, параметры и цоколевка

Характеристики транзистора КТ326А










Структура

p-n-p

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база

20 В

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер

15 В

Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора

50 мА

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)

0,2 Вт

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

20-70

Обратный ток коллектора


Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

=>250 МГц

Коэффициент шума транзистора

-

radiolibs.ru

КТ326 — Справочная — Каталог статей — Микроконтроллеры

Транзистор КТ326 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Основное применение — переключающие устройства и усилители высокой и сверхвысокой частоты. 
КТ326А, КТ326Б, 2Т326А, 2Т326Б имеют металлостеклянный корпус и гибкие выводы. Масса не более 0.5 г. Маркировка типа нанесена на корпусе. 
КТ326АМ, КТ326БМ имеют пластмассовый корпус и гибкие выводы. Масса не более 0.3 г. Маркируются цветной точкой на корпусе со стороны коллектора: КТ326АМ — розовая, КТ326БМ — жёлтая.

КТ326 цоколевка

Цоколевка КТ326 показана на рисунке.

Электрические параметры КТ326

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкб = 2 В, Iэ = 10 мА:
  Т = +25°C:
КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ20 ÷ 70
КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ45 ÷ 160
  Т = −60°C:
КТ326А, КТ326АМ6 ÷ 70
КТ326Б, КТ326БМ15 ÷ 160
2Т326А, не менее6
2Т326Б, не менее15
 
• Граничная частота коэффициента передачи тока
при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее:
КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ250 МГц
КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ400 МГц
 
• Постоянная времени цепи обратной связи
при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 5 МГц
450 пс
 
• Напряжение насыщения КЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более    0.3 В
 
• Напряжение насыщения БЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более1.2 В
 
• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более:
Т = +25°C0.5 мкА
Т = +125°C10 мкА
 
• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 4 В, не более:
Т = +25°C0.1 мкА
Т = +125°C 2Т326А, 2Т326Б10 мкА
 
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более5 пФ
 
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более4 пФ
 

 

Предельные эксплуатационные показатели КТ326

• Напряжение К-Б (постоянное)20 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 100 кОм15 В
 
• Напряжение Э-Б (постоянное)4 В
 
• Суммарное напряжение К-Э (постоянное и переменное) 
в режиме усиленияпри Rбэ ≤ 100 кОм
20 В
 
• Ток коллектора (постоянный)50 мА
 
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
при Т ≤ +25°C для 2Т326А, 2Т326Б250 мВт
при Т = +125°C для 2Т326А, 2Т326Б83 мВт
при Т ≤ +30°C для КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ   42 мВт
 
• Температура сопротивления «переход — среда»0.6°C/мВт
 
• Температура перехода (p-n):
КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ+150°C
2Т326А, 2Т326Б+175°C
 
• Рабочая температура (окружающей среды)−60 … +125°C

easymcu.ucoz.ru

Биполярный транзистор КТ326Б — описание, параметры и цоколевка

Характеристики транзистора КТ326Б










Структура

p-n-p

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база

20 В

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер

15 В

Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора

50 мА

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)

0,2 Вт

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

45-160

Обратный ток коллектора


Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

=>400 МГц

Коэффициент шума транзистора

-

radiolibs.ru

Биполярный транзистор КТ326БМ — описание, параметры и цоколевка

Характеристики транзистора КТ326БМ










Структура

p-n-p

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база

20 В

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер

15 В

Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора

50 мА

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)

0,2 Вт

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

45-160

Обратный ток коллектора


Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

=>400 МГц

Коэффициент шума транзистора

-

radiolibs.ru