Применение интегральных схем – Интегральные схемы

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА • Большая российская энциклопедия

ИНТЕГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА (ИС, ин­те­граль­ная мик­ро­схе­ма, мик­ро­схе­ма), функ­цио­наль­но за­кон­чен­ное мик­ро­элек­трон­ное из­де­лие, пред­став­ляю­щее со­бой со­во­куп­ность элек­три­че­ски свя­зан­ных ме­ж­ду со­бой эле­мен­тов (тран­зи­сто­ров и др.), сфор­ми­ро­ван­ных в по­лу­про­вод­ни­ко­вой мо­но­кри­стал­лич. пла­сти­не. ИС яв­ля­ют­ся эле­мент­ной ба­зой всех совр. ра­дио­элек­трон­ных уст­ройств, уст­ройств вы­числит. тех­ни­ки, ин­фор­ма­ци­он­ных и те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ных сис­тем.

Историческая справка

ИС изо­бре­те­на в 1958 Дж. Кил­би (Но­бе­лев­ская пр., 2000), ко­то­рый, не раз­де­ляя гер­ма­ние­вую мо­но­кри­стал­лич. пла­сти­ну на отд. сфор­ми­ро­ван­ные в ней тран­зи­сто­ры, со­еди­нил их ме­ж­ду со­бой тон­чай­ши­ми про­во­ло­ка­ми, так что по­лу­чен­ное уст­рой­ст­во ста­ло за­кон­чен­ной ра­дио­элек­трон­ной схе­мой. Спус­тя пол­го­да амер. фи­зик Р. Нойс реа­ли­зо­вал т. н. пла­нар­ную крем­ние­вую ИС, в ко­то­рой при ка­ж­дой об­лас­ти би­по­ляр­ных тран­зи­сто­ров (эмит­те­ре, ба­зе и кол­лек­то­ре) на по­верх­но­сти крем­ние­вой пла­сти­ны соз­да­ва­лись ме­тал­ли­зи­ров. уча­ст­ки (т. н. кон­такт­ные пло­щад­ки), а со­еди­не­ния ме­ж­ду ни­ми осу­ще­ст­в­ля­лись тон­ко­п­лё­ноч­ны­ми про­вод­ни­ка­ми. В 1959 в США на­чал­ся пром. вы­пуск крем­ние­вых ИС; мас­со­вое про­из-во ИС в СССР ор­га­ни­зо­ва­но в сер. 1960-х гг. в г. Зе­ле­но­град под рук. К. А. Ва­лие­ва.

Технология ИС

Структура интегральной схемы: 1 – пассивирующий (защитный) слой; 2 – верхний слой проводника; 3 – слой диэлектрика; 4 – межуровневые соединения; 5 – контактная площадка; …

Струк­ту­ра по­лу­про­вод­ни­ко­вой ИС по­ка­за­на на ри­сун­ке. Тран­зи­сто­ры и др. эле­мен­ты фор­ми­ру­ют­ся в очень тон­ком (до нескольких мкм) при­по­верх­но­ст­ном слое крем­ние­вой пла­сти­ны; свер­ху соз­да­ёт­ся мно­го­уров­не­вая сис­те­ма ме­жэ­ле­мент­ных со­еди­не­ний. С уве­ли­че­ни­ем чис­ла эле­мен­тов ИС ко­ли­че­ст­во уров­ней рас­тёт и мо­жет дос­ти­гать 10 и бо­лее. Ме­жэ­ле­мент­ные со­еди­не­ния долж­ны об­ла­дать низ­ким элек­трич. со­про­тив­ле­ни­ем. Это­му тре­бо­ва­нию удов­ле­тво­ря­ет, напр., медь. Ме­ж­ду слоя­ми про­вод­ни­ков раз­ме­ща­ют­ся изо­ли­рую­щие (ди­элек­трич.) слои ($\ce{SiO_2}$ и др.). На од­ной ПП пла­сти­не од­но­вре­мен­но фор­ми­ру­ет­ся до не­сколь­ких со­тен ИС, по­сле че­го пла­сти­ну раз­де­ля­ют на отд. кри­стал­лы (чи­пы).

Тех­но­ло­гич. цикл из­го­тов­ле­ния ИС вклю­ча­ет неск. со­тен опе­ра­ций, важ­ней­шей из ко­то­рых яв­ля­ет­ся фо­то­ли­то­гра­фия (ФЛ). Тран­зи­стор со­дер­жит де­сят­ки де­та­лей, кон­ту­ры ко­то­рых фор­ми­ру­ют­ся в ре­зуль­та­те ФЛ, оп­ре­де­ляю­щей так­же кон­фи­гу­ра­цию меж­со­еди­не­ний в ка­ж­дом слое и по­ло­же­ние про­во­дя­щих об­лас­тей (кон­так­тов) ме­ж­ду слоя­ми. В тех­но­ло­гич. цик­ле ФЛ по­вто­ря­ет­ся неск. де­сят­ков раз. За ка­ж­дой опе­ра­ци­ей ФЛ сле­ду­ют опе­ра­ции из­го­тов­ле­ния де­та­лей тран­зи­сто­ров, напр. оса­ж­де­ние ди­элек­трич., ПП и ме­тал­лич. тон­ких плё­нок, трав­ле­ние, ле­ги­ро­ва­ние ме­то­дом им­план­та­ции ио­нов в крем­ний и др. Фо­то­ли­то­гра­фия оп­ре­де­ля­ет ми­ни­маль­ный раз­мер (МР) отд. де­та­лей. Гл. ин­ст­ру­мен­том ФЛ яв­ля­ют­ся оп­тич. про­ек­ци­он­ные степ­пе­ры-ска­не­ры, с по­мо­щью ко­то­рых вы­пол­ня­ет­ся по­ша­го­вое (от чи­па к чи­пу) экс­по­ни­ро­ва­ние изо­бра­же­ния (ос­ве­ще­ние чи­па, на по­верх­ность ко­то­ро­го на­не­сён фо­то­чув­ст­вит. слой – фо­то­ре­зист, че­рез мас­ку, на­зы­вае­мую фо­то­шаб­ло­ном) с умень­ше­ни­ем (4:1) раз­ме­ров изо­бра­же­ния по от­но­ше­нию к раз­ме­рам мас­ки и со ска­ни­ро­ва­ни­ем све­то­во­го пят­на в пре­де­лах од­но­го чи­па. МР пря­мо про­пор­цио­на­лен дли­не вол­ны ис­точ­ни­ка из­лу­че­ния. Пер­во­на­чаль­но в ус­та­нов­ках ФЛ ис­поль­зо­ва­лись $g$- и $i$-ли­нии (436 и 365 нм со­от­вет­ст­вен­но) спек­тра из­лу­че­ния ртут­ной лам­пы. На сме­ну ртут­ной лам­пе при­шли эк­си­мер­ные ла­зе­ры на мо­ле­ку­лах $\ce{KrF}$ (248 нм) и $\ce{ArF}$ (193 нм). Со­вер­шен­ст­во­ва­ние оп­тич. сис­те­мы, при­ме­не­ние фо­то­ре­зи­стов с вы­со­ки­ми кон­тра­стом и чув­ст­ви­тель­но­стью, а так­же спец. тех­ни­ки вы­со­ко­го раз­ре­ше­ния при про­ек­ти­ро­ва­нии фо­то­шаб­ло­нов и степ­пе­ров-ска­не­ров с ис­точ­ни­ком све­та дли­ной вол­ны 193 нм по­зво­ля­ют дос­тичь МР, рав­ных 30 нм и ме­нее, на боль­ших чи­пах (пло­ща­дью 1–4 см2) с про­из­во­ди­тель­но­стью до 100 пла­стин (диа­мет­ром 300 мм) в час. Про­дви­же­ние в об­ласть мень­ших (30–10 нм) МР воз­мож­но при ис­поль­зо­ва­нии мяг­ко­го рент­ге­нов­ско­го из­лу­че­ния или экс­тре­маль­но­го ульт­ра­фио­ле­та (ЭУФ) с дли­ной вол­ны 13,5 нм. Из-за ин­тен­сив­но­го по­гло­ще­ния из­лу­чения ма­те­риа­ла­ми на этой дли­не вол­ны не мо­жет быть при­ме­не­на пре­лом­ляю­щая оп­ти­ка. По­это­му в ЭУФ-степ­пе­рах ис­поль­зу­ют от­ра­жаю­щую оп­ти­ку на рент­ге­нов­ских зер­ка­лах. Шаб­ло­ны так­же долж­ны быть от­ра­жаю­щи­ми. ЭУФ-ли­то­гра­фия яв­ля­ет­ся ана­ло­гом про­ек­ци­он­ной оп­ти­че­ской, не тре­бу­ет соз­да­ния но­вой ин­фра­струк­ту­ры и обес­пе­чи­ва­ет вы­со­кую про­из­во­ди­тель­ность. Т. о., тех­но­ло­гия ИС к 2000 пре­одо­ле­ла ру­беж 100 нм (МР) и ста­ла на­но­тех­но­ло­ги­ей.

Направления развития

ИС раз­де­ля­ют на циф­ро­вые и ана­ло­го­вые. Осн. до­лю циф­ро­вых (ло­ги­че­ских) мик­ро­схем со­став­ля­ют ИС про­цес­со­ров и ИС па­мя­ти, ко­то­рые мо­гут объ­е­ди­нять­ся на од­ном кри­стал­ле (чи­пе), об­ра­зуя «сис­те­му-на-кри­стал­ле». Слож­ность ИС ха­рак­те­ри­зу­ет­ся сте­пе­нью ин­те­гра­ции, оп­ре­де­ляе­мой чис­лом тран­зи­сто­ров на чи­пе. До 1970 сте­пень ин­те­гра­ции циф­ро­вых ИС уве­ли­чи­ва­лась вдвое ка­ж­дые 12 мес. Эта за­ко­но­мер­ность (на неё впер­вые об­ра­тил вни­ма­ние амер. учё­ный Г. Мур в 1965) по­лу­чи­ла на­зва­ние за­ко­на Му­ра. Позд­нее Мур уточ­нил свой за­кон: уд­вое­ние слож­но­сти схем па­мя­ти про­ис­хо­дит че­рез ка­ж­дые 18 мес, а про­цес­сор­ных схем – че­рез 24 мес. По ме­ре уве­ли­че­ния сте­пе­ни ин­те­гра­ции ИС вво­ди­лись но­вые тер­ми­ны: боль­шая ИС (БИС, с чис­лом тран­зи­сто­ров до 10 тыс.), сверх­боль­шая (СБИС – до 1 млн.), ульт­ра­боль­шая ИС (УБИС – до 1 млрд.) и ги­гант­ская БИС (ГБИС – бо­лее 1 млрд.).

Раз­ли­ча­ют циф­ро­вые ИС на би­по­ляр­ных (Би) и на МОП (ме­талл – ок­сид – по­лу­про­вод­ник) тран­зи­сто­рах, в т. ч. в кон­фи­гу­ра­ции КМОП (ком­пле­мен­тар­ные МОП, т. е. взаи­мо­до­пол­няю­щие $p$-МОП и $n$-МОП тран­зи­сто­ры, вклю­чён­ные по­сле­до­ва­тель­но в це­пи «ис­точ­ник пи­та­ния – точ­ка с ну­ле­вым по­тен­циа­лом»), а так­же БиК­МОП (на би­по­ляр­ных тран­зи­сто­рах и КМОП-тран­зи­сто­рах в од­ном чи­пе).

Уве­ли­че­ние сте­пе­ни ин­те­гра­ции дос­ти­га­ет­ся умень­ше­ни­ем раз­ме­ров тран­зи­сто­ров и уве­ли­че­ни­ем раз­ме­ров чи­па; при этом умень­ша­ет­ся вре­мя пе­ре­клю­че­ния ло­гич. эле­мен­та. По ме­ре умень­ше­ния раз­ме­ров умень­ша­лись по­треб­ляе­мая мощ­ность и энер­гия (про­из­ве­де­ние мощ­но­сти на вре­мя пе­ре­клю­че­ния), за­тра­чен­ная на ка­ж­дую опе­ра­цию пе­ре­клю­че­ния. К 2005 бы­ст­ро­дей­ст­вие ИС улуч­ши­лось на 4 по­ряд­ка и дос­тиг­ло до­лей на­но­се­кун­ды; чис­ло тран­зи­сто­ров на од­ном чи­пе со­ста­ви­ло до 100 млн. штук.

Осн. до­лю (до 90%) в ми­ро­вом произ-ве с 1980 со­став­ля­ют циф­ро­вые КМОП ИС. Пре­иму­ще­ст­во та­ких схем за­клю­ча­ет­ся в том, что в лю­бом из двух ста­тич. со­стоя­ний («0» или «1») один из тран­зи­сто­ров за­крыт и ток в це­пи оп­ре­де­ля­ет­ся то­ком тран­зи­сто­ра в вы­клю­чен­ном со­стоя­нии $I_\text{выкл}$. Это оз­на­ча­ет, что, ес­ли $I_\text{выкл}$ пре­неб­ре­жи­мо мал, ток от ис­точ­ни­ка пи­та­ния по­треб­ля­ет­ся толь­ко в ре­жи­ме пе­ре­клю­че­ния, а по­треб­ляе­мая мощ­ность про­пор­цио­наль­на час­то­те пе­ре­клю­че­ния и мо­жет быть оце­нена со­от­но­ше­ни­ем $P_Σ≈C_Σ·N·f·U^2$, где $C_Σ$ – сум­мар­ная ём­кость на­груз­ки на вы­хо­де ло­гич. эле­мен­та, $N$ – чис­ло ло­гич. эле­мен­тов на чи­пе, $f$ – час­то­та пе­ре­клю­че­ния, $U$ – на­пря­же­ние пи­та­ния. Прак­ти­че­ски вся по­треб­ляе­мая мощ­ность вы­де­ля­ет­ся в ви­де джо­уле­ва те­п­ла, ко­то­рое долж­но быть от­ве­де­но от кри­стал­ла. При этом к мощ­но­сти, по­треб­ляе­мой в ре­жи­ме пе­ре­клю­че­ния, до­бав­ля­ет­ся мощ­ность, по­треб­ляе­мая в ста­тич. ре­жи­ме (оп­ре­де­ля­ет­ся то­ка­ми $I_\text{выкл}$ и то­ка­ми утеч­ки). С умень­ше­ни­ем раз­ме­ров тран­зи­сто­ров ста­тич. мощ­ность мо­жет стать срав­ни­мой с ди­на­ми­че­ской и дос­ти­гать по по­ряд­ку ве­ли­чи­ны 1 кВт на 1 см2 крис­тал­ла. Про­бле­ма боль­шо­го энер­го­вы­де­ле­ния вы­ну­ж­да­ет ог­ра­ни­чи­вать макс. час­то­ту пе­ре­клю­че­ний вы­со­ко­про­из­во­дит. КМОП ИС диа­па­зо­ном 1–10 ГГц. По­это­му для уве­ли­че­ния про­из­во­ди­тель­но­сти «сис­тем-на-кри­стал­ле» ис­поль­зу­ют до­пол­ни­тель­но ар­хи­тек­тур­ные (т. н. мно­го­ядер­ные про­цес­со­ры) и ал­го­рит­мич. ме­то­ды.

При дли­нах ка­на­ла МОП-тран­зи­сто­ров по­ряд­ка 10 нм на ха­рак­те­ри­сти­ки тран­зи­сто­ра на­чи­на­ют вли­ять кван­то­вые эф­фек­ты, та­кие как про­доль­ное кван­то­ва­ние (элек­трон рас­про­стра­ня­ет­ся в ка­на­ле как вол­на де Брой­ля) и по­пе­реч­ное кван­то­ва­ние (в си­лу узо­сти ка­на­ла), пря­мое тун­не­ли­ро­ва­ние элек­тро­нов че­рез ка­нал. По­след­ний эф­фект ог­ра­ни­чи­ва­ет воз­мож­но­сти при­ме­не­ния КМОП-эле­мен­тов в ИС, т. к. вно­сит боль­шой вклад в сум­мар­ный ток утеч­ки. Это ста­но­вит­ся су­ще­ст­вен­ным при дли­не ка­на­ла 5 нм. На сме­ну КМОП ИС при­дут кван­то­вые при­бо­ры, мо­ле­ку­ляр­ные элек­трон­ные при­бо­ры и др.

Ана­ло­го­вые ИС со­став­ля­ют ши­ро­кий класс схем, вы­пол­няю­щих функ­ции уси­ли­те­лей, ге­не­ра­то­ров, ат­те­нюа­то­ров, циф­роа­на­ло­го­вых и ана­ло­го-циф­ро­вых пре­об­ра­зо­ва­те­лей, ком­па­ра­то­ров, фа­зо­вра­ща­те­лей и т. д., в т. ч. низ­ко­час­тот­ные (НЧ), вы­со­ко­час­тот­ные (ВЧ) и сверх­вы­со­ко­час­тот­ные (СВЧ) ИС. СВЧ ИС – схе­мы от­но­си­тель­но не­боль­шой сте­пе­ни ин­те­гра­ции, ко­то­рые мо­гут вклю­чать не толь­ко тран­зи­сто­ры, но и плё­ноч­ные ка­туш­ки ин­дук­тив­но­сти, кон­ден­са­то­ры, ре­зи­сто­ры. Для соз­да­ния СВЧ ИС ис­поль­зу­ет­ся не толь­ко став­шая тра­ди­ци­он­ной крем­ние­вая тех­но­ло­гия, но и тех­но­ло­гия ге­те­ро­пе­ре­ход­ных ИС на твёр­дых рас­тво­рах $\ce{Si – Ge}$, со­еди­не­ни­ях $\ce{A^{III}B^{V}}$ (напр., ар­се­ни­де и нит­ри­де гал­лия, фос­фи­де ин­дия) и др. Это по­зво­ля­ет дос­тичь ра­бо­чих час­тот 10–20 ГГц для $\ce{Si – Ge}$ и 10–50 ГГц и вы­ше для СВЧ ИС на со­еди­не­ни­ях $\ce{A^{III}B^{V}}$. Ана­ло­го­вые ИС час­то ис­поль­зу­ют вме­сте с сен­сор­ны­ми и мик­ро­ме­ха­ническими уст­рой­ст­ва­ми, био­чи­па­ми и др., ко­то­рые обес­пе­чи­ва­ют взаи­мо­дей­ст­вие мик­ро­элек­трон­ных уст­ройств с че­ло­ве­ком и ок­ру­жаю­щей сре­дой, и мо­гут быть за­клю­че­ны с ни­ми в один кор­пус. Та­кие кон­ст­рук­ции на­зы­ва­ют­ся мно­го­кри­сталь­ны­ми или «сис­те­ма­ми-в-кор­пу­се».

В бу­ду­щем раз­ви­тие ИС при­ве­дёт к слия­нию двух на­прав­ле­ний и соз­да­нию мик­ро­элек­трон­ных уст­ройств боль­шой слож­но­сти, со­дер­жа­щих мощ­ные вы­чис­лит. уст­рой­ст­ва, сис­те­мы кон­тро­ля ок­ру­жаю­щей сре­ды и сред­ст­ва об­ще­ния с че­ло­ве­ком.

bigenc.ru

Применение — интегральная схема — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Применение — интегральная схема

Cтраница 1

Применение интегральных схем повышает надежность и быстродействие машин, сокращает их габариты и массу.
 [1]

Применение интегральных схем дает возможность не только повысить надежность устройств ЭВМ, но за счет микроминиатюризации более широко применять различные методы резервирования машин и их элементов.
 [3]

Применение интегральных схем требует коренного изменения методов компоновки и монтажа ЦВМ; плотность монтажа существенно увеличивается; должна быть обеспечена также высокая скорость распространения сигналов и хорошая защита от помех. В вычислительных машинах третьего поколения это решается путем применения многослойного печатного монтажа. Общее число слоев может превышать 10, хотя наибольшее распространение получил четырехслойныи печатный монтаж, при котором внутри плоского листа изоляционного материала располагаются слой земляных шин и слой шин питания, а снаружи-два слоя сигнальных проводников.
 [4]

Применение интегральных схем позволяет повысить в 100 раз быстродействие цифровых систем управления. В цифровых системах управления в большинстве случаев применяются программы на перфолентах, однако промышленность стремится быстрее перейти к автоматическому управлению станками в реальном масштабе времени.
 [5]

Применение интегральных схем, стоимость которых при массовом производстве оказывается ниже стоимости соответствующих схем на дискретных компонентах, существенно влияет на логическую организацию машин третьего поколения, Удешевление электронных схем позволяет применять так называемые 2 5-мерные оперативные памяти на ферритовых сердечниках ( см. гл. Хотя количество использованных электронных схем при этом возрастает, стэимость аппаратуры увеличивается незначительно из-за сравнительной дешевизны схем, а характеристики аппаратуры существенно улучшаются.
 [6]

Применение интегральных схем ( включая тонкие пленки) особенно выгодно и вычислительной технике, где требуется большое количество однотипных элементов, а также в космонавтике, где необходимы особенно малые объем и вес аппаратуры. Использование таких схем перспективно и в фхтнч областях электроники.
 [7]

Применение интегральных схем в корпусе дает возможность механизировать групповые методы сборки плат логики и применить высокопроизводительную пайку волной для монтажа печатных плат.
 [8]

Применение интегральных схем позволяет сделать слож-ное простым и дорогое практичным. Интегральная микросхема — это миниатюрное электронное устройство, состоящее из большого числа простых схем. Благодаря этому сборка какой-либо сложной схемы из многочисленных компонентов ( транзисторов и других элементов) упрощается — радиолюбителю достаточно лишь выбрать необходимую микросхему. Объединение данной микросхемы с другими ИС позволяет радиолюбителю создавать устройства, которые ранее были для него недоступны ввиду их конструктивной сложности.
 [9]

Применение интегральных схем позволяет резко сократить габариты приборов и их стоимость. Передняя панель его имеет размер 60X60 мм, глубина прибора 150 мм.
 [10]

Что дает применение объемных интегральных схем СВЧ.
 [11]

Книга посвящена применению интегральных схем ( ИС) в измерительных устройствах. В ней описаны разновидности логических ИС и триггеров в интегральном исполнении, приведены схемы комбинационных логических цепей, регистров и счетчиков на основе ИС и пояснен порядок их синтеза.
 [12]

Хотя книга посвящена применению интегральных схем в измерительных приборах, она, по всей видимости, может быть полезна также и специалистам, работающим в смежных областях. С другой стороны, в ней нашли отражение далеко не все узлы приборов, которые могут быть построены на интегральных схемах. В частности, недостаточно широко и подробно рассмотрено применение линейных интегральных схем в измерительной технике. Тем не менее, автор надеется, что он в известной степени разумно распорядился тем небольшим объемом, который имеет эта книга.
 [13]

Более подробно об особенностях применения интегральных схем сообщается в специальных курсах.
 [15]

Страницы:  

   1

   2

   3

   4




www.ngpedia.ru

ПРИМЕНЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ



Обратная связь

ПОЗНАВАТЕЛЬНОЕ

Сила воли ведет к действию, а позитивные действия формируют позитивное отношение


Как определить диапазон голоса — ваш вокал


Как цель узнает о ваших желаниях прежде, чем вы начнете действовать. Как компании прогнозируют привычки и манипулируют ими


Целительная привычка


Как самому избавиться от обидчивости


Противоречивые взгляды на качества, присущие мужчинам


Тренинг уверенности в себе


Вкуснейший «Салат из свеклы с чесноком»


Натюрморт и его изобразительные возможности


Применение, как принимать мумие? Мумие для волос, лица, при переломах, при кровотечении и т.д.


Как научиться брать на себя ответственность


Зачем нужны границы в отношениях с детьми?


Световозвращающие элементы на детской одежде


Как победить свой возраст? Восемь уникальных способов, которые помогут достичь долголетия


Как слышать голос Бога


Классификация ожирения по ИМТ (ВОЗ)


Глава 3. Завет мужчины с женщиной


Оси и плоскости тела человека — Тело человека состоит из определенных топографических частей и участков, в которых расположены органы, мышцы, сосуды, нервы и т.д.


Отёска стен и прирубка косяков — Когда на доме не достаёт окон и дверей, красивое высокое крыльцо ещё только в воображении, приходится подниматься с улицы в дом по трапу.


Дифференциальные уравнения второго порядка (модель рынка с прогнозируемыми ценами) — В простых моделях рынка спрос и предложение обычно полагают зависящими только от текущей цены на товар.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №9


 

Цель работы: Изучить принцип действия интегральных инвертирующих

усилителей и компараторов сигналов.

 

Основные теоретические сведения.

 

Операционные усилители (ОУ) в интегральном исполнении широко применяются для построения сложных функциональных схем.

Как правило, ОУ выполняются по многокаскадной схеме с омическими связями между каскадами. Первый каскад выполняется по дифференциальной схеме, а последний — по схеме с общим коллектором.

Современные ОУ в интегральном исполнении обладают большим входным и малым выходным сопротивлениями и очень высоким коэффициентом усиления.

В различных схемах ОУ работают с глубокой обратной связью (ОС). При больших значениях Кu и глубокой ОС зависимость между входным и выходным сигналами определяется в основном характером ОС. Поэтому, изменяя характер ОС, можно получить различные Функциональные схемы.

Рассмотрим некоторые типовые схемы с использованием OУ.

Масштабирующий усилитель.

Масштабирующие усилители применяются в вычислительной технике, когда необходимо изменить сигнал в определенном соотношении. На рис. 17.1. приведена схема такого усилителя с инвертированием входного сигнала. Сигнал Uвх через резистор RI подается на инвертирующий вход, который охвачен отрицательной ОС с помощью резистора Roc. Неинвертирующй вход соединен с нулевой точкой (заземляется).

 
 

рис. 17.1.

 

Для данного усилителя коэффициент усиления равен:

Кu = — Uвых/Uвх = — Rос/R1.

 

Компаратор сигналов.

 

Компаратором называется схема для сравнения двух напряжений (рис. 17.2.).

 
 

Рис. 17.2.

 

На неинвертирующий вход усилителя подается неизменное по величине напряжение, называемое опорным Uоп. На инвертирующий вход подается изменяющееся во времени напряжение Uвx.

В схеме компаратора используется свойство усилителя изменять полярность выходного напряжения в зависимости от знака разности напряжений на входах. Поясним это на примере временной диаграммы (рис. 17.2.). В интервале времени O-t1, Uоп > Uвх, это значит, что потенциал неинвертирующего входа выше, чем инвертирующего. Следовательно, Uвых совпадает по фазе с Uоп (Uвых >0) и в связи с тем, что коэффициент усиления разомкнутого ОУ 104 – 105, устанавливается на уровне Uпитания. В момент времени t > t1, когда Uвх – Uоп потенциал инвертирующего входа выше не инвертирующего Uвых < 0, т. е. отстает по фазе от Uвх на 180°, а устанавливается на уровне –Uп. Изменение полярности выходного напряжения происходит в момент времени t1, когда Uвх = Uоп.

Поскольку коэффициент усиления ОУ достаточно высок в момент сравнения Uвх и Uоп из-за шумов возможно многократное переключение выходного напряжения ОУ. Чтобы исключить такой режим характеристике компаратора искусственно придают гистерезис (рис. 17.3.).

Ширина петли гистерезиса Ср должна превышать уровень шума и определяться из выражения вида:

 

R1

Ср = DUвх = ———- (Uвых мах – Uвых min).

R1 + R2


Такие схемы используются для преобразования формы сигнала,
получения прямоугольных импульсов и т.п.

 
 

Рис. 17. 3.

План работы.

 

 
 

1. На основе ОУ А1 соберите схему инвертирующего усилителя. Исследуйте его работу (рис. 17.4.).

Рис. 17.4.

 

2. На основе А1 постройте компаратор напряжений. Поясните назначение всех элементов схемы, исследуйте ее. (Рис. 17.5.).

 
 

3. Разработайте схему выключения света при возрастании освещенности. Испытайте ее (рис. 17.6.).

 

Рис. 17.5.

 

 

 
 

Рис. 17.6.

Контрольные вопросы.

1. Назначение ОУ.

2. Характеристики ОУ.

3. Типовые схемы с ОУ. Рассмотреть принцип работы на одном примере.

 


megapredmet.ru

ЛЕКЦИЯ 18. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

П л а н л е к ц и и

18.1. Предмет микроэлектроники. Классификация интегральных схем. 18.2. Технология полупроводниковых интегральных схем.

18.3. Подготовительные операции.

18.4. Эпитаксия.

18.5. Термическое окисление.

18.6. Легирование.

18.7. Травление.

18.8. Техника масок.

18.1. Предметмикроэлектроники. Классификацияинтегральныхсхем.

Микроэлектроника – это раздел электроники, охватывающий исследования, разработку и применение интегральных микросхем. Интегральная микросхема (или просто интегральная схема) – это совокупность большого количества взаимосвязанных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и т. п.), изготовленных в едином технологическом цикле на одной подложке и выполняющих определенную функцию преобразования информации.

Термин «интегральная схема» отражает факт объединения (интеграции) отдельных деталей (компонентов) в конструктивно единый прибор, а также факт усложнения выполняемых этим прибором функций по сравнению с функциями дискретных компонентов.

Классификация ИС может проводиться по различным признакам, но можно ограничиться лишь одним. По способу изготовления различают два главных вида схем: полупроводниковые и пленочные.

Полупроводниковая ИС – это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Полупроводниковые ИС, как отмечалось ранее, составляют основу современной элементной базы электроники.

Пленочная ИС – это микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки. В зависимости от способа нанесения пленок и связанной с этим толщины различают тонкопленочные (толщина пленки 1–2 мкм) и толстопленочные интегральные схемы (толщина пленок 10–20 мкм и более).

Поскольку пленочные ИС, как правило, не позволяют выполнить активные элементы, то их дополняют этими компонентами, соединяя с пленочными элементами посредством выводов. Тогда получается ИС, называемая гибридной.

 Электроника. Конспект лекций

-179-

ЛЕКЦИЯ 18. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

18.2.Технология полупроводниковых интегральных схем.

18.2.Технологияполупроводниковыхинтегральныхсхем.

Технологический цикл изготовления микроэлектронных изделий складывается из ряда типовых технологических процессов. Технология полупроводниковых ИС, основанная на планарной технологии транзисторов, рассматривается первой, так как включает в себя практически все основные технологические процессы, используемые при производстве микроэлектронных изделий. Технология ГИС, имеющая ряд особенностей, будет рассмотрена далее.

18.3. Подготовительныеоперации.

Монокристаллические слитки кремния, как и других полупроводников, получают обычно путем кристаллизации из расплава – методом Чохралъского. При этом методе стержень с затравкой (в виде монокр исталла кремния) после соприкосновения с расплавом медленно поднимают с одновременным вращением (рис. 18.1). При этом вслед за затравкой вытягивается нарастающий и застывающий слиток.

Рис. 18.1. Схема выращивания монокристаллов методом Чохральского: 1 – тигель; 2 – расплав полупроводника; 3 – монокристалл выращиваемого полупроводника; 4 – затравка; 5 – катушка высокочастотного индуктора

Кристаллографическая ориентация слитка (его поперечного сечения) определяется кристаллографической ориентацией затравки. Чаще других используются слитки с поперечным сечением, лежащим в плоскости (111) или

(100).

Типовой диаметр слитков составляет в настоящее время 300 мм. Длина слитков может достигать 3 м и более, но обычно она в несколько раз меньше.

Слитки кремния разрезают на множество тонких пластин (толщиной 0,4–0,5 мм), на которых затем изготавливают интегральные схемы или дискретные приборы. Во время резки слиток прочно закрепляют, причем очень важно обеспечить перпендикулярное расположение слитка относительно режущих полотен или дисков с тем, чтобы пластины имели необходимую кристаллографическую ориентацию.

 Электроника. Конспект лекций

-180-

ЛЕКЦИЯ 18. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

18.3. Подготовительные операции.

Поверхность пластин после резки неровная: размеры царапин, выступов и ямок намного превышают размеры будущих элементов ИС. Поэтому перед началом основных технологических операций пластины многократно шлифуют, а затем полируют. Цель шлифовки, помимо удаления механических дефектов, состоит в том, чтобы обеспечить необходимую толщину пластины (150–250 мкм), недостижимую при резке, и параллельность плоскостей. Шлифовку осуществляют на вращающихся шлифовальных кругах. Шлифующим агентом являются суспензии из микропорошков, размер зерен которых выбирают все меньшим при каждом цикле шлифовки, вплоть до 0,3–0,5 мкм.

По окончании шлифовки на поверхности все же остается механически нарушенный слой толщиной несколько микрон, под которым расположен еще более тонкий, так называемый физически нарушенный слой. Последний характерен наличием «незримых» искажений кристаллической решетки и механических напряжений, возникающих в процессе шлифовки.

Полировка состоит в удалении обоих нарушенных слоев и снижении неровностей поверхности до уровня, свойственного оптическим системам – сотые доли микрона. Помимо механической (с помощью еще более мелкозернистых суспензий), используется химическая полировка (травление), т. е. по существу растворение поверхностного слоя полупроводника в тех или иных реактивах. Выступы и трещины на поверхности стравливаются быстрее, чем основной материал, и в целом поверхность выравнивается.

Достигаемая в процессе шлифовки и полировки параллельность плоскостей пластины составляет доли микрона на сантиметр длины.

Важным процессом в полупроводниковой технологии является также очистка поверхности от загрязнений органическими веществами, особенно жирами. Очистку и обезжиривание проводят в органических растворителях (толуол, ацетон, этиловый спирт и др.) при повышенной температуре.

Травление, очистка и многие другие процессы сопровождаются отмывкой пластин в деионизованной воде. Деионизация осуществляется в специальных установках путем пропускания предварительно дистиллированной воды через гранулированные смолы, в которых благодаря химическим реакциям происходит связывание растворенных ионов. Степень деионизации оценивается по удельному сопротивлению воды, которое

обычно лежит в пределах 10–20 МОм см и выше (удельное сопротивление бидистиллированной воды не превышает 1–2 МОм см).

18.4. Эпитаксия.

Эпитаксией называют процесс наращивания монокристаллических слоев на подложку, при котором кристаллографическая ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки.

 Электроника. Конспект лекций

-181-

ЛЕКЦИЯ 18. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

18.4.Эпитаксия.

Внастоящее время эпитаксия обычно используется для получения тонких рабочих слоев однородного полупроводника на сравнительно толстой подложке, играющей роль несущей конструкции.

Типовой – хлоридный – процесс эпитаксии применительно к кремнию

состоит в следующем (рис. 18.2). Монокристаллические кремниевые пластины загружают в тигель «лодочку» и помещают в кварцевую трубу. Через трубу пропускают поток водорода, содержащий небольшую примесь тетрахлорида кремния SiCl4. При высокой температуре (около 1200 °С), которая обеспечивается высокочастотным нагревом тигля, на поверхности пластин происходит реакция

SiCl4 + 2Н2 = Si + 4HC1.

В результате реакции на подложке постепенно осаждается слой чистого кремния, а пары НС1 уносятся потоком водорода. Эпитаксиальный слой осажденного кремния имеет ту же кристаллографическую ориентацию, что и подложка. Химическая реакция, благодаря подбору температуры, происходит только на поверхности пластины, а не в окружающем пространстве.

Процесс, проходящий в потоке газа, называют газотранспортной реакцией, а основной газ (в данном случае водород), переносящий примесь в зону реакции, – газом-носителем.

Если к парам тетрахлорида кремния добавить пары соединений бора (В2Н6) или фосфора (РН 3), то эпитаксиальный слой будет иметь уже не собственную, а дырочную или электронную проводимость, поскольку в ходе реакции в осаждающийся кремний будут внедряться акцепторные атомы бора или донорные атомы фосфора.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

4

 

6

 

 

N2

h3

 

h3+Si

 

 

h3+Ph4

 

 

h3+B2H6

 

 

HCl

 

Рис. 18.2. Схема хлоридного процесса эпитаксии: 1 – кварцевая труба; 2 – катушка ВЧ нагрева; 3 – тигель с пластинами; 4 – пластина кремния;

5 – вентиль для перекрытия соответствующего газа; 6 – измеритель скорости потока

 Электроника. Конспект лекций

-182-

ЛЕКЦИЯ 18. ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

18.4.Эпитаксия.

Вустановке, показанной на рис. 18.2, предусмотрены некоторые дополнительные операции: продувка трубы азотом и неглубокое травление поверхности кремния в парах НС1 (с целью очистки). Эти операции проводятся до начала основных операций.

Таким образом, эпитаксия позволяет выращивать монокристаллические слои любого типа проводимости и любого удельного сопротивления на подложке, обладающей тоже любым типом и величиной проводимости (рис. 18.3).

Эпитаксиальная пленка может отличаться от подложки по химическому составу. Способ получения таких пленок называют гетероэпитаксией, в отличие от гомоэпитаксии, описанной выше. Конечно,

при гетероэпитаксии материалы пленки и подложки должны по-прежнему иметь одинаковую кристаллическую решетку. Например, можно выращивать кремниевую пленку на сапфировой подложке. Структуры, выращенные таким способом называются КНС (кремний на сапфире).

n

p+

n

 

 

 

 

 

p

 

 

 

 

 

 

n+

 

n

 

 

 

 

 

 

 

а

б

в

Рис. 18.3. Примеры эпитаксиальных структур: а – пленка n-типа на n+-подложке; б – пленка р+ -типа на n-подложке; в – пленка n-типа на p-подложке

Граница между эпитаксиальный слоем и подложкой не получается идеально резкой, так как примеси в процессе эпитаксии частично диффундируют из одного слоя в другой. Это обстоятельство затрудняет создание сверхтонких (менее 1 мкм) и многослойных эпитаксиальных структур. Основную роль в настоящее время играет однослойная эпитаксия. Она существенно пополнила арсенал полупроводниковой технологии; получение таких тонких однородных слоев (1–10 мкм), какие обеспечивает эпитаксия, невозможно иными средствами.

Помимо описанной газовой эпитаксии, существует жидкостная эпитаксия, при которой наращивание монокристаллического слоя осуществляется из жидкой фазы, т.е. из раствора, содержащего необходимые компоненты.

 Электроника. Конспект лекций

-183-

studfiles.net

Применение — интегральная микросхема — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Применение — интегральная микросхема

Cтраница 1

Применение интегральных микросхем и типовых узлов современной микроэлектроники позволяет с успехом решать перечисленные выше сложные задачи.
 [1]

Применение интегральных микросхем позволяет уменьшить габариты аппаратуры и ее массу в несколько раз. Это объясняется тем, что элементы интегральных микросхем весьма малы — их размеры составляют единицы и десятые доли микрона.
 [2]

Применение интегральных микросхем позволило усовершенствовать и создать новые методы проектирования, конструирования я производства радиоэлектронной аппаратуры различного назначения, повысить ее технические в эксплуатационные характеристики, внедрить электронику в ряд устройств, традиционно выполняемых на механических или электромеханических принципах действия.
 [3]

Применение интегральных микросхем позволяет реализовать ряд более сложных схемных решений.
 [4]

Применение интегральных микросхем в электронной вычислительной технике / Под ред Б Н Файзулаева.
 [5]

Применение интегральных микросхем в ЦИС расширяет их функциональные возможности, резко снижает габаритные размеры и массу, повышает надежность.
 [6]

Применение интегральных микросхем позволило перейти к созданию мини — ЭВМ, которые по мощности и быстродействию не уступали большим машинам 50 — 60 — х годов, БО отличались от них существенно меньшими габаритными размерами и повышенной экономичностью.
 [7]

Широкие применение интегральных микросхем, микропроцессорных комплектов БИС позволило перейти к созданию многофункциональных программируемых средств, отличающихся высокими метрологическими и эксплуатационными характеристиками.
 [8]

Благодаря применению интегральных микросхем существенно повышена функциональная насыщенность новых устройств, вследствие чего в среднем каждый их — них выполняет функции двух старых устройств комплекса Каскад. Это значительно уменьшает потребное число приборов при реализации — конкретных схем регулирования.
 [9]

Благодаря применению интегральных микросхем существенно повышена функциональная насыщенность новых устройств, вследствие чего в среднем каждый их — них выполняет функции двух старых устройств комплекса Каскад. Это значительно уменьшает потребное число приборов при реализации — конкретных схем регулирования.
 [10]

Вопросы разработки и применения интегральных микросхем с большой степенью интеграции, или БИС, занимают центральное место в современной вычислительной технике и автоматике. Появление БИС значительно изменяет подход к проектированию аппаратуры, позволяя переложить значительную часть функций с программных на аппаратные средства.
 [12]

Вольтметр выполнен с применением интегральных микросхем и отличается высокой эксплуатационной надежностью, малыми габаритными размерами, массой и потребляемой мощностью.
 [14]

В связи с применением интегральных микросхем удалось значительно уменьшить объемы устройств вычислительных машин и одновременно улучшить их качественные характеристики и показатели надежности.
 [15]

Страницы:  

   1

   2

   3

   4




www.ngpedia.ru

ПРИМЕНЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ — КиберПедия

 

17.1. Цель работы.

 

17.1.1. Изучить принцип действия интегральных инвертирующих

усилителей и компараторов сигналов.

17.2. Основные теоретические сведения.

 

Операционные усилители (ОУ) в интегральном исполнении широко применяются для построения сложных функциональных схем.

Как правило, ОУ выполняются по многокаскадной схеме с омическими связями между каскадами. Первый каскад выполняется по

дифференциальной схеме, а последний — по схеме с общим коллектором.

Современные ОУ в интегральном исполнении обладают большим

входным и малым выходным сопротивлениями и очень высоким коэффициентом усиления.

В различных схемах ОУ работают с глубокой обратной связью

(ОС). При больших значениях Кu и глубокой ОС зависимость между входным и выходным сигналами определяется в основном характером ОС. Поэтому, изменяя характер ОС, можно получить различные Функциональные схемы.

Рассмотрим некоторые типовые схемы с использованием OУ.

Масштабирующий усилитель.

Масштабирующие усилители применяются в вычислительной технике, когда необходимо изменить сигнал в определенном соотношении. На рис. 17.1. приведена схема такого усилителя с инвертированием входного сигнала. Сигнал Uвх через резистор RI подается на инвертирующий вход, который охвачен отрицательной ОС с помощью резистора Roc. Неинвертирующй вход соединен с нулевой точкой (заземляется).

 
 

 

Рис. 17.1.

 

Для данного усилителя коэффициент усиления равен:

Кu = — Uвых/Uвх = — Rос/R1.

 

Компаратор сигналов.

 

Компаратором называется схема для сравнения двух напряжений (рис. 17.2.).

 
 

 

Рис. 17.2.

 

 

На неинвертирующий вход усилителя подается неизменное по величине напряжение, называемое опорным Uоп. На инвертирующий вход подается изменяющееся во времени напряжение Uвx.

В схеме компаратора используется свойство усилителя изменять полярность выходного напряжения в зависимости от знака разности напряжений на входах. Поясним это на примере временной диаграммы (рис. 17.2.). В интервале времени O-t1, Uоп > Uвх, это значит, что потенциал неинвертирующего входа выше, чем инвертирующего. Следовательно, Uвых совпадает по фазе с Uоп (Uвых >0) и в связи с тем, что коэффициент усиления разомкнутого ОУ 104 – 105, устанавливается на уровне Uпитания. В момент времени t > t1, когда Uвх – Uоп потенциал инвертирующего входа выше не инвертирующего Uвых < 0, т. е. отстает по фазе от Uвх на 180°, а устанавливается на уровне –Uп. Изменение полярности выходного напряжения происходит в момент времени t1, когда Uвх = Uоп.


Поскольку коэффициент усиления ОУ достаточно высок в момент сравнения Uвх и Uоп из-за шумов возможно многократное переключение выходного напряжения ОУ. Чтобы исключить такой режим характеристике компаратора искусственно придают гистерезис (рис. 17.3.).

Ширина петли гистерезиса Ср должна превышать уровень шума и определяться из выражения вида:

 

R1

Ср = DUвх = ———- (Uвых мах – Uвых min).

R1 + R2

Такие схемы используются для преобразования формы сигнала,
получения прямоугольных импульсов и т.п.

 

 
 

Рис. 17. 3.

17.3. План работы.

 

 
 

17.3.1. На основе ОУ А1 соберите схему инвертирующего усилителя. Исследуйте его работу (рис. 17.4.).

Рис. 17.4.

 

17.3.2. На основе А1 постройте компаратор напряжений. Поясните назначение всех элементов схемы, исследуйте ее. (Рис. 17.5.).

 
 

17.3.3. Разработайте схему выключения света при возрастании освещенности. Испытайте ее (рис. 17.6.).

 

Рис. 17.5.

 

 

 
 

Рис. 17.6.

 

 

18. Лабораторная работа N18

 

cyberpedia.su

Использование — интегральная схема — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Использование — интегральная схема

Cтраница 1

Использование интегральных схем с высоким уровнем интеграции открывает широкие возможности создания электронных устройств управления для АТС и других систем автоматической коммутации, позволяет в значительной степени повысить надежность этих устройств, существенно сократить габариты и вес оборудования, упростить монтаж станций, сократить потребление электроэнергии. Чем выше уровень интеграции, тем выше эксплуатационная надежность, так как изменяется соотношение между числом внешних и внутренних соединений в пользу последних. Поскольку внутренние соединения делаются неразъемными, то они значительно надежнее внешних соединений. Использование твердых схем частного применения возможно только в том случае, когда имеется массовый потребитель этих схем и может быть организовано специализированное производство.
 [1]

Использование интегральных схем вместо отдельных транзисторов позволило значительно уменьшить габариты узлов ЭВМ, повысить их экономичность и надежность.
 [2]

При использовании интегральных схем иногда оказывается удобнее реализовать любые логические функции исключительно на элементах И-НЕ или ИЛИ-НЕ.
 [3]

При использовании интегральных схем необходимо учитывать ряд паразитных параметров, обусловленных специфичной конструкцией компонентов, расположенных я а общей подложке, а в некоторых случаях и паразитные связи между компонентами. Интегральные схемы представляют собой готовые изделия, поставляемые потребителям для изготовления электронных устройств, поэтому особое значение приобретают вопросы унификации и стандартизации интегральных схем, их конструкций и системы внешних параметров.
 [4]

При использовании интегральных схем в электронных устройствах возникают трудности, связанные с монтажом, особенно если процентное содержание их в системе велико. Большинство преимуществ интегральных схем может быть потеряно, если пользоваться случайными методами сборки. Даже применив наилучшие из существующих методов сборки интегральных схем в модули, мы получим общий объем в несколько тысяч раз больший, чем первоначальный объем всех интегральных схем.
 [5]

При использовании интегральной схемы МАА245 резистор R8 можно уменьшить так, чтобы на конденсаторе С4 было напряжение 11 В, оно не должно, однако, превышать 12 В.
 [7]

При использовании интегральных схем ( ИС) в качестве уп элементов вовникаот трудности в усилении упрлвля-щего сигнала т.к. приводная аппаратура требует сравнительНс мощных импульсов воадействия. Разработка электромеханических реле, совместимых с ИС, Открывает большие вовможности в этом направлении.
 [8]

Сборка аппаратуры при использовании интегральных схем начинается не на уровне отдельных деталей, а на уровне схем, выполняющих определенные функции. Из этих схем собирают модули первой группы. По конструкции они могут быть плоскими, объемными, объемно-плоскими и этажерочными.
 [9]

При расчете и использовании интегральных схем на МДП-тран-зисторах необходимо учитывать изменение напряжения на подложке транзистора МДП-типа относительно общей точки схемы, так как при этом изменяются напряжение отпирания транзистора и ток в канале.
 [10]

Принципиальная схема приемника ( рис. 4.88) предусматривает возможность использования интегральных схем.
 [11]

Уменьшение габаритов цифровых вольтметров идет не только по пути использования малогабаритных интегральных схем, но также и по пути применения новых схемных решений, позволяющих резко снизить габариты основных узлов прибора.
 [12]

В настоящее время наибольшее внимание уделяется развитию микроэлектроники с использованием интегральных схем и традиционных дискретных элементов, которые изготовляются в едином технологическом процессе. Появление интегральных схем стимулировало развитие вычислительной техники, сделав несущественным главный ее недостаток — — большое число элементов, приводивший ранее к низкой надежности работы, а также к значительным габаритным размерам и массе аппаратуры.
 [13]

Широкие возможности реализации подобных устройств открываются в связи с использованием дискретных интегральных схем, в настоящее время обгоняющих аналоговые элементы не только в функциональном смысле, но и в смысле конкурентноспособности. Такие элементы позволяют создавать экономически выгодные быстродействующие цифровые функциональные преобразователи для вычисления сложных функций от нескольких переменных. Например, газовый расходомер должен иметь счетно-решающее устройство, определяющее массовый расход как функцию трех переменных — перепада давления на дросселе, давления и температуры газа.
 [14]

Устройства всех цепей радиолокационных приемников все шире базируются на использовании интегральных схем и различных микроустройств СВЧ диапазона.
 [15]

Страницы:  

   1

   2

   3




www.ngpedia.ru