Транзистор a733 – A733 , , datasheet, , ,

Транзисторы A733 — параметры, маркировка,цоколевка.

Транзисторы A733 R, A733 Q, A733 P,A733 K

Транзисторы A733 — кремниевые, высокочастотные

усилительные, структуры — p-n-p.
Корпус пластиковый TO-93.

Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,25 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером
180 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер
50в.

Максимальное напряжение коллектор — база
60в.

Максимальное напряжение эмиттер — база
5в.

Коэффициент передачи тока
(datasheet STANSON TECHNOLOGY):

У транзисторов A733 с буквой R — от 90 до 180.
У транзисторовA733 с буквой Q — от 135 до 270.
У транзисторов A733 с буквой P — от 200 до 400.
У транзисторов A733 с буквой K — от 300 до 600.

Максимальный постоянный ток коллектора 100мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА

— не выше 0,3в.

Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды
+25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 60в.
не более 0,1 мА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 5в не более — 0,1 мА.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

elektrikaetoprosto.ru

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серияПараметрНагрузка
РоссийскиеЗарубежныеPпот. мВт.tзд.р. нсЭпот. пДж.Cн. пФ.Rн. кОм.
К155 КМ1557410990150,4
К13474L13333504
К13174H226132250,28
К55574LS29,519152
К53174S19357150,28
К153374ALS1,244,8152
К153174F4312150,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)К155 (74)К531 (74S)
К155, КM155, (74)40108
К155, КM155, (74), буферная603024
К555 (74LS)2054
К555 (74LS), буферная601512
К531 (74S)501210
К531 (74S), буферная1503730

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

ПараметрУсловия измеренияК155К555К531К1531
Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,350,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мАI0вых= 8 мАI0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В2,43,5

2,73,4

2,73,4

2,7
I1вых= -0,8 мАI1вых= -0,4 мАI1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мАU1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В-18

-55

-100

-100-60-150

www.microshemca.ru

A733B Даташит, A733B PDF Даташиты

производительНомер в каталогеКомпоненты ОписаниеПосмотреть
Usha Ltd A733Low frequency amplifier. Collector-base voltage Vcbo = -60V. Collector-emitter voltage Vceo = -50V. Emitter-base voltage Vebo = -5V. Collector dissipation Pc(max) = 250mW.

Intersil A733N-CHANNEL J-FET

NEC => Renesas Technology A733PNP SILICON TRANSISTOR

Tiger Electronic A733PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

TY Semiconductor A733PNP SILICON TRANSISTOR

Unspecified A733TO-92 PNP Epitaxial Silicon Transistor

Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. A733TRANSISTOR (PNP)

Willas Electronic Corp. A733SOT-23 Plastic-Encapsulate PNP Transistors

Micro Commercial Components A733TRANSISTOR (PNP)

STANSON TECHNOLOGY A733PNP TRANSISTOR -100mA

Weitron Technology A733PNP Transistor

KEXIN Industrial A733PNP Silicon Transistor

ru.datasheetbank.com