Транзистор c5696 характеристики – 2SC5696 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

2SC5696 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5696 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1600 В).
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СимволыПараметрУсловияМин. значениеТип. значениеМакс. значениеЕдиницы
VcboНапряжение коллектор-база1600В
VceoНапряжение коллектор-эмиттер800В
VeboНапряжение эмиттер-база5В
IcТок коллектора12А
IcpТок коллектора импульсный36А
PcМощность, рассеиваемая на коллектореT = 25 °C85Вт
IcboОбратный ток коллектораVcb = 800 В, Ie = 010мкА
Vce = 1600 В, Rbe = 01,0мА
IeboОбратный ток эммитераVeb = 4 В, Ic = 080800мА
hFEКоэффициент передачи тока в схеме ОЭVce = 5 В, Ic = 1,0 A311
Vce = 5 В, Ic = 8,0 A47
Vce_satНапряжение насыщения К-ЭIc = 7,2 A, Ib = 1,8 А3В
Vbe_satНапряжение насыщения Б-ЭIc = 7,2 A, Ib = 1,8 А1,5В
TfВремя спада импульсаIc = 6 А, Ib = 1,2 А0,2мкс
TstgВремя установленияIc = 6 А, Ib = 1,2 А3,0мкс
VfПадение напряжения на прямосмещенном диодеIce = 10 А2,2В

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

SANYO -> Panasonic C5696 Даташит, C5696 PDF, даташитов

Номер в каталогеОписание (Функция)PDFпроизводитель
KSD5004NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR Samsung
KSD5007NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR Samsung
KSD5013NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR Samsung
KSD5005NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR Samsung
KSD5003NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR Samsung
BU508ANPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR New Jersey Semiconductor
2SC4601NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor TY Semiconductor
KSC5367FNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Fairchild Semiconductor
KSD5071NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR Fairchild Semiconductor
FJAF6920NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Fairchild Semiconductor

ru.datasheetbank.com

2SC5682 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5682 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СимволыПараметрУсловияМин. значениеТип. значениеМакс. значениеЕдиницы
VcboНапряжение коллектор-база1500В
VceoНапряжение коллектор-эмиттер800В
VeboНапряжение эмиттер-база5В
IcТок коллектора20А
IcpТок коллектора импульсный40А
PcМощность, рассеиваемая на коллектореT = 25 °C95Вт
IcboОбратный ток коллектораVcb = 800 В, Ie = 010мкА
Vce = 1500 В, Rbe = 01,0мА
IeboОбратный ток эммитераVeb = 4 В, Ic = 01,0мА
hFEКоэффициент передачи тока в схеме ОЭVce = 5 В, Ic = 1,0 A15
Vce = 5 В, Ic = 16,0 A47
Vce_satНапряжение насыщения К-ЭIc = 14,4 A, Ib = 3,6 А3В
Vbe_satНапряжение насыщения Б-ЭIc = 14,4 A, Ib = 3,6 А1,5В
TfВремя спада импульсаIc = 10 А, Ib = 2,0 А0,2мкс
TstgВремя установленияIc = 10 А, Ib = 2,0 А3,0мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

2SC5793 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5793 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1600 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СимволыПараметрУсловияМин. значениеТип. значениеМакс. значениеЕдиницы
VcboНапряжение коллектор-база1600В
VceoНапряжение коллектор-эмиттер800В
VeboНапряжение эмиттер-база5В
IcТок коллектора20А
IcpТок коллектора импульсный40А
PcМощность, рассеиваемая на коллектореT = 25 °C95Вт
IcboОбратный ток коллектораVcb = 800 В, Ie = 010мкА
Vce = 1600 В, Rbe = 01,0мА
IeboОбратный ток эммитераVeb = 4 В, Ic = 01,0мА
hFEКоэффициент передачи тока в схеме ОЭVce = 5 В, Ic = 1,0 A10
Vce = 5 В, Ic = 15 A47
Vce_satНапряжение насыщения К-ЭIc = 13,5 A, Ib = 3,4 А3В
Vbe_satНапряжение насыщения Б-ЭIc = 13,5 A, Ib = 3,4 А1,5В
TfВремя спада импульсаIc = 10 А, Ib = 1,6 А0,2мкс
TstgВремя установленияIc = 10 А, Ib = 1,6 А3,0мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

2SC3998 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC3998 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СимволыПараметрУсловияМин. значениеТип. значениеМакс. значениеЕдиницы
VcboНапряжение коллектор-база1500В
VceoНапряжение коллектор-эмиттер800В
VeboНапряжение эмиттер-база6В
IcТок коллектора25А
IcpТок коллектора импульсный50А
PcМощность, рассеиваемая на коллектореT = 25 °C250Вт
IcboОбратный ток коллектораVcb = 800 В, Ie = 01мА
VceoНапряжение коллектор-эмиттерIc = 100 мА, Ib = 0800В
IeboОбратный ток эммитераVeb = 4 В, Ic = 01мА
hFEКоэффициент передачи тока в схеме ОЭVce = 5 В, Ic = 1,0 A830
Vce_satНапряжение насыщения К-ЭIc = 20 A, Ib = 5,0 А5В
Vbe_satНапряжение насыщения Б-ЭIc = 20 A, Ib = 5,0 А1,5В
TfВремя спада импульсаIc = 12 А, Ib = 2,4 А0,2мкс
TstgВремя установленияIc = 12 А, Ib = 2,4 А3,0мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

2SC5857 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5857 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Пятое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СимволыПараметрУсловияМин. значениеТип. значениеМакс. значениеЕдиницы
VcboНапряжение коллектор-база1700В
VceoНапряжение коллектор-эмиттер750В
VeboНапряжение эмиттер-база5В
IcТок коллектора постоянный/импульсный21/42А
PcМощность, рассеиваемая на коллектореT = 25 °C75Вт
hFEКоэффициент передачи тока в схеме ОЭVce = 5 В, Ic = 17 А4,37,8
Vce_satНапряжение насыщения К-ЭIc = 17 A, Ib = 4,25 А3,0В
Ic_satКоллекторный ток насыщения17А
IbТок базы10,5А
TfВремя спада импульсаF = 100 кГц0,1мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

2SC5446 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5446 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Неизолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
СимволыПараметрУсловияМин. значениеТип. значениеМакс. значениеЕдиницы
VcboНапряжение коллектор-база1700В
VceoНапряжение коллектор-эмиттер600В
VeboНапряжение эмиттер-база5В
IcТок коллектора постоянный/импульсный18/36А
PcМощность, рассеиваемая на коллектореT = 25 °C200Вт
hFEКоэффициент передачи тока в схеме ОЭVce = 5 В, Ic = 14 А48
Vce_satНапряжение насыщения К-ЭIc = 14 A, Ib = 3,75 А3,0В
Ic_satКоллекторный ток насыщения14А
IbТок базы9А
TfВремя спада импульсаF = 64 кГц0,150,3мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru