1N5818 диод характеристики – Возможность скачать даташит (datasheet) 1N5844 в формате pdf электронных компонентов

Диоды 1Т5817, 1N5818, 1N5819 диоды Шотке Однополупериодные выпрямители


Габариты, электрические параметры, характеристики, маркировка 1N5817      1N5818     1N5819

 

1N5818-1N5819

 

Диоды 1N5818 1N5819, это выпрямители Шоттки, изделия оптимизированы для выпрямления очень низких напряжений, с умеренным током утечки. Типичные области применения, это импульсные источники питания, преобразователи, диоды, защита аккумуляторов.

Особенности ДИОДОВ    1N5817      1N5818     1N5819

Низкий профиль
Высокая чистота инкапсуляции, температурная стойкость
Очень низкое падение напряжения
Устройство разработано для применения на промышленном уровне.Расширенная механическая прочность и влагостойкость
Высокая частота операций
Свинец (Pb) -свободная плакировка
Предохранительное кольцо для улучшения прочности и надежности

Общие сведения

1n5818 1n5819
КатегорияДискретные, полупроводниковые продукты
СемействоДиоды, однополупериодные выпрямители
Прямое напряжение при токе 1A600mВ
Обратное напряжение постоянного тока1n581830В
Обратное напряжение постоянного тока1n581940В
Выпрямляемый ток1A
Обратный ток утечки 1n58181мА при 30В
Обратный ток утечки 1n58191мА при 40В
Тип диодаШоттки
СкоростьБыстрое восстановление =< 500нс > 200мА
Тип монтажаЧерез отверстие
КорпусDO-204AL, DO-41, Axial
Другое название 1n58191N5819IR

Основные параметры, характеристики и габариты вы можете узнать скачав Datasheet 

DATASHEET-1n5817-1n5818-1n5819-Fairchild-Semiconductor-Corporation

DATASHEET-1n5819-Vishay-Semiconductors

DATASHEET-1n5818-1n5819-IRF

DATASHEET-1n5817-IRF

DATASHEET-1n5817-1n5818-1n5819-Philips-Semiconductors


radioschema.ru

Характеристика и аналоги диода с барьером Шоттки 1n-5819

Диоды Шоттки – отдельный тип полупроводниковых приборов, в которых не используется p – n переход, элементом с односторонней проводимостью в них является зона контакта металла с полупроводником. Они часто называются диодом с барьером Шоттки, по имени германского исследователя Вальтера Шоттки, определившего свойства потенциального барьера в контактном слое металл – полупроводник, в том числе его выпрямительные свойства. Полупроводник в таких структурах – кремний или арсенид галлия, наиболее часто применяемые металлы – золото, серебро, платина.

Корпус DO-41

Общая информация

Диоды, использующие барьер Шоттки, широко распространены и обладают рядом свойств, отличных от кремниевых приборов с pn переходом:

  • При прямом включении диода Шоттки падение напряжения на нём в 2-3 раза ниже, чем у обычных выпрямительных. При значительном увеличении обратного напряжения (более 100 вольт) этот параметр увеличивается и приближается к значениям для стандартного диода, что определяет основной диапазон напряжений при использовании – десятки вольт;
  • Малая ёмкость перехода, позволяющая работать на высоких частотах в цифровых схемах;
  • Способность к быстрому восстановлению допускает применение в выпрямителях напряжения до 100 и более килогерц, например, в блоках питания компьютеров.

При необходимости использовать диод с барьером Шоттки на обратное напряжение не более 40 вольт и средний ток 1 ампер наибольшее распространение нашёл диод 1N5819.

Диоды выпускаются в пластмассовом корпусе JEDEC DO – 41 с аксиальными выводами для монтажа ТНТ – установки в отверстия печатной платы, параллельно или перпендикулярно поверхности. Рядом с отрицательным выводом (катод) наносится кольцевая полоска.

Также производится в корпусе SMA (DO – 214AC) для SMD-монтажа, маркируются как SS14. Катод указывается аналогично обозначению на ТНТ – на корпусе.

In5819 для поверхностного монтажа

Электрические параметры

Для любого исполнения корпуса 1N5819 характеристики полностью идентичны:

  • Пиковое и максимальное рабочее обратное напряжение – 40 В;
  • Переменное обратное напряжение – 28 В;
  • Выпрямленный ток (средний) – 1 А;
  • Общая ёмкость кристалла и корпуса – 110 пФ;
  • Рабочая температура – от -65 до +125 оС.

Важно обратить внимание на одинаковые величины обратных напряжений – пикового и рабочего. Такая особенность параметров свойственна практически всем диодам Шоттки – высокая чувствительность даже к небольшому превышению допустимого обратного напряжения.

Особенности применения

Особенности технологии производства диодов с барьером Шоттки накладывают ограничение на их применение в схемах с возможным увеличением относительно указанного в описании обратного напряжения. В таких ситуациях прибор выходит из строя очень быстро. В выпрямителях импульсных блоков питания применяются совместно со снаббером цепочки из последовательно включённых резистора и конденсатора для подавления высокочастотных импульсов. In5819 часто применяется как шунтирующий выводы сток – исток MOSFET транзисторов небольшой мощности.

Необходимо обратить внимание на отвод тепла от корпуса. Несмотря на то, что рабочая температура диода 125 оС, чрезмерный нагрев может спровоцировать неконтролируемый рост обратного тока, с неминуемым пробоем перехода или его разрушением.

Если обратное напряжение не более 30 вольт, можно использовать диод 1N5818, а до 20 вольт – 1N5817. Производители электронных компонентов выпускают множество ближайших и полных аналогов, как с обозначением типа 1N5819, так и другими: 11DQ03 – фирмы IOR, BYV10 – PHILIPS. Диод 1N5819 – прототип отечественного (белорусской компании «Интеграл») изделия КДШ2105В, это диод Шоттки с аналогичными параметрами, но в корпусе ТО – 92 (КТ – 26).

Видео

Оцените статью:

elquanta.ru

Характеристика диода IN-5822

Довольно часто в импортных электронных схемах радиолюбителям приходится сталкиваться с полупроводниковыми выпрямительными элементами, имеющими обозначение in5822. Согласно фирменным техническим данным (datasheets), они относятся к классу диодов Шоттки, используемых обычно в режиме ограничения сигнала.

Внешний вид и схемное обозначение

В отличие от типовых диодных изделий, в которых электронный барьер создаётся двумя полупроводниковыми структурами, в приборах этого класса одна из них заменена металлом. Образующийся вследствие этого переход «металл-полупроводник» называется барьером Шоттки, а сам диод получил своё название по имени немецкого учёного, обнаружившего этот эффект.

Описание

В ссылках на описание этого элемента указывается, что при включении в схему он подобно обычным полупроводниковым переходам обеспечивает классическую одностороннюю проводимость. Однако при этом обнаруживается ряд специфических качеств, которые проявляются в следующих особенностях рабочей структуры 1n5822:

  • Во-первых, прямое падение напряжения на переходе «металл-полупроводник» несколько меньше, чем у обычных кремниевых изделий и составляет примерно 0,2-0,4 Вольта, что позволяет использовать его как ограничитель напряжения;
  • Далее его структура отличается большим быстродействием, позволяющим создавать изделия, работающие в ВЧ цепях;
  • И, наконец, такие диоды могут изготавливаться в виде двух одинаковых по параметрам переходов (с двумя анодами и одним катодом, как изображено на рисунке ниже).

Схемное изображение спаренной структуры

Обратите внимание! Последняя особенность диодов типа in5822 позволяет существенно увеличить их эксплуатационный ресурс.

Технические характеристики

Перед рассмотрением характеристик in5822 отметим, что при изготовлении структур этого класса преимущественно применяются такие полупроводники, как кремний (Si) и арсенид галлия. В качестве металлической составляющей используется один из следующих материалов: платина, золото, серебро, палладий или вольфрам.

Характеристики этого элемента должны удовлетворять приведённым ниже параметрам:

  • Предельная величина обратного напряжения не может быть более 40 Вольт;
  • Максимальная амплитуда прямого тока не должна превышать 3-х Ампер;
  • Предельно допустимое прямое напряжение – примерно 0, 5 Вольт;
  • Максимальный разрешённый обратный ток – около 0, 5 Ампер;
  • Амплитуда импульсного прямого тока – порядка 70 Ампер;
  • Тип корпуса диода in5822 – DO-27.

Ко всему перечисленному следует добавить, что предел рабочей температуры корпуса изделия задаётся показателем в 125 градусов.

Недостатки

Основной недостаток этого изделия заключается в том, что небольшая разность потенциалов на его переходе приводит к ограничению допустимого прямого падения напряжения, не превышающего 0,5 Вольта. При дальнейшем повышении его значения диоды этого типа превращаются в обычные выпрямительные элементы с кремниевой структурой и прямым падением 0,6-0,7 Вольта.

К минусам любых диодов с барьером Шоттки (включая in5822) также следует отнести их повышенную чувствительность к величине обратного напряжения. Даже кратковременное превышение этим показателям 40 Вольт приводит к необратимым последствиям в виде разрушения электронного перехода «металл-полупроводник».

В заключение обзора характеристик следует добавить, что обратный ток изделий с такими свойствами в значительной степени зависит от рабочей температуры перехода. При превышении ей допустимого значения может наступить тепловой пробой.

Видео

Оцените статью:

elquanta.ru