945 транзистор – c945 транзистор, C945 — datasheet, С945 транзистор биполярный

Транзистор КТ945 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ945

 

Параметры транзистора КТ945
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ945АBDY90, 2SC519A
КТ945Б2SC4886 *1, 2SC3284 *1, NTE328 *2, ECG328 *2, 2SC1440 *2
2Т945АMJ3281A *2, MJL3281A *3, 2SC3281R *3, 2SC3281 *3, 2SC3281F *3, 2SC3519A *3, 2SC2461A-R, 2SC3519 *1, BUY73 *2, SK9446 *3
2Т945В1714-1405 *3, 1714-1402 *3, BUY55, SDT85309,SDT7610,

SDT7150 *1, SDT85609 *1, SDT7B08 *1

Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ945А50 °C50*Вт
КТ945Б50 °C50*
КТ945В50 °C50*
КТ945Г50 °C50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ945А≥50МГц
КТ945Б≥50
КТ945В≥50
КТ945Г≥50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ945А10 Ом150*В
КТ945Б10 Ом150*
КТ945В10 Ом150*
КТ945Г10 Ом150*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ945А5В
КТ945Б5
КТ945В5
КТ945Г5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ945А15(25*)А
КТ945Б15(25*)
КТ945В10(25*)
КТ945Г15(25*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ945А150 В≤25*мА
КТ945Б150 В≤25*
КТ945В150 В≤25*
КТ945Г150 В≤25*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ945А7 В; 15 А10…60*
КТ945Б7 В; 15 А10…60
КТ945В7 В; 10 А10…60
КТ945Г7 В; 15 А10…60
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ945А30 В≤200пФ
КТ945Б30 В≤200
КТ945В30 В≤200
КТ945Г30 В≤200
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ945А≤0.17Ом, дБ
КТ945Б≤0.17
КТ945В≤0.25
КТ945Г≤0.17
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ945АДб, Ом, Вт
КТ945Б
КТ945В
КТ945Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ945А≤1.1 мкспс
КТ945Б≤1.1 мкс
КТ945В≤1.1 мкс
КТ945Г≤1.1 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серияПараметрНагрузка
РоссийскиеЗарубежныеPпот. мВт.tзд.р. нсЭпот. пДж.Cн. пФ.Rн. кОм.
К155 КМ1557410990150,4
К13474L13333504
К13174H226132250,28
К55574LS29,519152
К53174S19357150,28
К153374ALS1,244,8152
К153174F4312150,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)К155 (74)К531 (74S)
К155, КM155, (74)40108
К155, КM155, (74), буферная603024
К555 (74LS)2054
К555 (74LS), буферная601512
К531 (74S)501210
К531 (74S), буферная1503730

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

ПараметрУсловия измеренияК155К555К531К1531
Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,350,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мАI0вых= 8 мАI0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В2,43,5

2,73,4

2,73,4

2,7
I1вых= -0,8 мАI1вых= -0,4 мАI1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мАU1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В-18

-55

-100

-100-60-150

www.microshemca.ru

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серияПараметрНагрузка
РоссийскиеЗарубежныеPпот. мВт.tзд.р. нсЭпот. пДж.Cн. пФ.Rн. кОм.
К155 КМ1557410990150,4
К13474L13333504
К13174H226132250,28
К55574LS29,519152
К53174S19357150,28
К153374ALS1,244,8152
К153174F4312150,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)К155 (74)К531 (74S)
К155, КM155, (74)40108
К155, КM155, (74), буферная603024
К555 (74LS)2054
К555 (74LS), буферная601512
К531 (74S)501210
К531 (74S), буферная1503730

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

ПараметрУсловия измеренияК155К555К531К1531
Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,350,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мАI0вых= 8 мАI0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В2,43,5

2,73,4

2,73,4

2,7
I1вых= -0,8 мАI1вых= -0,4 мАI1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мАU1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В-18

-55

-100

-100-60-150

www.microshemca.ru