A708 транзистор – 1000 ШТ. 2SA708 A708 TO-92 PNP Транзистор УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ СРЕДНЯЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серияПараметрНагрузка
РоссийскиеЗарубежныеPпот. мВт.tзд.р. нсЭпот. пДж.Cн. пФ.Rн. кОм.
К155 КМ1557410990150,4
К13474L13333504
К13174H226132250,28
К55574LS29,519152
К53174S19357150,28
К153374ALS1,244,8152
К153174F4312150,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)К155 (74)К531 (74S)
К155, КM155, (74)40108
К155, КM155, (74), буферная603024
К555 (74LS)2054
К555 (74LS), буферная601512
К531 (74S)501210
К531 (74S), буферная1503730

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

ПараметрУсловия измеренияК155К555К531К1531
Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,350,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мАI0вых= 8 мАI0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В2,43,5

2,73,4

2,73,4

2,7
I1вых= -0,8 мАI1вых= -0,4 мАI1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мАU1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В-18

-55

-100

-100-60-150

www.microshemca.ru

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серияПараметрНагрузка
РоссийскиеЗарубежныеPпот. мВт.tзд.р. нсЭпот. пДж.Cн. пФ.Rн. кОм.
К155 КМ1557410990150,4
К13474L13333504
К13174H226132250,28
К55574LS29,519152
К53174S19357150,28
К153374ALS1,244,8152
К153174F4312150,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)К155 (74)К531 (74S)
К155, КM155, (74)40108
К155, КM155, (74), буферная603024
К555 (74LS)2054
К555 (74LS), буферная601512
К531 (74S)501210
К531 (74S), буферная1503730

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

ПараметрУсловия измеренияК155К555К531К1531
Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,350,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мАI0вых= 8 мАI0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В2,43,5

2,73,4

2,73,4

2,7
I1вых= -0,8 мАI1вых= -0,4 мАI1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мАU1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В-18

-55

-100

-100-60-150

www.microshemca.ru

Транзистор КТ708 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ708

 

Параметры транзистора КТ708
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
Структура —p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ708А5Вт
КТ708Б5
КТ708В5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ708А≥3МГц
КТ708Б≥3
КТ708В≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ708А1000 имп.100; 80*В
КТ708Б700 имп.80; 60*
КТ708В500 имп.60; 40*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ708А5В
КТ708Б5
КТ708В5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ708А2А
КТ708Б2
КТ708В2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ708АмкА
КТ708Б
КТ708В
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ708А≥500
КТ708Б≥700
КТ708В≥700
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ708А
пФ
КТ708Б
КТ708В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ708А≤1Ом, дБ
КТ708Б≤1
КТ708В≤1
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ708АДб, Ом, Вт
КТ708Б
КТ708В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ708Апс
КТ708Б
КТ708В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

A708 Даташит, A708 PDF Даташиты

производительНомер в каталогеКомпоненты ОписаниеПосмотреть
Usha Ltd A708Transistors

other parts : A708O  A708R  A708Y  2SA708  2SA708O  2SA708R  2SA708Y  

Usha Ltd A708OTransistors

other parts : A708  A708R  A708Y  2SA708  2SA708O  2SA708R  2SA708Y  

Usha Ltd A708RTransistors

other parts : A708  A708O  A708Y  2SA708  2SA708O  2SA708R  2SA708Y  

Usha Ltd A708YTransistors

other parts : A708  A708O  A708R  2SA708  2SA708O  2SA708R  2SA708Y  

ADDtek Corp A7083 CHANNELS 20mA ADVANCED CURRENT REGULATOR

other parts : A708YF  A708YFT  

ADDtek Corp A708YF3 CHANNELS 20mA ADVANCED CURRENT REGULATOR

other parts : A708  A708YFT  

ADDtek Corp A708YFT3 CHANNELS 20mA ADVANCED CURRENT REGULATOR

other parts : A708  A708YF  

ru.datasheetbank.com