Цоколевка 2n5551 – Транзисторы 2N5551 и 2N5401 — параметры, цоколевка.

Транзисторы 2N5551 и 2N5401 — параметры, цоколевка.

Транзисторы 2N5401.

Транзисторы 2N5551 — кремниевые, высокочастотные,высоковольтные, усилительные
структуры — p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92.

Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером
300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер
150в.

Максимальное напряжение коллектор — база
160в.

Максимальное напряжение эмиттер — база
5в.

Коэффициент передачи тока
— от 60 до 240.

Максимальный постоянный ток коллектора 0,3А, 0,6А —
пульсирующий.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА

— не выше 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА

— не выше 1в.

Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды
+25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в.
не более 50нА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серияПараметрНагрузка
РоссийскиеЗарубежныеPпот. мВт.tзд.р. нсЭпот. пДж.Cн. пФ.Rн. кОм.
К155 КМ1557410990150,4
К13474L13333504
К13174H226132250,28
К55574LS29,519152
К53174S19357150,28
К153374ALS1,244,8152
К153174F4312150,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)К155 (74)К531 (74S)
К155, КM155, (74)40108
К155, КM155, (74), буферная603024
К555 (74LS)2054
К555 (74LS), буферная601512
К531 (74S)501210
К531 (74S), буферная1503730

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

ПараметрУсловия измеренияК155К555К531К1531
Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,350,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мАI0вых= 8 мАI0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В2,43,5

2,73,4

2,73,4

2,7
I1вых= -0,8 мАI1вых= -0,4 мАI1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мАU1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В-18

-55

-100

-100-60-150

www.microshemca.ru

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серияПараметрНагрузка
РоссийскиеЗарубежныеPпот. мВт.tзд.р. нсЭпот. пДж.Cн. пФ.Rн. кОм.
К155 КМ1557410990150,4
К13474L13333504
К13174H226132250,28
К55574LS29,519152
К53174S19357150,28
К153374ALS1,244,8152
К153174F4312150,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)К155 (74)К531 (74S)
К155, КM155, (74)40108
К155, КM155, (74), буферная603024
К555 (74LS)2054
К555 (74LS), буферная601512
К531 (74S)501210
К531 (74S), буферная1503730

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

ПараметрУсловия измеренияК155К555К531К1531
Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,350,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мАI0вых= 8 мАI0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В2,43,5

2,73,4

2,73,4

2,7
I1вых= -0,8 мАI1вых= -0,4 мАI1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мАU1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В-18

-55

-100

-100-60-150

www.microshemca.ru

Импортный биполярный транзистор 2N5551 — описание, параметры и цоколевка

Характеристики транзистора 2N5551













Структура

npn

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база

180 В

Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер

160 В

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база

6 В

Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора

600mA

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)

310mW

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

80/250

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

100MHz

Ёмкость коллекторного перехода

6 пФ

Предельная температура PN-перехода

135 °С

Корпус транзистора

TO92

radiolibs.ru