Диод шоттки уго – ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации (ЕСКД). Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (с Изменениями N 1-4), ГОСТ от 16 августа 1973 года №2.730-73

Диоды шоттки отечественные справочник. Диод шоттки принцип работы. Обозначение диода шоттки на схеме

Диод Шоттки в электронных схемах

После изобретения первого полупроводникового прибора многие великие ученые исследовали свойства p-n перехода. Как вы уже догадались, это обычный диод, который можно увидеть в любой электронной схеме. На момент его изобретения это был элемент, который произвел настоящую революцию и изменил все представления о будущем электроники. Также без внимания не оставалась и технология его изготовления. Появился диод Зеннера и Ганна. Еще был изобретен диод Шоттки,обладающий интересными свойствами. Его использование в электронике не было таким сенсационным, как у его знаменитых “собратьев”. Особые свойства этого элемента ранее применялись в узкоспециализированных схемах и не находили широкого применения. Тем интереснее, что в последнее время диод Шоттки начал использоваться как основной элемент в импульсных источниках питания. Он работает практически во всех электронных бытовых приборох: телевизорах, магнитофонах, персональных компьютерах, ноутбуках и т.д.

Особые свойства прибора проявляются в низком падении напряжения на р-n переходе. Оно не превышает 0,4 Вольта. То есть по этому параметру он максимально приближен к идеальному элементу, который используется в расчетах. Правда, при напряжении более 50 вольт эти свойства пропадают. Но тем не менее, диод Шоттки стал широко использоваться в схемах с операционными усилителями. Питание таких схем не превышало 15 Вольт постоянного напряжения, что позволяло в полной мере воспользоваться свойствами этого прибора. Он мог стоять в цепи обратной связи в качестве ограничительного элемента или участвовать в работе регуляторов.

Кроме такого немаловажного свойства, как падение напряжения на p-n переходе, диод Шоттки обладает небольшой емкостью. Это позволяет ему работать в высокочастотных схемах. Практически “идеальные” свойства этого элемента не искажают сигнал высокой частоты. Именно поэтому его стали ставить в импульсные блоки питания, устройства связи и регуляторы.

Но кроме положительных качеств необходимо отметить и недостатки. Диоды Шоттки очень чувствительны даже к кратковременному превышению обратного напряжения от допустимого значения. Это приводит к выходу элемента из строя. В отличие от своих кремниевых “собратьев” он не восстанавливается. Тепловой пробой приводит либо к появлениям токов утечки, либо к “превращению” прибора в проводник.

Первая неисправность приведет к нестабильной работе всего электронного устройства. Ее достаточно сложно найти и устранить. Что касается теплового пробоя, то, например, в импульсном блоке питания это приведет к срабатыванию защиты от короткого замыкания. После замены неисправного элемента блок питания будет нормально работать.

Современная промышленность выпускает достаточно мощные диоды Шоттки. Импульсный ток в таких приборах может достигать 1,2 кА. Постоянный рабочий ток в некоторых типах доходит до 120 А. Такие приборы обладают широким токовым диапазоном и неплохими эксплуатационными характеристиками. Они с успехом применяются в бытовых приборах и промышленной электронике.

fb.ru

Универсальные и импульсные диоды: Диоды Шоттки

 

Диоды с барьером Шоттки (их также называют диоды Шоттки, а в специальной литературе и технической документации встречается аббревиатура ДБШ) — это полупроводниковые приборы, построенные на основе структуры металл-полупроводник. Такой электрический переход обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся:


  • пониженное падение напряжения при прямом включении,
  • высокий ток утечки,
  • очень маленький заряд обратного восстановления.

Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным \(p\)-\(n\)-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, т.е. они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.

Импульсные (высокочастотные) свойства диодов Шоттки определяются их граничной рабочей частотой: \(f_р = \cfrac{1}{2 \pi r_с C_б}\), где \(r_с\) — сопротивление перехода, \(C_б\) — барьерная емкость. В диодах Шоттки предельная частота значительно выше, чем у диодов на \(p\)-\(n\)-переходах. Это достигается как за счет технологии изготовления диодов, так и выбором оптимальной конструкции.

Диоды Шоттки изготавливаются обычно на основе кремния (Si) или арсенида галлия (GaAs), реже — на основе германия (Ge), а для приборов субмиллиметрового диапазона длинн волн находят применение такие материалы как фосфид индия (InP) и арсенид галлия-индия (InGaAs). Выбор металла для контакта с полупроводником определяет многие параметры диода. В первую очередь важна величина контактной разности потенциалов, образующейся на границе металл-полупроводник. При использовании диода Шоттки в качестве детектора она определяет его чувствительность, а при использовании в смесителях — необходимую мощность гетеродина. Поэтому чаще всего используются металлы Ag, Au, Pt, Pd, W, которые наносятся на полупроводник и дают величину потенциального барьера 0,2…0,9 эВ.

Диоды Шоттки используются для выпрямления малых напряжений высокой частоты, в высокочастотных смесителях, в ключах и коммутаторах, умножителях частоты и других быстродействующих импульсных цепях. Например, включение диода Шоттки между базой и коллектором биполярного транзистора, работающего в ключевом режиме, позволяет предотвратить накопление избыточных носителей заряда в базовой области транзистора, тем самым сократив время срабатывания ключа.

Часто переходы Шоттки вводят непосредственно в полупроводниковые структуры разных электронных приборов (биполярных и полевых транзисторов, тиристоров и т.д.) для улучшения их импульсных характеристик. Упомянутое выше, включение диода Шоттки между базой и коллектором биполярного транзистора можно реализовать на интегральном уровне, раширив контакт базы на коллекторную область — так называемый транзистор Шоттки, который широко используется в цифровых микросхемах и является основой логики ТТЛШ. Аналогичным образом в полевых транзисторах с управляющим переходом замена обычного p-n-перехода на переход Шоттки позволяет существенно улучшить импульсные и частотные характеристики (см. Полевые транзисторы Шоттки).

Прямая ветвь ВАХ у диодов Шоттки подчиняется экспоненциальному закону в широком диапазоне токов, что позволяет их использовать как прецизионные логарифмирующие элементы (см. Схемы логарифмирования сигналов).

Важной особенностью диодов Шоттки является меньшее прямое падение напряжения (примерно на 0,2 В) по сравнению с обычными диодами, что делает их очень удобными (более эффективными) для использования не только в импульсной, но и в силовой

xn—-7sbeb3bupph.xn--p1ai

Обсуждение:Диод Шоттки Википедия

Обозначение

УГО диода Шоттки не соответствует ГОСТ, там загогулины не такие.
93.183.213.222 12:58, 26 мая 2012 (UTC)antip

Аббревиатура

По поводу аббревиатуры
Диод с Барьером Шоттки наверняка будет ДБШ, а не ДШБ (Диот с Шоттки Барьером???)
да и чаще он ДШ, «Диод Шоттки».

Пруф 2:
сравните количество результатов в гугле, на запрос:
https://www.google.ru/search?q=диод+с+барьером+шоттки+»ДБШ»
и
https://www.google.ru/search?q=диод+с+барьером+шоттки+»ДШБ»

1060 результатов, против 97.
Да и разум подсказывает, что он именно ДБШ.
+ еще и опыт радиоэлектронщика вообще подсказывает, что он чаще ДШ.

Как вариант. Можно вообще выпилить аббревиатуру.

В чём разница с германиевыми?

Падение напряжения на диоде Шоттки при его прямом включении составляет 0,2—0,4 вольт...
Диоды Шоттки характеризуются повышенными (относительно обычных кремниевых p-n диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры...

Вроде, всё как у германиевых. Но германиевые вышли из употребления, а шоттки активно применяются. В чём существенная, принципиальная разница? Из статьи неспециалисту непонятно. Даже если фактически ответ в тексте есть — хорошо бы заострить на нём внимание, дать прямым ясным утверждением. А то всюду шоттки сравниваются только с обычными кремниевыми. —Michael MM (обс.) 06:16, 8 марта 2018 (UTC)

  • Ну допустим есть ещё и время выключения связанное с эффектом рассасывания заряда. В вики-статье это второй пункт «Достоинства». наверное надо сделать его первым пунктом по этим аргументам ? Halfcookie (обс.) 10:58, 8 марта 2018 (UTC)
  • Спасибо! Мне кажется, дело не в том, какой пункт. Любознательному читателю-непрофессионалу нужно конкретно указать. Как-то вроде: «Несмотря на сходство по некоторых параметрам с германиевыми диодами, важные различия состоят в том, что у диодов Шоттки — (а)…, (б)…, (в), а у германиевых — (а’)…, (б’)…, (в’), поэтому диоды Шоттки в тех случаях, где требуются их свойства, широко применяются, тогда как германиевые из употребления вышли». Чтобы, например, такому, как я, было понятно, почему когда нужно низкое прямое падение — ставят шоттку, а не германий. Ну, и всё прочее, Вам, как специалисту, виднее. Как раз-таки последним подразделом в разделе «Свойства диодов Шоттки», после «Достоинств» и «Недостатков». —Michael MM (обс.) 11:54, 8 марта 2018 (UTC)
  • Ну это скорее статью про германиевые полупроводники надо писать. Там же упомянуть про меньшую стоимость кремниевых полупроводников. А тут это будет, наверное, сильным отклонением от темы статьи. Halfcookie (обс.) 14:50, 8 марта 2018 (UTC)
  • Вам виднее. Я просто «дал обратную связь», как внимательный, заинтересованный читатель, но дилетант. Читаю, читаю про новый для себя предмет — ба, да это же совсем как старые добрые германиевые. Зачем же тогда было огород городить, одно на другое во всём мире заменять?.. Поискал, кстати, по всем смежным статьям — но не разобрался, тогда и тут отписался. А в статье про германиевые — подробное сравнение с шоттками тоже будет сильным отклонением от темы. Да и нет ещё той статьи, а эта — есть. Появится та — можно будет отсюда перенести, здесь внутреннюю ссылку оставить. Главное ведь, чтобы энциклопедия давала ясность на базовом уровне, в плане цельной связной картины. И сравнения тут очень важны. Это часто не учитывают, погружаются в частные детали. А основа познания — сравнение. (Извините за банальность, но это ведь так.) —Michael MM (обс.) 14:40, 9 марта 2018 (UTC)

wikiredia.ru

13.Туннельные диоды.

Т.д.
— это п/п д-д, в принципе раб которых исп
тунн эф преноса з-да ч/з потенц барьер
р-n
— перех.

Т.д.
отлич-ся высокой конц носителей примесей
(1019
атом/см3).
Благодаря чему обедненный слой станов
очень тонк это прив-т к появл тун эфф
прох носит заряда ч/з р-n
— перех.

ВАХ:

Т
.эфф действ-ет от отриц напр до Umin,
ч/з тун д-д протекает дифф ток,
экспоненциально зависящий от прилон
напр. Наклон падающ участка ВАХ опр
вел-ну дифф отриц сопр тунн д-да:
Rд=dU/dI≈∆U/∆I

Другими
параметрами явл-ся:

-ток
пика ВАХ Imax

-Umax
cоотв
напр

-Iminток падения
хар-ки

-Uminсоотв напр.

-отношение
Кi
= Imax
/Imin

-Uп
— мах напр допуст при работе т.д. в схеме
гене-ра

д
— емк диода.

Ток
в т.д. созд-ся осн носит, поэтому прибор
обл высоким быстродействием и может
раб на частотах до сотен ГГц.

Т.д.
хар-ся малой потр мощн, массой и габарит,
уст-ю к радиации, малым темп коэфф напр
и тока.

Схема
замещ и генератор на его основе:

14.Диоды Шоттки.

Кроме
полупроводниковых переходов сущ-ет
также переход “металл-полупроводник”,
который обозн-ся как m-p
и m-n,
в завис-ти от типа п/п-ка.

Осн-ые
матем-е соотн-я получил для них немецкий
ученый Шоттки, поэтому они названы в
его честь, а потенциальный барьер на
переходе “металл-полупроводник” наз-ся
барьером Шоттки.

Прямой
ток в них создается основными носителями
заряда. Накопление заряда в базе
отсутствует, а барьерная емкость мала
(доли пикофарад).

За
счет этого, предельная частота работы
составляет 10 ГГц. Их исп-ют в качестве
быстродейств логарифм эл-ов. Д.Ш. имеют
Uобр
до 500В, Iпр
до 10А,Uпр≈0,3В,
что озн-ет из высокий КПД; технолог их
пр-ва дешевая, однако коммутируемый ими
ток невелик, а допустимое обратное
напряжение ограничено.

15.Общие сведения от тр-рах.Маркировка.Уго.

Биполярным
транзистором наз-ся трехэлектродный
полупроводниковый прибор, имеющий 2 ЭДП
(электронно-дырочных перехода) и
предназначеный для усиления мощности.

В
завис-ти от чередования областей
различают p-n-p
и n-p-n.
Их п/п структура и УГО:

Одну
из крайних обл легируют п/п структуры
сильнее чем другую. Ее исп для инжектирования
носит заряда в средн обл и наз-ют
эмиттером. Дру-гая крайн обл наз-ся
коллектором, функц которого яв-ся сбор
носит заряда, пошедших ч/з базовую обл.
Пластина п/п явл основ конструкции и
наз-ся базой. Переходы обр с базой наз-ся
соотв эмиттерный(Э) и коллекторный(К).
В обоих типах тр функц слоев и пр-осих
действ аналог. Отличие их в том что измен
тип носит заряда, приход в базу. В p-n-p
–дырки, в n-p-n
– эл-ны. Букв-цифр маркировка аналогична
марк диода:

2)Буква
Т — биполярные П — полевые

3)Цифра
указ мощн и частотн св-ва :

Мал
1-низк част с fгр=3
МГц

мощн
2-средн част с fгр
от 3 до 30 МГц

Рк<0,3Вт
3-выс
част с fгр>30
МГц

Сред
1-низк част с fгр=3
МГц

мощн
2-средн част с fгр
от 3 до 30 МГц

Рк=0,3-1,5Вт
3-выс част с
fгр>30
МГц

Больш
1-низк част с fгр=3
МГц

мощн
2-средн част с fгр
от 3 до 30 МГц

Рк>1,5Вт
3-выс
част с fгр>30
МГц

studfiles.net

Сдвоенные диоды шоттки справочник. Диод Шоттки. Особенности и обозначение на схеме

Упаковка:
В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодных сборок в SOT323 и по 3000 в корпусе SOT23.

Диоды Шоттки от 1 Ампера

Маркировка диода Шоттки Макс. обратное напряжение Макс. ток Имп. прямой ток Макс. прямое напряжение Максимальный обратный ток Тип корпуса диода Характеристики диодаСкладЗаказ
SM5819 40В 25A 0,6В 1,0мА при 25°С и 10мА при 100°С MELF SS14 40В 30А 0,5В SMA SS16 60В 30А 0,7В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA S100 100В 30А 0,85В 0,5мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA MS120 200В 30А 0,9В 0,002мА при 25°С и 20мА при 125°С SMA SR24 40В 50A 0,5В SMA SR26 60В 50A 0,7В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA SX34 (SK34А) 40В 80А 0,5В 0,2мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SX36 60В 80А 0,75В 0,1мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SK34 40В 100А 0,5В 0,5 мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB310 (SK39 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB510 (SK59 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 10мА при 100°С SMC SVC10120VB 120В 10А 200А 0,79В 0,010мА TO-277B
Купить

Упаковка:
В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 5000 диодов Шоттки в TO-277B и MELF, по 3000 в SMC. В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1800 диодов Шоттки в SMA.

Быстрые диоды Шоттки

Упаковка:
В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодов Шоттки в SOD123FL.

Диод Шоттки еще одна разновидность типичного полупроводникового диода, его отличительная особенность это малое падение напряжения при прямом включении. Название свое он получил в честь немецкого физика изобретателя Вальтера Шоттки. В этих диодах в роли потенциального барьера применяется переход металл-полупроводник, а не p-n переход. Допустимое обратное напряжение диодов Шоттки обычно около 1200 вольт, например CSD05120 и его аналоги, на практике они используются в низковольтных цепях при обратном напряжении до нескольких десятков вольт.

На принципиальных схемах они обозначается почти как диод, мотри рисунок выше, но с небольшими графически

kgrant.ru

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковый диод — это полупроводниковый прибор с одним
электронно-дырочным переходом (основная часть) и двумя выводами. Примеры внешнего вида
диодов приведены на рис. 1.

Рис. 1. Полупроводниковые диоды.

По конструкции полупроводниковые диоды могут быть плоскостными и точечными.
Устройство плоскостного диода показано на рис. 2. К кристаллодержателю припаивается
пластинка полупроводника n-типа. Кристалложержатель – это металлическое
основание плоскостного диода. Сверху в пластинку полупроводника вплавляется капля
трёхвалентного металла, обычно индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в
полупроводниковую пластинку и образуют у её поверхности слой р-типа. Между
слоями р- и n-типов образуется электронно-дырочный переход (ЭДП). К кристаллодержателю и
индию припаиваются проводники, которые служат выводами диода. Для предохранения
диода от механических повреждений, попадания света, пыли и влаги на полупроводник,
его помещают в герметичный корпус.

На рис. 2 позиция 1 – это вывод р-области, позиция 2 – вывод n-области.

Рис. 2. Устройство плоскостного диода.

Точечный полупроводниковый диод состоит из пластинки полупроводника n-типа и
заострённой пружинки из вольфрама или фосфористой бронзы диаметром около 0,1 мм.
Через прижатую к полупроводниковой пластинке пружинку пропускают электрический ток
большой силы, в результате чего металлическая пружинка сваривается с полупроводниковой
пластинкой, образуя под своим остриём р-область. Между р-областью и полупроводником
n-типа возникает электронно-дырочный переход.

На рис. 3 приведены условные графические обозначения (УГО) различных диодов. Острая вершина
треугольника в УГО указывает на направление протекания прямого тока через диод. То есть
для того, чтобы диод пропускал ток, включать его нужно так, чтобы на основание треугольника
подавался «плюс» (или на прямолинейный отрезок подавался «минус»). Если включить диод в
обратном направлении, то он не будет пропускать ток (потому и называется полупроводником –
пропускает ток только в одном направлении). Пример включения диода показан на рис. 4.
Пример применения диода
можно увидеть на рис. 5.

Рис. 3. Условное графическое обозначение (УГО) диодов.

р-область диода (то есть вывод, на который в прямом направлении подаётся «плюс») носит
название анод. Противоположный вод называется катод.

Рис. 4. Включение диода.

tz-5133.narod.ru

2) Выпрямительный диод. Диод Шотки.

Рис.
1. Полупроводниковый выпрямительный
диод: а – условное графическое
изображение, б – идеальная вольт-амперная
характеристика, в – реальная вольт-амперная
характеристика

Диод
– двухэлектродный полупроводниковый
прибор с одним p–n-переходом, обладающий
односторонней проводимостью тока.

Работа
выпрямительного диода объясняется
свойствами электрического p–n-перехода.
Вблизи границы двух полупроводников
образуется слой, лишенный подвижных
носителей заряда (из-за рекомбинации)
и обладающий высоким электрическим
сопротивлением, – так называемый
запирающий слой. Этот слой определяет
контактную разность потенциалов
(потенциальный барьер).

Если
к p–n-переходу приложить внешнее
напряжение, создающее электрическое
поле в направлении, противоположном
полю электрического слоя, то толщина
этого слоя уменьшится и при напряжении
0,4 — 0,6 В запирающий слой исчезнет, а ток
существенно возрастет (этот ток называют
прямым).

При
подключении внешнего напряжения другой
полярности запирающий слой увеличится
и сопротивление p–n-перехода возрастет,
а ток, обусловленный движением неосновных
носителей заряда, будет незначительным
даже при сравнительно больших напряжениях.

Прямой
ток диода создается основными, а обратный
– неосновными носителями заряда.
Положительный (прямой) ток диод пропускает
в направлении от анода к катоду.

На
рис. 1 показаны условное графическое
обозначение (УГО) и характеристики
выпрямительных диодов (их идеальная и
реальная вольт-амперная характеристики).
Видимый излом вольт-амперной характеристики
диода (ВАХ) в начале координат связан
с различными масштабами токов и
напряжений в первом и третьем квадранте
графика. Два вывода диода: анод А и катод
К в УГО не обозначаются и на рисунке
показаны для пояснения.

На
вольт-амперная характеристика реального
диода обозначена область электрического
пробоя, когда при небольшом увеличении
обратного напряжения ток резко
возрастает.

Рис.
4. УГО и структура диода Шоттки: 1 –
низкоомный исходный кристалл кремния,
2 – эпитаксиальный слой высокоомного
кремния, 3 – область объемного заряда,
4 – металлический контакт

Диоды
Шоттки или более точно — диоды с барьером
Шоттки — это полупроводниковые приборы,
выполненные на базе контакта
металл-полупроводник, в то время как в
обычных диодах используется
полупроводниковый p-n-переход.

Вся
инфа в учебнике на стр. 105-108.

Отличительными
особенностями ДШ являются: высокое
быстродействие, малое падение напряжения
при прямом смещении (0,3-0,4В), высокий КПД
выпрямления и широкие возможности
использования в качестве доп. Элементов
в конструкциях различных транзисторов
и других п/п приборов с целью расширения
функциональных возможностей.

3) Биполярный транзистор: конструкция, схемы включения, Модель Эберса-Молла, её применение.

Конструкция
и схемы (билет 9, вопрос 2).

Для
анализа работы транзистора в схемах
Дж.Д.Эберс и Дж.Л.Молл в 1954 г . предложили
простые и удобные модели транзистора,
различные варианты которой широко
используются на практике. В эти модели
входят управляемые источники тока,
управляемые токами, учитывающие связь
между взаимодействующими p — n -переходами
в биполярном транзисторе. Эти модели
справедливы для всех режимов работы
транзистора. Простейшим вариантом
низкочастотной модели Эберса-Молла
является модель с идеальными p — n
-переходами и двумя источниками тока.
На рис. 3.11 представлена такая модель.

Здесь —
коэффициент передачи коллекторного
тока в инверсном режиме;-
токи, текущие через переходы

Билет
22.

studfiles.net

Диод Шоттки — это… Что такое Диод Шоттки?

Условное обозначение диода Шоттки НЕ по ГОСТ 2.730-73

Структура детекторного диода Шоттки : 1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка; 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт

Диод Шоттки (также правильно Шотки, сокращённо ДШ) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n перехода, как у обычных диодов). Допустимое обратное напряжение промышленно выпускаемых диодов Шоттки ограничено 250 В (MBR40250 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт.

Свойства диодов Шоттки

Достоинства

  • В то время, как обычные кремниевые диоды имеют прямое падение напряжения около 0,6—0,7 вольт, применение диодов Шоттки позволяет снизить это значение до 0,2—0,4 вольт. Столь малое прямое падение напряжения присуще только диодам Шоттки с максимальным обратным напряжением порядка десятков вольт, выше же падение напряжения становится сравнимым с аналогичным параметром кремниевых диодов, что ограничивает применение диодов Шоттки.
  • Барьер Шоттки (открыл нем. физик Вальтер Шоттки — Walter Schottky) также имеет меньшую электрическую ёмкость перехода, что позволяет заметно повысить рабочую частоту. Это свойство используется в интегральных микросхемах, где диодами Шоттки шунтируются переходы транзисторов логических элементов. В силовой электронике малое время восстановления позволяет строить выпрямители на частоты в сотни кГц и выше. Например, диод MBR4015 (15 В, 40 А), оптимизированный под высокочастотное выпрямление, нормирован для работы при dV/dt до 10 кВ/мкс.

Недостатки

  • при кратковременном превышении максимального обратного напряжения диод Шоттки необратимо выходит из строя (КЗ — короткое замыкание), в отличие от обычных кремниевых p-n диодов, которые переходят в режим обратимого[1] пробоя, и, при условии непревышения рассеиваемой на диоде максимальной мощности после падения напряжения, диод полностью восстанавливает свои свойства.
  • диоды Шоттки характеризуются повышенными (относительно обычных кремниевых p-n диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры кристалла. Для 30CPQ150 обратный ток при максимальном обратном напряжении изменяется от 0,12 мА при +25 °C до 6,0 мА при +125 °C. У низковольтных диодов в корпусах ТО220 обратный ток может превышать сотни миллиампер (MBR4015 — до 600 мА при +125 °C). При неудовлетворительных условиях теплоотвода у диодов Шоттки может возникнуть тепловая положительная обратная связь, приводящая к тепловому пробою его полупроводниковой структуры.

Номенклатура диодов Шоттки

Диоды Шоттки — составные части современных дискретных полупроводниковых приборов:

  • МОП-транзисторы со встроенным обратным диодом Шоттки (впервые выпущены компанией International Rectifier под торговой маркой FETKY в 1996) — основной компонент синхронных выпрямителей. В отличие от обычного МОП-транзистора, обратный диод которого отличается высоким прямым падением напряжения и посредственными временны́ми характеристиками (т.к. представляет из себя обычный диод на p-n переходе, образуемый областями стока и подложкой, объединённой с истоком), использование обратного диода Шоттки позволяет строить силовые синхронные выпрямители с частотой преобразования в сотни кГц и выше. Существуют приборы этого класса со встроенными драйверами затворов и устройствами управления синхронным выпрямлением.
  • Так называемые ORing-диоды и ORing-сборки — силовые диоды и диодные сборки, применяемые для объединения параллельных источников питания общей нагрузки в устройствах повышенной надёжности (логическое ИЛИ по питанию). Отличаются особо низким, нормируемым прямым падением напряжения. Например, специализированный миниатюрный диод MBR140 (30 В, 1 А) при токе 100 мА имеет прямое падение напряжения не более 360 мВ при +25 °C и 300 мВ при +85 °C. ORing-диоды характеризуются относительно большой площадью P-N перехода и низкими удельными плотностями тока.

Ссылки

  1. Статья «Полупроводниковый диод» в БСЭ

dvc.academic.ru