Диод высокочастотный – Высокочастотный диод — Википедия

VYSOKOChASTOTNYE_IMPUL_SNYE_DIODY_VARIKAPY

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ, ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ, ВАРИКАПЫ

Высокочастотные диоды

Высокочастотные диоды ‒ приборы универсального назначения. Они могут быть использованы для выпрямления, детектирования и других нелинейных преобразований электрических сигналов в диапазоне частот до 600 МГц. Высокочастотные диоды изготовля­ются, как правило, из германия или кремния и имеют точечную структуру. Конструкция точечного германиевого диода показана на рис. 6.8. Диод состоит из кристалла германия, припаянного к кристаллодержателю, контактного электрода в виде тонкой вольфрамо­вой проволочки и стеклянного баллона. Размеры кристалла состав­ляют 1х1х0,2 мм. Радиус области соприкосновения проволочки с германием обычно не превышает 5‒7 мкм.

Для получения р-п перехода диод в процессе изготовления под­вергают токовой формовке. С этой целью через него в прямом направлении пропускается кратковременный импульс тока вели­чиной до 400 мА. В результате формовки тонкий слой полупровод­ника, примыкающий к острию, приобретает дырочную проводи­мость, а на границе между этим слоем и основной массой пластин­ки возникает

р-п переход. Такая конструкция диода обеспечивает небольшую величину емкости р-п перехода (не более 1 пФ), что позволяет эффективно использовать диод на высоких частотах. Однако малая площадь контакта между частями полупроводника с проводимостью типа п и р не позволяет рассеивать в области р-п перехода значительные мощности. Поэтому точечные диоды менее мощные, чем плоскостные, и не используются в выпрямите­лях, рассчитанных на большие напряжения и токи. Они приме­няются, главным образом, в схемах радиоприемной и измеритель­ной аппаратуры, работающей на высоких частотах, а также в вы­прямителях на напряжения не выше нескольких десятков вольт при токе порядка десятков миллиампер.

Включение высокочастотных точечных диодов в схему прин­ципиально не отличается от включения плоскостных выпрямитель­ных диодов. Аналогичен и принцип работы точечного диода, осно­ванный на свойстве односторонней проводимости р-п перехода.

Типичная вольтамперная характеристика точечного диода по­казана на рис. 6.9,а. Обратная ветвь характеристики точечного диода значительно отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода.

Ввиду малой площади pn перехода обратный ток диода мал, участок насыщения невелик и не так резко выражен. При увеличении обратного напряжения обратный ток возрастает почти равномерно. Влияние температуры на величину обратного тока сказывается слабее, чем в плоскостных диодах, ‒ удвоение обратного тока происходит при приращении температуры на 15‒20°С (рис. 6.9,

б). Напомним (параграф 6.1), что в плоскостных р-п переходах обратный ток возрастает примерно в 2‒2,5 раза при повышении температуры на каждые 10°С.

Свойства высокочастотных диодов характеризуют параметры, аналогичные указанным в параграфе 6.1. Существенное значение для оценки свойств высокочастотных диодов имеют:

Общая емкость диода СД ‒ емкость, измеренная между выво­дами диода при заданных напряжении смещения и частоте.

Дифференциальное сопротивление rдиф ‒ отношение прираще­ния напряжения на диоде к вызвавшему его малому приращению тока.

Диапазон частотf ‒ разность предельных значений частот, при которых средний выпрямленный ток диода не менее заданной доли его значения на низшей частоте.

Высокочастотные точечные диоды могут быть использованы в схемах детектирования, в качестве ограничителей, нелинейных сопротивлений, коммутационных элементов и т. п.

В последние годы все большее применение находят диоды, осно­ванные на выпрямляющем действии контакта металл ‒ полупро­водник ‒ так называемые диоды Шоттки. В отличие от обычных точечных диодов, у которых контакт осуществляется прижимом металлической иглы, у диодов Шоттки контакт представляет собой тонкую пленку металла (золото, никель, алюминий, платина, вольфрам, молибден, ванадий и др.). Как было показано выше (параграф 3.8), приборы, использующие контакт металл ‒ полу­проводник, работают на основных носителях заряда, что позволяет существенно уменьшить их инерционность, а, следовательно, по­высить быстродействие. Время переключения диодов Шоттки из запертого состояния в открытое и наоборот определяется малой величиной барьерной емкости, которая обычно не превышает 0,01 пФ.

Основное преимущество диодов Шоттки по сравнению с диодами на р-п переходах ‒ возможность получения меньших значений прямого сопротивления контакта, так как металлический слой по этим свойствам превосходит любой, даже сильно легированный слой полупроводника.

Малое прямое сопротивление и небольшая емкость барьера Шоттки позволяет диодам работать на сверхвысоких частотах. Типичный диапазон рабочих частот составляет 5—250 ГГц, а время переключения — менее 0,1 нс. Обратные токи диодов Шоттки малы и составляют несколько микроампер. Обратные напряжения лежат в интервале 10…1000 В.

Следует отметить, что диоды Шоттки получили распространение сравнительно недавно (в начале 70-х годов), хотя их теория насчи­тывает более 50 лет. Это объясняется тем, что лишь в последние годы, благодаря совершенствованию технологии производства по­лупроводниковых приборов и интегральных микросхем, удалось получить барьеры Шоттки с характеристиками и параметрами, близкими к идеальным.

Импульсные диоды

Импульсные диоды предназначены для работы в быстродейству­ющих импульсных схемах с временем переключения 1 мкс и менее. При столь коротких рабочих импульсах приходится учитывать инерционность процессов включения и выключения диодов и при­нимать конструктивно-технологические меры, направленные на снижение барьерной емкости и сокращение времени жизни нерав­новесных носителей заряда в области р-п перехода.

По способу изготовления р-п перехода импульсные диоды подразделя­ются на точечные, сплавные, сварные и диффузионные (меза и планарные). Устройство диодов указанных групп показана на рис. 6.10.

Конструкция точечных импульсных диодов (рис. 6.10,а) практически не отличается от конструкции обычных высокочастотных диодов. В некоторых случаях для улучшения характеристик диода на острие контактной иглы наносят примесь (обычно индий или алюминий), образующую акцепторные центру в германии и кремнии n-типа. В процессе электроформовки приконтактная область полупроводника сильно нагревается и непосредственно под острием иглы образуется небольшая по размерам р-область.

В сплавных диодах (рис. 6.10, б) р−п переход получают вплавлением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. Граница между исходным монокристаллом и сильно легированным р-слоем представляет собой р−п переход. Обычно такой метод используется при изготовлении кремниевых импульсных диодов. При создании аналогичных германиевых диодов вместо метода сплавления используют метод импульсной сварки (рис. 6.10,

в). В этом случае к кристаллу германия подводится тонкая золотая (с присадкой галлия) игла и через полученный контакт пропускается импульс тока большой амплитуды, в результате чего конец золотой иглы сваривается с германием.

Наиболее быстродействующие импульсные диоды получают методом диффузии донорных или акцепторных примесей в твердый полупроводник.

Проникая на некоторую глубину полупроводника, диффундирующие атомы меняют тип проводимости этой части кристалла, вследствие чего возникает рп переход. После получения диффузионной структуры осуществляют химиче­ской травление поверхности полупроводника, после которого рп

переход сохраняется только внутри небольшой области, которая возвышается над остальной поверхностью в виде столика (меза). Такой вид кристалла называют мезаструктурой (рис. 6.10, г). Емкость рп переходов мезадиодов ниже, а напряжение пробоя выше, чем у сплавных или сварных диодов. Время переключения мезадиодов не превышает 10 пс.

Весьма перспективными являются диоды, полученные при помощи планарно-эпитаксиальной технологии (рис. 6.10, д). При их изготовлении примесь вводится в полупроводник (обычно кремний) локально через «окна» в защитной окисной пленке SiO2. Получающиеся при этом рп переходы отличаются высокой стабильностью параметров и надежностью.

Простейшая схема включения импульсного диода приведена на рис. 6.11,

а. Под воздействием входного импульса положитель­ной полярности (рис. 6.11, б) через диод протекает прямой ток, величина которого определяется амплитудой импульса, сопротив­лением нагрузки и сопротивлением открытого диода. Если на диод, через который протекает прямой ток, подать обратное на­пряжение так, чтобы его запереть, то диод запирается не мгновен­но (рис. 6.11, в).

Рис. 6.11. Схема включения (а) и осциллограммы

входного напряжения (б) и тока (в) импульсного диода

В первый момент наблюдается резкое увеличение обратного тока I1 через диод и лишь постепенно с течением времени он уменьшается и достигает установившегося значения Iобр. Ука­занное явление связано со спецификой работы рп перехода и пред­ставляет собой проявление так называемого

эффекта накопления. Сущность этого эффекта состоит в следующем. Во время протека­ния прямого тока через рп переход осуществляется инжекция носителей. В результате инжекции в непосредственной близости к переходу создается концентрация неосновных неравновесных но­сителей, которая во много раз превышает концентрацию равновес­ных неосновных носителей в области рп перехода: чем больше кон­центрация неосновных носителей, тем больше обратный ток. Время жизни неравновесных носителей ограничено постепенно их кон­центрация уменьшается как за счет рекомбинации, так и за счет ухода через рп переход. Поэтому через некоторое время (τв на рис. 6.11,в) неравновесные неосновные носители исчезнут; обратный ток восстановится до нормального значения Iобр.

Основной характеристикой импульсных диодов является их

переходная характеристика. Она отражает процесс восстановле­ния обратного тока и обратного сопротивления диода при воздей­ствии на него импульсного напряжения обратной полярности (см. рис. 6.11, в).

Основные параметры импульсных диодов:

Время восстановления обратного сопротивления τв интервал времени от момента прохождения тока через нуль после переключе­ния диода с заданного прямого тока в состояние заданного обрат­ного напряжения до момента достижения обратным током задан­ного низкого значения.

Заряд переключения Qпк часть накопленного заряда, выте­кающая во внешнюю цепь при изменении направления тока с пря­мого на обратное.

Общая емкость СД емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении смещения и частоте.

Импульсное прямое напряжение Uпр.и пиковое значение пря­мого напряжения на диоде при заданном импульсе прямого тока.

Импульсный прямой ток Iпр.и пиковое значение импульса прямого тока при заданной длительности, скважности и форме.

Для импульсных диодов указывают также величину постоянного прямого напряжения Uпр при протекании постоянного тока Iпр и величину обратного тока Iобр при заданной величине обратного напряжения Uобр. Предельные режимы определяются величиной максимально допустимого постоянного обратного напряжения Uобр.max, максимально допустимой величиной импульсного обрат­ного напряжения Uобр.и.max, а также величинами максимально допустимого постоянного прямого тока Iпр.max и максимально до­пустимого импульсного прямого тока Iпр.и.max.

Импульсные диоды широко применяются в импульсных схемах самого различного назначения, например в логических схемах электронных цифровых вычислительных машин.

Варикапы

Варикапами называют полупроводниковые диоды, у которых используется барьерная емкость запертого р-п перехода, зависящая от величины приложенного к диоду обратного напряжения. Кон­струкция варикапа показана на рис. 6.12. В кристалл кремния 5 с одной его стороны вплавлен в вакууме алюминиевый столбик 4 для получения р-п перехода, а с другой стороны − сплав золото − сурьма для получения омического контакта 6. Эта структура вплав­ляется в вакууме в коваровый золоченый кристаллодержатель 7. К алюминиевому столбику прикреплен внутренний вывод 2. Соеди­нение кристаллодержателя с баллоном 3 и выводом 1 осуществляет­ся сплавлением в водороде.

Для использования свойств варикапа к нему необходимо под­вести обратное напряжение (рис. 6.13).

Как известно, при отсутствии внешнего напряжения между p и n− областями существуют контактная разность потенциалов (потенциальный барьер) и внутреннее электрическое поле. Если к диоду приложить обратное напряжение Uобр (рис. 6.14, а), то высота, потенциального барьера между p и n− областями возрастет на величину приложенного напряжения (рис. 6.14, б), возрастет и напряженность электрического поля в р-п переходе. Внешнее обратное напряжение отталкивает электроны глубже внутрь nоб­ласти, а дырки − внутрь р-области. В результате происходит рас­ширение области р-п перехода и тем больше, чем выше напряжение Uобр (на рис. 6.14, б и в).

Таким образом, изменение обратного напряжения, приложен­ного к р-п переходу, приводит к изменению барьерной емкости между p и n− областями. Величина барьерной емкости диода С может быть определена из формулы

где е − относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника;

S − площадь р-п перехода; d − ширина р-п перехода.

Формула (6.3) аналогична формуле для емкости плоского кон­денсатора. Однако, несмотря на сходство этих формул, между барьерной емкостью и емкостью конденсатора имеется принци­пиальное различие. В обычном конденсаторе расстояние между его пластинами, а следовательно, и его емкость не зависят от на­пряжения, приложенного к конденсатору. Ширина же р-п пере­хода зависит от величины приложенного к нему напряжения, сле­довательно, барьерная емкость зависит от напряжения: при воз­растании запирающего напряжения ширина р-п перехода увеличи­вается, а его барьерная емкость уменьшается.

Основной характеристикой варикапа является зависимость его емкости от величины обратного напряжения (вольтфарадная ха­рактеристика). Типичная характеристика С = f (Uобр) пока­зана на рис. 6.15. В зависимости от назначения величина номиналь­ной емкости варикапов может быть в пределах от нескольких пикофарад до сотен пикофарад. Зависимость емкости варикапа от при­ложенного напряжения определяется технологией изготовления р-п перехода.

Параметры варикапов:

Номинальная емкость Сном − емкость между выводами вари­капа при номинальном напряжении смещения (обычно UCM = 4 В).

Максимальная емкость Сmax − емкость варикапа при заданном напряжении смещения.

Минимальная емкость Сmin − емкость варикапа при заданном максимальном напряжении смещения.

тельных контуров

Коэффициент перекрытия Кo − отношение максимальной емкости диода к минимальной.

Добротность Q − отношение реактивного сопротивления ва­рикапа к полному сопротивлению потерь, измеренное на номиналь­ной частоте при температуре 20OС.

Максимально допустимое напряжение Umax − максимальное мгновенное значение переменного напряжения, обеспечивающее заданную надежность при длительной работе.

Температурный коэффициент емкости (ТКЕ) − отношение от­носительного изменения емкости при заданном напряжении к вы­звавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.

Максимально допустимая мощность Рmax − максимальное зна­чение мощности, рассеиваемой на варикапе, при котором обеспе­чивается заданная надежность при длительной работе.

Основное применение варикапа − электронная настройка коле­бательных контуров. На рис. 6.16, а приведена схема включения варикапа в колебательный контур. Контур образован индуктив­ностью L и емкостью варикапа СB. Разделительный конденсатор Ср служит для того, чтобы индуктивность L не закорачивала ва­рикап по постоянному току. Емкость конденсатора Ср должна быть в несколько десятков раз больше емкости варикапа.

Управляющее постоянное напряжение U подается на варикап с потенциометра R2 через высокоомный резистор R1. Перестройка контура осуществляется перемещением движка потенциомет­ра R2.

Данная схема имеет существенный недостаток − напряжение высокой частоты влияет на варикап, изменяя его емкость. Это ве­дет к расстройке контура. Включение варикапов по схеме, показан­ной на рис. 6.16, б, позволяет значительно уменьшить расстройку контура при действии переменного напряжения. Здесь варикапы включены по высокой частоте последовательно навстречу друг другу. Поэтому при любом изменении напряжения на контуре ем­кость одного варикапа увеличивается, а другого уменьшается. По постоянному напряжению варикапы включены параллельно.

9

studfiles.net

§2. Высокочастотные диоды.

Высокочастотные диоды предназначены для работы на частотах до 1000 МГц. На таких частотах могут работать только диоды с малой емкостью перехода (не более 1-2 пФ). Поэтому в качестве высокочастотных в большинстве случаев используют точечные диоды. Поскольку высокочастотные диоды могут хорошо работать и на низких частотах, т.е. в широком диапазоне частот, их называют также универсальными.

Из-за малой площади перехода максимально допустимый Iпр.у высокочастотных диодов обычно не превышает несколько десятков мА. Максимально допустимоеUобр. также невелико – десятки В.

Т.к. высокочастотные диоды могут применятся в преобразователях частоты и в других нелинейных устройствах, важным параметром для них является дифференциальное Rпр.или сопротивление переменному току, представляющее собой отношение малого приращенияUпр.к вызванному этим приращением приростуIпр.:

rдиф.=dUпр./dIпр.≈ ΔUпр./ΔIпр

Дифференциальное сопротивление следует отличать от сопротивления диода постоянному току, которое определяется, как было отмечено ранее, отношением UкIв заданной точке характеристики:

Rстат.=Uпр./Iпр.

Из рис. 4 видно, что Rдиф.диода, определяемое наклоном касательной 1 в данной точке А характеристики, всегда меньше сопротивления постоянному току, определяемого наклоном прямой 2, проходящей через начало координат и эту же точку:

Rдиф.<Rст.

Rдиф.точечных диодов имеет порядок единиц – десятков Ом, аRст.десятков – сотен Ом. ПосколькуR диф.диодов в сильной мере зависит отIпр., при котором оно определяется, в справочниках обычно приводят зависимостиRдиф.отIпр..

§ 3. Импульсные диоды.

Импульснымназывается диод с малой длительностью переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

Импульсные диоды работают в различных электронных схемах в качестве электронного ключа (рис. 5).

На диод, соединенный последовательно с нагрузкой, подается импульсное напряжение. При положительном импульсе диод находится под прямым напряжением, его сопротивление мало (ключ замкнут), через нагрузку протекает ток. При отрицательном импульсе к VDприложеноUобр., его сопротивление велико (ключ разомкнут), тока в нагрузке нет. Длительность импульсов может быть очень мала. Тогда для нормальной работы схемы, диод должен очень быстро переходить из одного состояния в другое. Однако это затруднено инерционностью диода, т.к. при смене полярности, с прямой на обратную, сопротивление диода не может мгновенно измениться отRпр. доRобр., требуется определенное время.

Интервал времени от момента переключения диода с прямого напряжения на обратное, в течение которого Rобр.перехода полупроводникового диода восстановится до постоянного значения, называется временем восстановления обратного сопротивления и обозначается τвосст.

На импульс Iобр.оказывает также влияние емкость диода Сд. При переходе наUобр.эта емкость заряжается и ток заряда повышает импульсIобр.. Понижение τвосст. в импульсных диодах достигается в основном путем ускорения процесса рекомбинации в базе (примесьAuв базе), а также понижением емкости диода (применение микросплавных переходов). Значительное понижение τвосст.дает использование диода с контактом металл — полупроводник (диоды Шотки). Эти диоды работают без инжекции не основных носителей в базу, а значит, у них нет накопления и рассасывания этих носителей в базе. Инерционность диодов Шотки обусловлена лишь их емкостью.

studfiles.net

Высокочастотный диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Высокочастотный диод

Cтраница 1


Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению р-и-перехода, состояние выключено — обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода.  [2]

Высокочастотные диоды характеризуются теми же параметрами номинальных и предельных режимов работы, что и выпрямительные диоды. Кроме того, высокочастотные диоды часто характеризуются дифференциальным ( внутренним) сопротивлением и коэффициентом шума. Шумовые свойства диода можно характеризовать величиной эквивалентного омического сопротивления R3KB, мощность тепловых шумов которого равна мощности шума диода.  [3]

Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению / ьл-перехода, состояние выключено — обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода.  [5]

Высокочастотные диоды предназначены для работы в различных схемах преобразования элекрических сигналов в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц. Точечные диоды отличаются от плоскостных более сложными процессами, протекающими в них при выпрямлении. В большинстве случаев основой точечных диодов служиг кристалл германия, в который упирается тонкая металлическая игла. Точечный контакт получают путем специальной формовки. Через диод пропускается несколько сравнительно мощных, но-коротких импульсов прямого тока. При этом возникает сильный местный нагрев контакта и происходит сплавление кончика иглы с полупроводником. Процесс формовки сопровождается изменением типа электропроводности части исходного полупроводника, которая примыкает к контакту. В месте контакта иглы и полупроводниковой пластины возникает р-л-переход.  [6]

Высокочастотные диоды предназначены для выпрямления и детектирования сигналов в диапазоне частот до 600 Мгц. Они изготавливаются, как правило, из германия или кремния и имеют точечную структуру.  [7]

Высокочастотные диоды применяются для детектирования ( выпрямления токов высокой частоты), модуляции, преобразования частоты, а также в маломощных измерительных схемах.  [9]

Высокочастотные диоды применяют для детектирования ( выпрямления токов высокой частоты), модуляции, преобразования частоты, а также в маломощных измерительных схемах.  [10]

Высокочастотные диоды являются приборами универсального назначения. Они могут быть использованы для выпрямления токов в широком диапазоне частот ( до сотен МГц), детектирования, модуляции и других нелинейных преобразований электрических сигналов. Свойства высокочастотных диодов характеризуют следующие параметры.  [11]

Высокочастотные диоды могут работать в различных схемах преобразования электрических сигналов вплоть до частот порядка нескольких сотен мегагерц. В этой группе диодов в большинстве случаев используется точечный переход. Полупроводниковый диод с точечным переходом обычно называется точечным диодом.  [12]

Высокочастотные диоды являются универсальными приборами. Они могут работать в выпрямителях переменного тока широкого диапазона частот ( до нескольких сотен мегагерц и даже до десятков гигагерц), а также в модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов.  [13]

Германиевые точечные высокочастотные диоды могут иметь обратное напряжение до 350 В и прямой ток до 100 мА при Unp 1 — 2 В. Барьерная емкость точечных германиевых диодов мала ( около 1 пФ), но при СВЧ они применяться не могут из-за эффекта накопления. При частоте выше 150 МГц инжектированные носители заряда за время действия обратного напряжения не успевают ре-комбинировать и уйти из базы.  [14]

Высокочастотные диоды ранних разработок содержат точечный р-л-переход ( § 1.3), в связи с чем до настоящего времени за ними сохранилось название точечные.  [15]

Страницы:      1    2    3    4

www.ngpedia.ru

Высокочастотный диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2

Высокочастотный диод

Cтраница 2

Для высокочастотных диодов большую роль играет емкость между анодом и катодом Сак.  [16]

Для высокочастотных диодов и маломощных кенотронов перед первым элементом обозначения указывают округленно напряжение накала в вольтах.  [17]

В высокочастотных диодах размеры электродов составляют иногда от единиц до десятков микрометров. Внутренние выводы от таких электродов выполняют в виде очень тонкой проволоки, иногда в несколько микрометров. Такую проволоку трудно изготовить строго одного сечения по длине, что может обусловить перегорание внутреннего вывода даже при нормальных нагрузках по току. К перегоранию может привести и излишняя длина внутреннего вывода, так как по длине проволоки возникают значительные перепады температур.  [18]

В высокочастотных диодах размеры электродов составляют иногда единицы — десятки микрон. Внутренние выводы от таких электродов выполняют в виде очень тонкой проволоки, иногда в несколько микрон. Такую проволоку трудно изготовить строго одного сечения по длине, что может обусловить перегорание внутреннего вывода даже при нормальных нагрузках по току. К перегоранию может привести и излишняя длина внутреннего вывода, так как по длине проволоки возникают значительные перепады температуры.  [19]

В высокочастотных диодах размеры электродов составляют иногда от единиц до десятков микрометров. Внутренние выводы от таких электродов выполняют в виде очень тонкой проволоки, иногда в несколько микрометров. Такую проволоку трудно изготовить строго одного сечения по длине, что может обусловить перегорание внутреннего вывода даже при нормальных нагрузках по току. К перегоранию может привести и излишняя длина внутреннего вывода, так как по длине проволоки возникают значительные перепады температур.  [20]

Исключение составляют высокочастотные диоды, имеющие очень маленький корпус и тонкие проволочные выводы. Их маркируют комбинацией цветовых меток. При маркировке указывают товарный знак завода-изготовителя, тип диода и дату выпуска.  [21]

Статическими параметрами высокочастотных диодов являются те же параметры, что и у низкочастотных выпрямительных диодов.  [22]

Основным параметром высокочастотных диодов является статическая емкость Сд между внешними выводами.  [23]

Основным параметром высокочастотных диодов является его частотный диапазон, в пределах которого диод может эффективно выполнять свои функции.  [24]

Параллельное включение высокочастотных диодов требует включения последовательно с каждым диодом выравнивающего резистора или индуктивности, что ведет к ухудшению частотных свойств диодов и к снижению КПД выпрямителя.  [25]

В качестве высокочастотных диодов обычно используют точечные диоды. Зато емкость перехода составляет не более 1 пФ, а диапазон рабочих частот определяется несколькими сотнями мегагерц.  [26]

В качестве высокочастотных диодов обычно используют точечные диоды. Так как площадь p — n — перехода у точечных диодов относительно мала, то емкость перехода составляет не более 1 пФ, а диапазон рабочих частот опеределяется несколькими сотнями мегагерц, в то же время эти диоды имеют значительно меньшую максимально допустимую мощность рассеяния по сравнению с плоскостными диодами и допускают меньшие выпрямленные токи.  [27]

Основным параметром высокочастотных диодов является емкость между выводами. Снижение емкости диодов позволяет повысить скорость переключения и расширить диапагон рабочих частот. На очень высоких частотах максимальные амплитуды прямого и обратного токов становятся практически одинаковыми и диод теряет выпрямительные свойства. По диапазонам рабочих частот высокочастотные диоды делятся на две подгруппы: диоды, рассчитанные на рабочие частоты до 300 Мгц, и диоды, рассчитанные на рабочие частоты от 300 до 1 000 Мгц.  [28]

При использовании вакуумных высокочастотных диодов сопротивление выключателя в проводящем состоянии имеет величину порядка 2 — 5 ком, сопротивление в непроводящем состоянии — порядка 103 Мом. Небольшое раз-чичие между характеристиками диодов компенсируется эегулировкой ползунка потенциометра РЫ, потенцио-летр для обычных вакуумных высокочастотных диодов шеет сопротивление около 1 — 2 ком.  [29]

Для изготовления импульсных и высокочастотных диодов используют германий и кремний. Преимуществом диодов из германия является малое значение падения напряжения на диоде при прямом смещении, что существенно при работе диодов при малых сигналах.  [30]

Страницы:      1    2    3    4

www.ngpedia.ru

Высокочастотный диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Высокочастотный диод

Cтраница 1


Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению р-и-перехода, состояние выключено — обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода.  [2]

Высокочастотные диоды характеризуются теми же параметрами номинальных и предельных режимов работы, что и выпрямительные диоды. Кроме того, высокочастотные диоды часто характеризуются дифференциальным ( внутренним) сопротивлением и коэффициентом шума. Шумовые свойства диода можно характеризовать величиной эквивалентного омического сопротивления R3KB, мощность тепловых шумов которого равна мощности шума диода.  [3]

Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние включено соответствует прямому смещению / ьл-перехода, состояние выключено — обратному. Чем меньше их диффузионная емкость, тем быстрее протекают переходные процессы в диоде, тем меньше время переключения т, тем больше быстродействие. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей, что достигается увеличением удельной проводимости базы диода.  [5]

Высокочастотные диоды предназначены для работы в различных схемах преобразования элекрических сигналов в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц. Точечные диоды отличаются от плоскостных более сложными процессами, протекающими в них при выпрямлении. В большинстве случаев основой точечных диодов служиг кристалл германия, в который упирается тонкая металлическая игла. Точечный контакт получают путем специальной формовки. Через диод пропускается несколько сравнительно мощных, но-коротких импульсов прямого тока. При этом возникает сильный местный нагрев контакта и происходит сплавление кончика иглы с полупроводником. Процесс формовки сопровождается изменением типа электропроводности части исходного полупроводника, которая примыкает к контакту. В месте контакта иглы и полупроводниковой пластины возникает р-л-переход.  [6]

Высокочастотные диоды предназначены для выпрямления и детектирования сигналов в диапазоне частот до 600 Мгц. Они изготавливаются, как правило, из германия или кремния и имеют точечную структуру.  [7]

Высокочастотные диоды применяются для детектирования ( выпрямления токов высокой частоты), модуляции, преобразования частоты, а также в маломощных измерительных схемах.  [9]

Высокочастотные диоды применяют для детектирования ( выпрямления токов высокой частоты), модуляции, преобразования частоты, а также в маломощных измерительных схемах.  [10]

Высокочастотные диоды являются приборами универсального назначения. Они могут быть использованы для выпрямления токов в широком диапазоне частот ( до сотен МГц), детектирования, модуляции и других нелинейных преобразований электрических сигналов. Свойства высокочастотных диодов характеризуют следующие параметры.  [11]

Высокочастотные диоды могут работать в различных схемах преобразования электрических сигналов вплоть до частот порядка нескольких сотен мегагерц. В этой группе диодов в большинстве случаев используется точечный переход. Полупроводниковый диод с точечным переходом обычно называется точечным диодом.  [12]

Высокочастотные диоды являются универсальными приборами. Они могут работать в выпрямителях переменного тока широкого диапазона частот ( до нескольких сотен мегагерц и даже до десятков гигагерц), а также в модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов.  [13]

Германиевые точечные высокочастотные диоды могут иметь обратное напряжение до 350 В и прямой ток до 100 мА при Unp 1 — 2 В. Барьерная емкость точечных германиевых диодов мала ( около 1 пФ), но при СВЧ они применяться не могут из-за эффекта накопления. При частоте выше 150 МГц инжектированные носители заряда за время действия обратного напряжения не успевают ре-комбинировать и уйти из базы.  [14]

Высокочастотные диоды ранних разработок содержат точечный р-л-переход ( § 1.3), в связи с чем до настоящего времени за ними сохранилось название точечные.  [15]

Страницы:      1    2    3    4

www.ngpedia.ru

Высокочастотный диод — с русского

См. также в других словарях:

  • Высокочастотный диод — применяется для линейных или нелинейных преобразований высокочастотных сигналов до 600 МГц. (СВЧ диоды до 12 ГГц.) Он используется в схемах детекторов  это выпрямители высокочастотных сигналов. Для нормальной работы, чтобы сохранить… …   Википедия

  • высокочастотный диод — aukštadažnis diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. high frequency diode vok. Hochfrequenzdiode, f rus. высокочастотный диод, m pranc. diode à haute fréquence, f …   Fizikos terminų žodynas

  • Pin диод — Функциональная структура pin диода …   Википедия

  • Hochfrequenzdiode — aukštadažnis diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. high frequency diode vok. Hochfrequenzdiode, f rus. высокочастотный диод, m pranc. diode à haute fréquence, f …   Fizikos terminų žodynas

  • aukštadažnis diodas — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. high frequency diode vok. Hochfrequenzdiode, f rus. высокочастотный диод, m pranc. diode à haute fréquence, f …   Fizikos terminų žodynas

  • diode à haute fréquence — aukštadažnis diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. high frequency diode vok. Hochfrequenzdiode, f rus. высокочастотный диод, m pranc. diode à haute fréquence, f …   Fizikos terminų žodynas

  • high frequency diode — aukštadažnis diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. high frequency diode vok. Hochfrequenzdiode, f rus. высокочастотный диод, m pranc. diode à haute fréquence, f …   Fizikos terminų žodynas

  • Радиолампы производства СССР/России — Металлокерамический генераторный триод ГС 9Б с воздушным охлаждением (СССР) …   Википедия

  • Отечественные радиолампы — Радиолампы (электронные лампы), выпускавашиеся в СССР и выпускаемые ныне в России. Содержание 1 Заводы изготовители 2 Система обозначения 3 Типы …   Википедия

  • Модулятор — См. также: Демодулятор Содержание 1 Виды модуляторов 2 Применение 3 См. также …   Википедия

  • Импульсный стабилизатор напряжения — Импульсный стабилизатор напряжения  это стабилизатор напряжения, в котором регулирующий элемент работает в ключевом режиме[1], то есть большую часть времени он находится либо в режиме отсечки, когда его сопротивление максимально, либо в… …   Википедия

translate.academic.ru

Статьи — Электроника — Основы

Высокочастотные (ВЧ) диоды применяются в основном в качестве детекторов ВЧ сигналов, ограничителей напряжения, нелинейных сопротивлений и коммутационных элементов. Они имеют точечную структуру (рис.21), так как эффективность выпрямления ВЧ сигнала (детектирования) существенно возрастает при уменьшении площади выпрямляющего контакта и при снижении времени жизни неосновных носителей заряда [10].
Рис. 21. Точечный высокочастотный диод
Выпускаются как германиевые точечные диоды, например, Д2, Д9-14, характеризующиеся широким спектром выпрямленных токов (3–5мА) и обратных напряжений (10–150В), так и кремниевые, например Д101–106, с параметрами соответственно 10–30мА и 30–100В, и функционирующие в ВЧ устройствах в диапазоне частот до 150МГц.

Следует отметить, что вышерассмотренные плоскостные быстродействующие импульсные диоды, в частности, Д219, Д220, КД503, КД510 и другие, могут успешно конкурировать в ВЧ схемах с точечными диодами. Так как площадь p-n-перехода у точечных диодов мала, то емкость перехода составляет не более 1пФ в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц. Коэффициент выпрямления (детектирования) диодов определяется следующей формулой [8]:

(32)

где Uпр – падение напряжения на диоде при протекании прямого тока Iд ; rобр.д. и rпр.д. – сопротивления диода для постоянного тока при номинальных значениях обратного и прямого напряжений соответственно; C0 – эквивалентная емкость диода, которая для малого сигнала приблизительно равна зарядной емкости p-n перехода; rS – последовательное сопротивление областей полупроводникового кристалла и выводов диода; w – частота сигнала.

Типичные ВАХ точечных диодов и их аппроксимации при определении прямого rобр.д. и rпр.д. сопротивлений диодов изображены на рис. 22.

Из формулы (32) ясно видно, что эффективность выпрямления возврастатет при уменьшении емкости C0, т. е. при использовании точечного p-n перехода. Кроме того, полупроводниковый материал берется низкоомным, чтобы уменьшить rS.

solo-project.com