Электронные компоненты datasheet – Datasheet.ru — глобальный поиск даташитов

Что такое даташит и зачем он нужен

Приветствую, друзья!

А Вы слышали это словечко — даташит? Наш лексикон последние годы изрядно обогатился англицизмами.

Люди, которые занимаются электроникой и ковыряются в компьютерах, наверняка знакомы с этим термином. Те, кто только готовится окунуться в это увлекательное дело, читаем дальше!

Даташит — это транслитерированное data sheets, справочные листы с информацией. Представляет собой официальный документ производителя электронных компонентов.

Там приводятся техническое описание компонента, его параметры, режимы эксплуатации, схемы включения и другая информация.

Немного истории

Сейчас абсолютное большинство электронных компонентов, которые присутствуют на рынке, изготовлены зарубежными производителями. В Советском Союзе было наоборот: при изготовлении электроники использовали в большинстве своем отечественные компоненты.

На каждый компонент изготовителем поставлялись технические условия (ТУ), которые найти можно было только на заводах, где электронную аппаратуру изготавливали. В свободном доступе их не было.

В технических условиях было все то (и даже больше), что имеется в нынешних даташитах. Существовали бумажные справочники, где была собрана самая необходимая информация, которые найти было уже легче.

Сейчас любой data sheets можно очень легко найти. Надобность в толстых бумажных справочниках отпала.

Что можно найти на первой странице даташита?

Сразу отметим, что первую страницу даташита формируют не только технари-инженеры, но и специалисты маркетингу и рекламе. Электронные компоненты производят для того, чтобы их покупали, поэтому надо показать товар лицом.

На первой странице data sheets приводятся:

  • свойства компонента (features),
  • его основные параметры (quick reference data),
  • обозначение на принципиальных схемах (symbol),
  • краткое описание (general description).

Могут описываться предельные режимы эксплуатации (limiting values, absolute maximum rating) или что-то в этом роде. Часто приводят изображения корпуса компонента и назначение выводов (pinning information, pin description).

С первого листа должно быть понятно, что за штуковина перед нами.

Вот как выглядит, например, первый лист даташита на MOSFET (полевой транзистор) 55N03T. Мы сразу видим, что это транзистор very low on-state resistance (имеет низкое сопротивление открытого канала сток-исток Rds),  18 мОм при напряжении затвор-исток Vgs 10 В.

Такое сопротивление получено с помощью trench-технологии. Область применения (applications) — сильноточные ключи (high current switching), высокочастотные (high-frequency) dc-dc конверторы для компьютерных материнских плат (computer motherboard).

И действительно, этот транзистор я выдрал с неисправной материнской платы компьютера. Конвертер на материнской плате из напряжение 12 В блока питания выдает напряжение 1 с лишним В для питания ядра процессора.

Ниже расположена цоколевка (pinning) транзистора, разновидности корпусного исполнения. В конце первого листа приведена таблица предельных режимов, из которых видно, что максимально мощность, рассеиваемая транзистором (total power dissipation), не должна превышать 103 Вт. Естественно, с наличием радиатора.

Температура (рабочая и хранения) транзистора должна лежать в пределах от минус 55 до плюс 175.

Что еще есть в даташите?

Далее идут электрические и температурные характеристики, причем параметры содержат минимальное, типовое и максимальное значение. Как ни отлаживай технологию производства, всегда будет существовать разброс параметров.

Типовое — это наиболее вероятное значение.

Даташиты могут содержать графики зависимости одного параметра другого. Например, в нашем случае зависимость тока стока от напряжения сток-исток при определенных значениях напряжения исток-затвор.

В заключение приводится информация о температурном режиме при монтаже (пайке) компонента, его упаковки маркировки и схемах включения.

Зачем нужен даташит?

Из всего сказанного понятно, что datasheet нужен разработчикам электронных изделий, чтобы правильно использовать электронный компонент при разработке аппаратуры.

В то же время справочными данными могут пользоваться и ремонтники, чтобы заменить вышедшую из строя «железку» аналогичной.

В этом случае используются только некоторые данные из даташита — предельно допустимые режимы или типовые значения параметров.

Где можно найти даташит?

Его можно найти в интернете. Достаточно вбить в поисковую систему фразу «маркировка компонента datasheet». Например, в нашем случае будет «55N03T datasheet».

Маркировка (или часть ее) наносится на корпус электронного элемента. Существует множество сайтов- каталогов электронных компонентов. Как правило, даташиты приводятся в формате PDF.

Заканчивая, отметим, что иногда официальные документы могут содержать некоторые неточности. Поэтому хорошо бы скачать разные даташиты одного и того же компонента и сравнить.

Если вы собираетесь серьезно заниматься ремонтами, придется изучать, как работают электронные компоненты, те же транзисторы и диоды.

Первоначальные сведения о том, как устроен полевой или биполярный транзистор, можно получить на этом сайте.

Можно еще почитать:

Что такое RoHS.

Всего наилучшего!

vsbot.ru

Справочник — DataSheet

Буквенное обозначениеПараметр
ОтечественноеМеждународное
IКБОICBOОбратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБОIEBOОбратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭOICEOОбратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
IКЭRICERОбратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
IКЭКICESОбратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
IКЭVICEVОбратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
IКЭXICEXОбратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
IK maxIC maxМаксимально допустимый постоянный ток коллектора.
 IЭ maxIE maxМаксимально допустимый постоянный ток эмиттера.
  IБ max  IB maxМаксимально допустимый постоянный ток базы.
IК , и maxICM maxМаксимально допустимый импульсный ток коллектора.
IЭ , и maxIEM maxМаксимально допустимый импульсный ток эмиттера.
IКРКритический ток биполярного транзистора.
UКБО проб.U(BR) CBOПробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
UЭБО проб.U(BR) ЕBOПробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
UКЭО проб.U(BR) CEOПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
UКЭR проб.U(BR) CERПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭK проб.U(BR) CESПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
UКЭV проб. U(BR) CEVПробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
UКЭХ проб. U(BR) CEXПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
UКЭО гр U(L) CEOГраничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
UсмкUpt Напряжение смыкания транзистора.
 UКЭ насUCE satНапряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
UБЭ насUBE satНапряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
UЭБ плUEBflПлавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
UКБ maxUCB maxМаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
UКЭ maxUCE maxМаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
UЭБ max UEB maxМаксимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
UКЭ, и maxUCEM maxМаксимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
UКБ, и maxUCBM maxМаксимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
UЭБ, и maxUEBM maxМаксимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
PPtotПостоянная рассеиваемая мощность транзистора.
 Pср PAVСредняя рассеиваемая мощность транзистора.
PиPMИмпульсная рассеиваемая мощность транзистора.
PK PCПостоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK, τ maxПостоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
PвыхPout Выходная мощность транзистора.
Pи maxPM maxМаксимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
PK maxPC maxМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK ср max —Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
rrbb , rbСопротивление базы.
 rКЭ насrCE satСопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
 с11э, с11бc11e, c11bВходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 с22э, с22бc22e, c22bВыходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
cкccЕмкость коллекторного перехода.
cэcЕмкость эмиттерного перехода.
fгр fTГраничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
fmaxfmaxМаксимальная частота генерации.
 fh31э , fh31бfh31e, fhfe ;fh31b, fhfbПредельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
tвклtonВремя включения.
 tвыклtoff Время выключения.
tздtdВремя задержки.
 tнрtrВремя нарастания.
tрасtВремя рассасывания.
 tспtВремя спада.
 h11э, h11бh11e, h11b;hie, hibВходное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h21э, h21бh21e, h21b;hfe, hfbСтатический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h12э, h12бh12e, h12b;hre, hrbКоэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h22э, h22бh22e, h22b;hoe, hobВыходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
|h21э||h21e|Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
 h11Эh11E, hIEВходное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
  h21Э H11E, HFEСтатический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
 Y21ЭY21E Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
  Y11э, Y11бY11e, Y11b;Yie, YibВходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 Y12э, Y12бY12e, Y12b;Yre, YrbПолная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y21э, Y21бY21e, Y21b;Yfe, YfbПолная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y22э, Y22бY22e, Y22b;Yoe, YobВыходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S11э, S11б, S11кS11e, S11b, S11c; Sie, Sib, SicКоэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S12э, S12б, S12кS12e, S12b, S12c; Sre, Srb, SrcКоэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S22э, S22б, S22кS22e, S22b, S22c; Soe, Sob, SocКоэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S21э, S21б, S21кS21e, S21b, S21c;   Sfe, Sfb, SfcКоэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
fse, fsb, fscЧастота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21е = 1,
S21b = 1, S21c = 1.
 Ку, рGpКоэффициент усиления мощности.
GA, GaНоминальный коэффициент усиления по мощности.
КшFКоэффициент шума транзистора.
τк (r’б Ск) τc (r’bb Сc)Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
TокрTA, TambТемпература окружающей среды.
TкTc , TcaseТемпература корпуса.
TпTjТемпература перехода.
Rт, п-сRthjaТепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rт, п-кRthjсТепловое сопротивление от перехода к корпусу.
Rт, к-сRthсаТепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
 τт, п-сτthjaТепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τт, п-кτthjсТепловая постоянная времени переход-корпус.
τт, к-сτthсаТепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.

rudatasheet.ru

Datasheet архив (поиск и скачивание документации по электронным компонентам в виде HTML страниц)

Производители:A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S, T, U, V, W, X, Y, Z
Все производители (627 компаний)
Компоненты:A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S, T, U, V, W, X, Y, Z
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9

HTMLDataSheet
это огромный архив PDF datasheet файлов мировых и отечественных производителей электронных компонентов.
На нашем сайте Вы можете просмотреть описание не скачивая большие PDF-файлы! В нашем архиве самое большое количество производителей —
627 компани! В архиве собрана информация по 1 687 043
электронным компонентам. Доступ в архив бесплатный и неограниченный!

TOP 20 производителей:
Analog Devices, TI, ATMEL, IRF, National Semiconductor, Agilent, Vishay, STMicroelectronics, Littelfuse, NEC, Mini-Circuits, MAXIM, General Semiconductor, Rubycon, Semtech, Fairchild, BEL Fuse, Precid-Dip, Toshiba, Microsemi

Свежие обновления datasheet (5 Jan 2019)
ZEN2024F, ZEN2014F, XE1030, XE0204, W91430N, W78LE54, W78LE52, W78LE516, W78LE51, W45B512P, W45B512, W45B012P, W45B012, VT8225, VT6516, VT6509, VRE110/111/112, VIAVT8501APOLLOMVP4, VIAVT82C694X, VIAFIREII, VIAFIRE, VFAC570, VFAC3, ZSP540, ZSP400, ZR38650, ZR38601, ZR36730, ZR36710, ZR36067, ZR36060PQC-29.5, ZR36060PQC-27, ZR36060, ZR36050PQC-29.5, ZR36050PQC-27, ZR36050PQC-21, ZR36050, ZR36016, ZPD91, ZPD82, ZPD75, ZPD68, ZPD62, ZPD56, ZPD51, ZPD47, ZPD43, ZPD39, ZPD36, ZPD33, ZPD30, ZPD3, ZPD27, ZPD24, ZPD22, ZPD20, ZPD18, ZPD16, ZPD15, ZPD13, ZPD12, ZPD11, ZPD10, ZMM91, ZMM82, ZMM200, ZMM180, ZMM160, ZMM150, ZMM130, ZMM120, ZMM110, ZMM100, ZMM1, ZL10313, Ziva-5, ZHRP1R52415, ZHRP1R52412, ZHRP1R51215, ZHRP1R51212, ZHRP1R50515, ZHRP1R50512, ZHRP1002415C, ZHRP1002412C, ZHRP1001215C, ZHRP1001212C, ZHRP1000515C, ZHRP1000512C, ZHRP0602415C, ZHRP0602412C, ZHRP0601215C, ZHRP0601212C, ZHRP0600515C, ZHRP0600512C, ZHRP0302415, ZHRP0302412, ZHRP0301215, ZHRP0301212, ZHRP0300515, ZHRP0300512, ZHRM1R52415, ZHRM1R52412, ZHRM1R52405, ZHRM1R51215, ZHRM1R51212, ZHRM1R51205, ZHRM1R50515, ZHRM1R50512, ZHRM1R50505, ZHRM1002415C, ZHRM1002412C, ZHRM1002405C, ZHRM1001215C, ZHRM1001212C, ZHRM1001205C, ZHRM1000515C, ZHRM1000512C, ZHRM1000505C, ZHRM0602415C, ZHRM0602412C

 

www.htmldatasheet.ru

что такое, где взять и как пользоваться

В речи людей, связанных с электроникой, встречается фраза: «Нужно посмотреть даташит». Что такое имелось в виду и где взять пресловутый даташит?

Словечко заимствовано из английского языка и оригинально записывается как datasheet. Если перевести его на русский, дословно получится «лист с информацией». Документ составляют на различные устройства и электронные компоненты. Поэтому правильно говорить, что даташит – это техническая документация, подготовленная производителем.

Поиск даташит электронных компонентов

Возможно, станет понятно, что такое даташит микросхемы, после того как он будет открыт. Но вопрос: «Где его взять?»

В Советском Союзе документация стандартизировалась. Если требовалось найти информацию о транзисторе или микросхеме, нужно было взять соответствующее руководство. Сегодня необходимость в справочниках отпала. Их заменили поисковые системы – достаточно вбить слово datasheet и указать название требуемого устройства. Второй вариант получить даташит – зайти на сайт, где собрана документация, и на нём уже провести поиск.

Спецификации на компоненты предоставляются в виде pdf-файлов. Открыть их можно непосредственно в браузере.

Первая страница даташита

После того как документ загружен на компьютер, нужно открыть даташит. Что такое он содержит, на что обратить внимание первую очередь?

Начинать следует с первой страницы. На ней приводится информация, подчёркивающая уникальность конкретного устройства, например широкий частотный диапазон, пониженное энергопотребление, малый темновой ток.

Начальная страница технической спецификации содержит:

Следует заметить, что приводимой информации не всегда бывает достаточно, поэтому доверять ей полностью не стоит. Ответы на возникающие вопросы необходимо искать в соответствующих разделах документа. Цель первой страницы – дать представление о нём, то есть рассказать, что такое.

Даташит транзистора по сравнению с аналогичным документом для микросхем невелик, поэтому на первой странице сразу же указывают информацию о его параметрах и подключении.

Содержание документа

Наиболее часто пользователи спрашивают про даташит: «Что такое и как его читать?» Если первый вопрос был рассмотрен, то второй ещё предстоит изучить.

Инженеры-электронщики обращают внимание на следующие разделы документа.

Описывает назначение каждого пина микросхемы или транзистора. Проектировщику важны выводы под маркировкой Vcc и GND. Первый из них предназначен для подачи питающего напряжения (чаще всего +5 В), второй – для подключения «земли». Микроконтроллеры могут иметь несколько таких выводов. Их расположение зависит от типа корпуса (PDIP/TQFP/ MLF).

  • Схема устройства (Block Diagram).

Изображает внутреннее содержание компонента. Например, для микроконтроллера показываются входящие в его состав память, генератор тактовой частоты, порты ввода-вывода.

  • Схема включения (Circuit Schematic).

Определяет типовое подключение устройства. На практике схемы отличаются от приводимых в документации, поскольку в каждом конкретном случае микросхема или транзистор являются частью сложного электронного устройства, в котором должны учитываться все его составляющие.

  • Температурные и электрические параметры.

Данные величины приводятся в виде графиков, отражающих зависимость одного параметра от другого.

Заключительные рекомендации

Начинающий разработчик электронной аппаратуры не всегда понимает, как читать даташит, что такое схема устройства и зачем нужна цоколёвка. Тем не менее рекомендуется читать справочные материалы при разработке нового прибора или ремонте вышедшего из строя оборудования.

fb.ru

Даташиты микросхем и электронных компонентов

Datasheet Asset Identification EEPROM AT24RF08CСкачать, 431 КБ
Datasheet Maxim +5V RS-232 Driver/Receivers MAX232A, MAX220-MAX249Скачать, 372 КБ
Datasheet Atmel CryptoMemory 2 Kbit AT88SC0204CСкачать, 382 КБ
Datasheet Atmel CryptoMemory AT88SC0204CAСкачать, 660 КБ
Datasheet ST ST24C04, ST25C04, ST24W04, ST25W04 4Kbit Serial I2C EEPROMСкачать, 130 КБ
Datasheet ST ST24/25C02, ST24C02R, ST24/25W02 Serial 2K EEPROMСкачать, 148 КБ
Datasheet-АТ24C01, АТ24С02, АТ24С04, АТ24С08, АТ24С16Скачать, 242 КБ
Datasheet Atmel 2-Wire Serial EEPROM AT34C02Скачать, 188 КБ
Datasheet Atmel Three-wire Serial EEPROMs AT93C46, AT93C56, AT93C66Скачать, 372 КБ
Datasheet ST 1/2/4/8/16 Kbit serial I2C EEPROM M24C01, M24C02, M24C04, M24C08, M24C16Скачать, 505 КБ
Datasheet ST 2Kbit Serial I2C EEPROM M34C02Скачать, 165 КБ
Datasheet Dallas DS2432 1k-bit Protected 1-Wire EEPROMСкачать, 170 КБ
Datasheet Dallas Maxim DS2502 1Kb Add-Only MemoryСкачать, 664 КБ
Datasheet Dallas DS2430А 256-bit 1-Wire EEPROMСкачать, 361 КБ
Datasheet Dallas Maxim DS2433 4Kb 1-Wire EEPROMСкачать, 564 КБ
Datasheet Maxim DS2431 1024-bit 1-Wire EEPROMСкачать, 269 КБ
Datasheet Dallas Maxim DS2438 Smart Battery MonitorСкачать, 369 КБ
Datasheet Microchip PIC12F683 8-bit CMOSСкачать, 2 987 КБ
Datasheet Atmel 8-bit Microcontroller ATtiny24/44/84Скачать, 2 276 КБ
Datasheet Atmel 8-bit Microcontroller ATtiny25/45/85Скачать, 3 335 КБ
Datasheet Microchip 24AA02/24LC02B 2K I2C Serial EEPROMСкачать, 585 КБ
Datasheet Microchip 24AA256/24LC256/24FC256 256K I2C CMOS Serial EEPROMСкачать, 340 КБ
Datasheet ST TDA7560 4x45W Quad Bridge Car Radio Amplifier plus HSDСкачать, 359 КБ
Datasheet TNY263-268 TinySwitch-IIСкачать, 1 202 КБ
Datasheet Maxim MAX8741/MAX8742 500kHz Multi-Output Power-Supply ControllersСкачать, 1 001 КБ
Информация по типоразмерам smd-варисторовСкачать, 275 КБ
Информация по типоразмерам smd-компонентовСкачать, 187 КБ
Информация по маркировке варисторовСкачать, 636 КБ
Аналоги биполярных транзисторовСкачать, 160 КБ
Проволочные резисторыСкачать, 329 КБ
6-Pin DIP Optoisolators Transistor Output 4N25/4N25A/4N26/4N27/4N28Скачать, 281 КБ
4-Pin Phototransistor Optocouplers h21AA814/h21A617/h21A817Скачать, 498 КБ
Photocoupler PC817Скачать, 541 КБ
NPN transistor/Schottky rectifier module PMEM4020ANDСкачать, 275 КБ
Plastic film capasitors (Маркировка пленочных конденсаторов)Скачать, 53 КБ
Высоковольтные керамические SMD конденсаторыСкачать, 101 КБ
1N4148; 1N4448 Hight-speed diodesСкачать, 61 КБ
1N5400 — 1N5408Скачать, 49 КБ
1N5817 — 1N5819Скачать, 47 КБ

www.texnotron.com

Справочная информация по электронным компонентам

Справочная информация по электронным компонентам

Меню

Справочник

Главная  Справочник

«Справочник» — информация по различным электронным компонентам: транзисторам, микросхемам, трансформаторам, конденсаторам, светодиодам и т.д. Раздел содержит всю информацию для подбора электронных компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию электронных устройств.


Новинки

  • Схема твердотельного реле постоянного тока своими руками
    26.11.2018 — Документация
    Для начала разберёмся, что такое твердотельное реле. Твердотельное реле (сокр. ТТР) – это разновидность управляемых переключателей (реле) без подвижных механических частей.   Виды ТТР Производители поставляют огромное количество вариантов твердотельных реле в различных конструктивных исполнениях. ТТР можно классифицировать…
  • Программа-генератор сигналов звуковой частоты
    20.11.2018 — Справочник
    Основное назначение таких программ – помощь в проверке и тестировании звукового оборудования (усилителей, фильтров, динамиков и т.п.). Но могут они использоваться и для других задач: В процессе обучения (в школах, техникумах и ВУЗах, радиокружках) – для работы с сигналами разного типа, изучения колебаний и т.д. В мастерски…
  • Паяльно-ремонтные станции МАГИСТР
    27.10.2018 — Справочник
    Электронные устройства с каждым годом становятся все меньше и легче, а функциональность их при этом продолжает возрастать. Пользователи этому могут только порадоваться, а вот специалисты по ремонту таких изделий вынуждены менять сложившиеся привычки и осваивать новые технологии и инструменты — ведь применяемая в новых изделиях элементная база тр…
  • Индикатор выходной мощности УМЗЧ
    29.09.2018 — Документация
    Устройство, схема которого изображена на рис. 1, предназначено для работы с любым мощным УМЗЧ. Его подключают непосредственно к выходам левого и правого стереоканалов усилителя. Текущий уровень мощности каждого канала отображают линейные шкалы из 10 (по две штуки на канал) или 20 светодиодов. Нижние по схеме светодиоды обеих шкал светятся п…
  • Основные характеристики некоторых жидкокристаллических панелей различных производителей (часть 3)
    30.07.2018 — Справочник
    Диагональ, дюймы Производитель Обозначени (Part №) Разрешение, пикселы Контрастность Яркость, кд/м 2 Углы обзора (верх/низ, слева/справа) 12,1 SHARP LQ121S1LW01 …

РАЗДЕЛЫ:

  • Документация / Документация: электронные компоненты, схемы, нормативная документация
  • Справочник / Справочная информация по электронным компонентам

Страницы:   1  2  3  4  5  Страницы:   1  2  3  4  5  6  7  8 

RadioRadar.net — datasheet, service manuals, схемы, электроника, компоненты, semiconductor,САПР, CAD, electronics

www.radioradar.net

Электронные компоненты

Электронные компоненты: микросхемы, дискретные приборы, интегральные датчики и преобразователи, отоэлектронные приборы, пассивные компоненты, твердотельные реле, устройства защиты, предохранители.

«Росэлектроника» поставила рекорд по продажам герконов

Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех в 2018 году увеличил объем реализации герметизированных магнитоуправляемых контактов (герконов) на 22% – до 218 млн. штук. Герконы широко применяются в автомобильной, бытовой технике, медицинской и телекоммуникационной аппаратуре, системах автоматики и безопасности…

NVE анонсирует новый интеллектуальный магнитометр

Компания NVE анонсировала интеллектуальный магнитометр SM124-10E. В новом датчике чувствительный элемент, основанный на эффекте гигантского магнетосопротивления, объединен с элегантной схемой цифровой обработки сигнала. Универсальный прибор может использоваться как датчик тока или датчик приближения…

www.rlocman.ru