Как проверить irf740 – Irf740 как проверить — Собрал металлоискател пират. Нету звука и греется транзистор IRF740/ — 22 ответа

IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор — DataSheet

Расположение выводов IRF740

Описание

Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.



 Абсолютные максимальные значения
ПараметрОбозначение Значение Ед. изм. 
 Напряжение сток-истокVDS 400В
 Напряжение затвор-истокVGS ± 20
 Ток стока (постоянный)VGS = 10 ВTC = 25 °CID10А
TC = 100 °C6.3
 Ток стока (импульсный) aIDM40
 Линейный коэффициент снижения мощности1.0Вт/°C
 Энергия одиночного лавинного импульса bEAS520 мДж
 Повторяющийся лавинный ток aIAR10А
 Энергия повторяющегося лавинного импульса aEAR13 мДж
 Максимальная рассеиваемая мощность TC = 25 °CPD125Вт
 Импульс на восстанавливающемся диоде dV/dtcdV/dtВ/нс
 Температура перехода и температура храненияTJ, Tstg-55…+150°C
 Максимальная температура припояв течение 10 с300d
 Момент затяжкиболт М31.1Н·м
  1.  Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
  2. VDD = 50 В, начальные условия TJ = 25 °C, L = 9.1 мГн, Rg = 25 Ом, IAS = 10 A (см. Рис. 12).
  3. ISD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 120 A/мкс, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.
  4. На расстоянии 1.6 мм от корпуса.

 

Тепловое сопротивление
 ПараметрОбозначение Тип. Макс.Ед. изм.
 Максимум кристалл-окружающая средаRthJA62°C/Вт
 Корпус-радиатор с плоской смазанной поверхностьюRthCS0.5
 Максимум кристалл-корпус (сток)RthJC1.0

 

 

 Спецификации (TJ = 25 °C)
 Параметр Обозначение Условия Мин. Тип. Макс.  Ед. изм.
 Статические
 Напряжение пробоя сток-исток VDSVGS = 0 В, ID = 250 мкA400В
 Температурный коэффициент  VDSΔVDS/TJОтносительно 25 °C, ID = 1 мA0.49В/°C
 Пороговое напряжение затвор-исток VGS(th)VDS = VGS, ID = 250 мкA2.04.0 В
 Ток утечки затвор-истокIGSS VGS = ± 20 В± 100нА
 Начальный ток стокаIDSSVDS = 400 В, VGS = 0 В —25мкА
VDS = 320 В, VGS = 0 В, TJ = 125 °C250мкА
 Сопротивление сток-исток в открытом состоянииRDS(on)VGS = 10 ВID = 6.0 Ab0.55Ом
 Крутизна характеристикиgfsVDS = 50 В, ID = 6.0 Ab5.8мА/В
 Динамические
 Входная емкостьCissVGS = 0 В,
VDS = 25 В,
f = 1.0 МГц, см. Рис. 5
1400пФ
 Выходная емкостьCoss330
 Емкость обратной связиCrss120
 Суммарный заряд затвораQgVGS = 10 В ID = 10 A, VDS = 320 В,
см. Рис 6 и 13b
63нКл
 Заряд затвор-истокQgs9.0
 Заряд затвор-стокQgd32
 Время задержки включенияtd(on)VDD = 200 В, ID = 10 A
Rg = 9.1 Ом, RD = 20 Ом, см. Рис. 10b
14нс
 Время нарастанияtr27
 Время задержки выключенияtd(off)50
 Время спадаtf24
 Внутренняя индуктивность стокаLDМежду  точками на расстоянии 6 мм от корпуса и центром вывода4.5нГн
 Внутренняя индуктивность истокаLS7.5
 Характеристики встроенного паразитного диода
 Постоянный ток через паразитный диодIS

Обозначение, показывающее встроенный обратный p-n переход диода

10А
 Импульсный ток через диод в прямом направленииISM — 40А
 Напряжение на внутреннем диодеVSDTJ = 25 °C, IS = 10 A, VGS = 0 Вb2.0В
Время обратного восстановления диодаtrrTJ = 25 °C, IF = 10 A, dI/dt = 100 A/мксb370790нс
Обратное восстановление зарядаQrr3.88.2нКл
 Время открытия в прямом направленииtonВнутренние время включения (открытия) незначительно (определяется значением параметров LS и LD)
  1.  Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
  2. Ширина импульса ≤ 300 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2 %.

 

Графики типовых характеристик

Рис.1 Типовые выходные характеристики, TC = 25 °C

Рис. 2 Типовые выходные характеристики, TC = 150 °C

Рис. 3 Типовые передаточные характеристики

Рис. 4 Нормированное сопротивление в открытом состоянии от температуры

Рис. 5 Емкость от напряжения сток-исток

Рис. 6 Заряд на затворе от напряжения сток-исток

Рис. 7 Прямое напряжение на диоде

Рис. 8 Максимальная безопасная рабочая область

Рис. 9 Максимальный ток стока от температуры корпуса

 

Рис. 10а Схема для проверки времени переключения

 

Рис. 10b Осциллограммы определения времени переключения

 

Рис. 11 Максимальное эффективное переходное тепловое сопротивление, кристалл-корпус

 

Рис. 12a Проверка цепи с индуктивностью

 

Рис. 12b Осциллограммы цепи проверки индуктивности

 

Рис. 12c Максимальная энергия лавинного импульса от тока стока

 

Рис 13a График заряда на затворе

 

Рис. 13b Схема проверки заряда на затворе

 

Рис. 14 Схема проверки диода

 

Графики к Рис. 14

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Купить IRF740

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Проверка IGBT и MOSFET транзисторов — Меандр — занимательная электроника

Читать все новости

Порядок проверки IGBT и MOSFET такой.

Шаг 1. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между затвором и эмиттером IGBT (затвором и истоком MOSFET), прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях.

Шаг 2. Необходимо убедится в отсутствии коротких замыканий между коллектором и эмиттером IGBT (истоком и стоком MOSFET), прозвонив сопротивления между соответствующими выводами в обоих направлениях. Перед этим необходимо перемычкой закоротить выводы затвора и эмиттера транзистора. Но лучше будет не закорачивать затвор и эмиттер транзистора, а просто зарядить входную емкость затвор-эмиттер отрицательным напряжением. Для этого кратковременно и одновременно прикасаемся щупом «СОМ» мультиметра к затвору, а щупом «V/Ω/f» к эмиттеру.

Некоторые IGBT транзисторы, как и MOSFET, имеют встроенный встречно-параллельный диод, подключенный катодом к коллектору транзистора, а анодом к эмиттеру (см. рисунок). Если транзистор имеет такой диод, то последний должен соответствующим образом прозвониться между эмиттером и коллектором транзистора.

Шаг 3. Теперь убедимся в функциональности транзистора. Для этого необходимо зарядить входную емкость затвор-эмиттер положительным напряжением. Для этого кратковременно и одновременно прикасаемся щупом «V/Ω/f» мультиметра к затвору, а щупом «СОМ» к эмиттеру. После этого проверяем состояние перехода коллектор-эмиттер транзистора, подключив щуп «V/Ω/f» мультиметра к коллектору, а щуп «СОМ» к эмиттеру. На переходе коллектор-эмиттер должно падать небольшое напряжение величиной 0,5—1,5 В.

Меньшее значение напряжения соответствует низковольтным транзисторам, а большее высоковольтным.

Величина падения напряжения должна быть стабильной, по крайней мере, в течение нескольких секунд, что говорит об отсутствии утечки входной емкости транзистора.

Иногда напряжения мультиметра может не хватить для того чтобы полностью открыть IGBT транзистор (характерно для высоковольтных IGBT). В этом случае входную емкость транзистора можно зарядить от источника постоянного напряжения величиной 9—15 В. Зарядку лучше производить через резистор величиной 1—2 кОм.

Возможно, Вам это будет интересно:

meandr.org

Транзистор IRF740 параметры | Практическая электроника

Дешевый n-канальный MOSFET на 400В и 10А. Был разработан и производился International Rectifier, потом IR продала большое количество своей номенклатуры вместе с производственными мощностями VISHAY и та стала выпускать транзистор под названием SiHF740A.
Кроме того IRF740 выпускают и другие производители: Infineon, ST, Fairchild.

IRF740 параметры

  • Структура — n-канал;
  • Максимальное напряжение сток-исток Uси = 400 В;
  • Максимальный ток сток-исток при 100°С Iси макс. = 6,3 А;
  • Максимальный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 10 А;
  • Максимальный импульсный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 40 А;
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В;
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. < 550 мОм (0,55 Ом);
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 125 Вт;
  • Тепловое сопротивление кристалл-корпус Rt = 1.0 °C/Вт;
  • Температурный диапазон работы T = — 55 .. + 150 °C;
  • Крутизна характеристики S = 7;
  • Пороговое напряжение на затворе Ugs = 2 .. 4 В;
  • Входная емкость Ciss = 1259 пФ;
  • Выходная емкость Cоss = 206 пФ;

Транзистор IRF740 выпускается в различных корпусах, от классического TO-220AB до компактных I2PAK (TO-262) и поверхностных D2PAK (TO-263)

IRF740 нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания:
В источниках питания с входным переменным напряжение 220-240 В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях.
В источниках питания рассчитанных на 100-120 В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении.

Кроме того IRF740 применяется в металлоискателях, например в простом и популярном металлодетекторе PIRAT.

Аналоги IRF740

Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5.
Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!

Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.

hardelectronics.ru

Транзистор IRF740

 

 

 

 Транзистор IRF740 – MOSFET транзистор 3 поколения, гарантирует быструю скорость переключения, имеет хорошую стабильность, во включенном состоянии обладает малым сопротивлением и наилучшим соотношение эффективность – цена.

Изначально разработчиком и производителем транзистора IRF740 была компания International Rectifier, впоследствии передав право на производство VISHAY. Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.

IRF740 широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной аппаратуры, а также в ключевых схемах.

Характеристики IRF740

  • Структура: n-канал
  • Max ток сток-исток при температуре 100°С : 6,3 А
  • Max ток сток-исток при температуре 25°С : 10 А
  • Max напряжение затвор-исток: 20 В
  • Max напряжение сток-исток: 400 В
  • Max импульсный ток сток-исток при температуре 25°: 40 А
  • Max мощность рассеивания: 125 Вт
  • Емкость входа:1259 пФ
  • Пороговое напряжение на затворе: 2 .. 4 В
  • Сопротивление открытого канала: 0,55 Ом
  • Рабочий диапазон температур: — 55 .. + 150 °C;
  • Корпус: TO-220ab

Цоколевка IRF740

Ниже приведена цоколевка транзистора URF740:

Следует отметить что вывод «Сток (D) » соединен с корпусом транзистора.

Аналог транзистора IRF740

Его зарубежными аналогами являются: BUZ90, IRF340, BUZ61, 2SK1378, STP11NK40Z, D84EQ2, HAT2025R.

Транзистор IRF740 можно заменить на отечественные: КП740, КП340, КП776А.

Cкачать datasheet IRF740 (1,4 Mb, скачано: 637)

Из другого источника…Технические характеристики IRF740













ПараметрЗначение
КорпусTO-220-3
Конфигурация и полярностьN
Максимальное напряжение сток-исток400 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса10 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)0.55 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора10 В
Максимальное напряжение затвора20 В
Заряд затвора63 нКл
Рассеиваемая мощность125 Вт
Диапазон рабочих температур, °С-65…+150
Габаритные размеры, ДхШхВ, мм29 x 10,5 х 4,5

Проверка исправности полевика IRF740

— Откройте полевик, для чего установите щуп тестера «-» на исток справа, а щуп тестера «+» на затвор слева. При этом наблюдаем бесконечное сопротивление.
— Убедитесь, что полевик открыт, для чего установите щуп тестера «-» на исток справа, а щуп тестера «+» на сток посередине. При этом наблюдаем сопротивление открытого полевика ноль Ом.
— Закройте полевик, для чего установите щуп тестера «+» на исток справа, а щуп тестера «-» на затвор слева. При этом наблюдаем бесконечное сопротивление.
— Убедитесь, что полевик закрыт, для чего установите щуп тестера «-» на исток справа, а щуп тестера «+» на сток посередине. При этом наблюдаем сопротивление закрытого полевика бесконечность. При этом важно не перепутать полярность, иначе будем наблюдать сопротивление внутреннего открытого диода в полевике.

Источник

 

< Предыдущая   Следующая >

bsh1.ru

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

Читать все новости

Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, малому сопротивлению в открытом состоянии, находят широкое применение в блоках  питания компьютеров, мониторов, телевизоров,  видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры, постепенно, но неуклонно вытесняя транзисторы биполярные.

1. Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.

При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.

При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

2. Определение цоколёвки полевых транзисторов

Полевые транзисторы, выполненные по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) в англоязычной литературе носят наименование MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor). Расположение выводов (цоколёвка) полевых транзисторов Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet).

Основные типы корпусов полевых транзисторов импортного производства


Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3. Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.

Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3. Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

Корпус типа SO-8.Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3. По сути — полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Intel на ряде своих плат.

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Даташит (Datasheet — в дословном переводе «бумажка с информацией) — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF.

3. Основные характеристики N-канального полевого транзистора

Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

  • Vds — Drain to Source Voltage — максимальное напряжение сток-исток.
  • Vgs — Gate to Source Voltage — максимальное напряжение затвор-исток.
  • Id — Drain Current — максимальный ток стока.
  • Vgs(th) — Gate to Source Threshold Voltage — пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
  • Rds(on) — Drain to Source On Resistance — сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.
  • Q(tot) — Total Gate Charge — полныйзарядзатвора.

Параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

4. Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~30V и ток (Id) ~20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток.

 Примеры:

  • IPP15N03L — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO220
  • IPB15N03L — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO263(D²PAK)
  • SPI80N03S2L-05 — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ Id=80A TO262
  • NTD40N03R — On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ
  • STD10PF06 — ST STripFET™ II Power P-channel, MOSFET 60V 0.18Ω  10A IPAK/DPAK

  Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX — или Rds, или Id Y — тип канала ZZ – Vds.

 5. Алгоритм проверки исправности полевого транзистора

 Проверку можно проводить стрелочным омметром (предел х100), но более удобно это делать цифровым мультиметром в режиме тестирования P-N пере­ходов . Показываемое мультиметром зна­чение сопротивления на этом пределе численно равно напряжению на P-N переходе в милливольтах.

6. Пример проверки транзистора мультиметром:

У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от полярности прикладываемого напряжения (щупов).

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод.

Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к подложке — СТОКУ (D), красным (положительным) — к выводу ИСТОКА (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 — 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт.

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом вывода ЗАТВОРА (G) и опять возвращаем его на вывод ИСТОКА (S). Мультиметр показывает близкое к нулю значение, причём при любой полярности приложенного напряжения — полевой транзистор открылся прикосновением. На некоторых цифровых мультиметрах возможно значение будет не 0, а 150…170 мВ

Если теперь черным щупом коснуться вывода ЗАТВОРА (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на вывод подложки — СТОКА (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз — исправен.

Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Методика проверки исправности полевых транзисторов с достаточной степенью правильности показана в видеоролике от магазина Чип и Дип

Возможно, Вам это будет интересно:

meandr.org

Проверка и определение цоколевки MOSFET

MOSFET — проверка и прозвонка

24.10.2013 | Рубрика: Статьи

Проверка и определение цоколевки MOSFET

Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы (разновидность полевых транзисторов). Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов.

Очень кратко о полевых транзисторах

На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. На рисунке показаны  графические обозначения некоторых разновидностей полевых транзисторов.

Типы MOSFET

G-затвор, S-исток, D-сток. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток – эмиттеру, сток полевого транзистора – коллектору биполярного транзистора.

Наиболее распространены n-канальные MOSFET – они используются в цепях питания материнских млат, видеокарт и т.п. У MOSFET имеется встроенный диод:

MOSFET n-канальный (слева) и p-канальный (справа).

Транзисторы лучше рисовать с диодом — чтобы потом было проще в схеме ориентироваться. Этот диод является паразитным и от него не удается избавиться на этапе изготовления транзистора. Вообще при изготовлении MOSFET возникает паразитный биполярный транзистор, а диод – один из его переходов. Правда нужно признать, что по схемотехнике этот диод все равно частенько приходится ставить, поэтому производители транзисторов этот диод шунтируют диодом с лучшими показателями как по быстродействию, так и по падению напряжения. В низковольтные MOSFET обычно встраивают диоды Шоттки. А вообще в идеале этого диода не должно было бы быть.

Типовое включение полевого (MOSFET) транзистора:

MOSFET типовое включение

Напряжение на затворе!

У подавляющего большинства полевых транзисторов нельзя на затвор (G) подавать напряжение больше 20В относительно истока (S), а некоторые образцы могут убиться при напряжении выше пяти вольт!

Проверка полевых транзисторов (MOSFET)

И вот, иногда наступает момент, когда необходимо полевой транзистор проверить, прозвонить или определить его цоколевку. Сразу оговоримся, что проверить таким образом можно «logic-level» полевые транзисторы, которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. «logic-level» в данном случае означает, что речь идет о приборах, которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход D-S, при приложении к затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения. На самом деле очень многие MOSFET способны открыться, пусть даже и не полностью, напряжением на затворе до 5В.

В качестве примера возьмем N-канальный MOSFET IRF1010N для его проверки (прозвонки). Известно, что у него такая цоколевка: 1 – затвор (G), 2 – сток (D), 3 – исток (S). Выводы считаются как показано на рисунке ниже.

Распиновка корпуса TO-220

1. Мультиметр выставляем в режим проверки диодов, этот режим очень часто совмещен с прозвонкой. У цифрового мультиметра красный щуп «+», а черный «–», проверить это можно другим мультиметром.
На любом уважающем себя мультиметре есть такая штуковина

Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре.

2. Щуп «+» на вывод 3, щуп «–» на вывод 2. Получаем на дисплее мультиметра значения 400…700 – это падение напряжения на внутреннем диоде.

3. Щуп «+» на вывод 2, щуп «–» на вывод 3. Получаем на дисплее мультиметра бесконечность. У мультиметров обычно обозначается как 1 в самом старшем разряде. У мультиметров подороже, с индикацией не 1999 а 4000 будет показано значение примерно 2,800 (2,8 вольта).

4. Теперь удерживая щуп «–» на выводе 3 коснуться щупом «+» вывода 1, потом вывода 2. Видим, что теперь щупы стоят так же, как и в п.3, но теперь мультиметр показывает 0…800мВ – у MOSFET открыт канал D-S. Если продолжать удерживать щупы достаточно долго, то станет заметно, что падение напряжения D-S увеличивается, что означает, что канал постепенно закрывается.

5. Удерживая щуп «+» на выводе 2, щупом «–» коснуться вывода 1, затем вернуть его на вывод 3. Как видим, канал опять закрылся и мультиметр показывает бесконечность.

Поясним, что же происходит. С прозвонкой внутреннего диода все понятно. Непонятно почему канал остается либо закрытым, либо открытым? На самом деле все просто. Дело в том, что у мощных MOSFET емкость между затвором и истоком достаточно большая, например у взятого мной транзистора IRF1010N измеренная емкость S-G составляла 3700пФ (3,7нФ). При этом сопротивление S-G составляет сотни ГОм (гигаом) и более. Не забыли – полевые транзисторы управляются электрическим полем, а не током в отличие от биболярных. Поэтому в п.4 касаясь “+” затвора (G) мы его заряжаем относительно истока (S) как обычный конденсатор и управляющее напряжение на затворе может держаться еще достаточно долго.

Помой транзистор!

Если хвататься за выводы транзистора руками, особенно жирными и влажными, емкость транзистора будет разряжаться значительно быстрее, т.к. сопротивление будет определяться не диэлектриком у затвора транзистора, а поверхностным сопротивлением. Не смытый флюс также сильно снижает сопротивление. Поэтому рекомендую помыть транзистор, перед проверкой, например, в спирто-бензиновой смеси.

P.S. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы.

Небольшие пояснения о мультиметрах

1. У цифровых мультиметров режим проверки диодов проводится измерением падения напряжения на щупах, при этом по щупам прибор пропускает стабильный ток 1мА. Именно поэтому в данном режиме прибор показывает не сопротивление, а падение напряжения. Для германиевых диодов оно равно 0,3…0,4В, для кремниевых 0,6…0,8В. Но что бы там не измерялось напряжение на щупах прибора редко превышает 3В – это ограничение накладывается схемотехникой мультиметров.
2. В п.4 при измерении падения напряжения открытого канала величина, отображаемая мультиметром может сильно меняться от различных факторов: напряжения на щупах, температуры, тока стабилизации, характеристик самого полевого транзистора.

Тренировка =)

Теперь можно потренироваться в определении цоколевки мощного транзистора. Перед нами транзистор IRF5210 и его цоколевка мне неизвестна.

1. Начну с поиска диода. Попробую все варианты подключения к мультиметру. После каждого измерения корочу ножки транзистора фольгой чтобы обеспечить разряд емкостей транзистора. Возможные варианты показаны в таблице:

Т.е. диод находится между выводами 2 и 3, соответственно затвор (G) находится на выводе 1.

2. Осталось определить, где находятся сток (D) и исток (S) и полярность (n-канал или p-канал) полевого транзистора.

2.1. Если это n-канальный транзистор, то сток (D) – 3 вывод, исток (S) – 2 вывод. Проверяем. Прикладываем «–» щуп мультиметра к выводу 2, «+» к выводу 3 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «–» от вывода 2 щупом «+» касаемся вывода 1, затем «+» опять прикладываем к выводу 3. Канал не открылся – значит, наше предположение о том, что IRF5210 n-канальный транзистор оказалось неверным.

2.2. Если это p-канальный транзистор, то сток (D) – 2 вывод, исток (S) – 3. Проверяем. Прикладываем «+» щуп мультиметра к выводу 3, «–» к выводу 2 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «+» от вывода 3 щупом «–» касаемся вывода 1, затем «–» опять прикладываем к выводу 2. Канал открылся – значит, что IRF5210 p-канальный транзистор, вывод 1 – затвор, вывод 2 – сток, вывод 3 – исток.

На самом деле все не так сложно. Буквально пол часа тренировки – и вы сможете без каких-либо проблем проверять MOSFETы и определять их цоколевку!

Метки:: MOSFET, Цоколевка

pro-diod.ru

Транзистор IRF740. Характеристики, аналог, datasheet.

Транзистор IRF740 – MOSFET транзистор 3 поколения, гарантирует быструю скорость переключения, имеет хорошую стабильность, во включенном состоянии обладает малым сопротивлением и наилучшим соотношение эффективность – цена.

Изначально разработчиком и производителем транзистора IRF740 была компания International Rectifier, впоследствии передав право на производство VISHAY. Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.

IRF740 широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной аппаратуры, а также в ключевых схемах.

 

Характеристики IRF740

  • Структура: n-канал
  • Max ток сток-исток при температуре 100°С : 6,3 А
  • Max ток сток-исток при температуре 25°С : 10 А
  • Max напряжение затвор-исток: 20 В
  • Max напряжение сток-исток: 400 В
  • Max импульсный ток сток-исток при температуре 25°: 40 А
  • Max мощность рассеивания: 125 Вт
  • Емкость входа:1259 пФ
  • Пороговое напряжение на затворе: 2 .. 4 В
  • Сопротивление открытого канала: 0,55 Ом
  • Рабочий диапазон температур: — 55 .. + 150 °C;
  • Корпус: TO-220ab

Цоколевка IRF740

Ниже приведена цоколевка транзистора IRF740:

Следует отметить что вывод «Сток (D) » соединен с корпусом транзистора.

Аналог транзистора IRF740

Его зарубежными аналогами являются: BUZ90, IRF340, BUZ61, 2SK1378, STP11NK40Z, D84EQ2, HAT2025R.

Транзистор IRF740 можно заменить на отечественные: КП740, КП340, КП776А.

Cкачать datasheet IRF740 (1,4 Mb, скачано: 2 060)

www.joyta.ru