Кт 808 – 808 — , , , —

Транзисторы КТ808, 2Т808А — параметры, маркировка, расположение выводов(цоколевка).

Транзисторы КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, 2Т808А.

Транзисторы КТ808, 2Т808А — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Маркировка буквенно — цифровая. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ корпус — T03.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ):
У транзисторов КТ808А, 2Т808 — 50 Вт с радиатором и 5 Вт — без.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 60 Вт с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, — 120 в, пульсирующее — 250 в.
У транзисторов 2Т808А — 200

в, пульсирующее — 300 в.
У транзисторов КТ808БМ — 100 в, пульсирующее — 160 в.
У транзисторов КТ808ВМ — 80 в, пульсирующее — 135 в.
У транзисторов КТ808ГМ — 70 в, пульсирующее — 80 в.

Максимальное напряжение эмиттер — база4 в.

Максимальный ток коллектора — импульсный 10 А.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ808А, 2Т808 — от 10 до 150, при типовом значении — 15.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — от 20 до 125

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию — не более

3 мА у транзисторов 2Т808А при напряжении коллектор — эмиттер 200 в и у транзисторов КТ808А при напряжении коллектор — эмиттер 120 в.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 2мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 мА.

Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А — не более — 2,5 В.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 8МГц.
У транзисторов КТ808А, 2Т808А — 7,5МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ808.

КТ808А — 2N4913, 2N4914, 2SD201.
КТ808АМ — 2SC1619A, 2SD867.
КТ808БМ — 2N6374, 2SC1618.
КТ808ГМ — 2N6372, 2N6373.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ808 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ808

Цоколевка транзистора КТ808-1

Цоколевка транзистора КТ808-3

Цоколевка транзистора КТ808М

 

 

Параметры транзистора КТ698
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ808АМ2SC1116 *2, 2N5633, MJ4247, KDY56 *2, BD550 *2, 2SC519A *2, КТС1617 *2, 2SC1617 *2, 2SD214, 2SD203 *2
КТ808БМBDX95, BDW21C *2, 2N5758 *2, 181Т2А *2, KDY24 *2, SDT7733 *2, 2N3446, 2SC1619 *2
КТ808ВМMJ2841, BD313, 2N5878,

BDX93, BDW21B *2, 2N5874 *2, SDT7732, BDY17 *2

КТ808ГМ2N5877, BD311, MJ2840,

BDX91, BDW21A *2, KDY23 *2

КТ808А3BD955, BDT41C *2
КТ808Б3BD245C, BD303B *2, NTC2334 *2, BDX77 *2, NTD569 *2, BD501В, 2N5496 *2, 2N5497 *2, BDT *2, 2N6131 *2, BD245B *2
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ808А50*Вт
КТ808А170*
КТ808Б170*
КТ808В170*
КТ808Г170*
КТ808А370*
КТ808Б370*
КТ808АМ50 °С60*
КТ808БМ50 °С60*
КТ808ВМ
50 °С60*
КТ808ГМ50 °С60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ808А≥7.2МГц
КТ808А1≥8
КТ808Б1≥8
КТ808В1≥8
КТ808Г1≥8
КТ808А3≥8
КТ808Б3
≥8
 КТ808АМ≥8
КТ808БМ≥8
КТ808ВМ≥8
КТ808ГМ≥8
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ808А200 имп.120*В
КТ808А1130*
КТ808Б1
100*
КТ808В180*
КТ808Г170*
КТ808А3130
КТ808Б3100
КТ808АМ250 имп.130*
КТ808БМ160 имп.100*
КТ808ВМ150 имп.80*
КТ808ГМ80 имп.70*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., 
КТ808А4В
КТ808А15
КТ808Б15
КТ808В15
КТ808Г15
КТ808А35
КТ808Б35
КТ808АМ5
КТ808БМ5
КТ808ВМ5
КТ808ГМ5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max,
 I*К , и max
КТ808А10А
КТ808А110
КТ808Б110
КТ808В110
КТ808Г110
КТ808А310(15*)
КТ808Б310(15*)
КТ808АМ10
КТ808БМ10
КТ808ВМ10
КТ808ГМ
10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ808А120 В≤3*мкА
КТ808А1130 В≤2*
КТ808Б1100 В≤2*
КТ808В180 В≤2*
КТ808Г170 В≤2*
КТ808А3130 В≤2*
КТ808Б3100 В≤2*
КТ808АМ120 В≤2*
КТ808БМ100 В≤2*
КТ808ВМ100 В≤2*
КТ808ГМ70 В≤2*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ808А3 В; 6 А10…50*
КТ808А13 В; 2 А20..125
КТ808Б13 В; 2 А20..125
КТ808В13 В; 2 А20..125
КТ808Г13 В; 2 А20..125
КТ808А33 В; 2 А20..125
КТ808Б33 В; 2 А20..125
КТ808АМ3 В; 2 А20..125*
КТ808БМ3 В; 2 А20..125*
КТ808ВМ3 В; 2 А20..125*
КТ808ГМ3 В; 2 А20..125*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ808А10 В≤500
пФ
КТ808А110 В≤500
КТ808Б110 В≤500
КТ808В110 В≤500
КТ808Г110 В≤500
КТ808А3100 В≤500
КТ808Б3100 В≤500
КТ808АМ100 В≤500
КТ808БМ100 В≤500
КТ808ВМ100 В≤500
КТ808ГМ100 В≤500
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ808АОм, дБ
КТ808А1≤0.33
КТ808Б1≤0.33
КТ808В1≤0.33
КТ808Г1≤0.33
КТ808А3
КТ808Б3
КТ808АМ≤0.33
КТ808БМ≤0.33
КТ808ВМ≤0.33
КТ808ГМ≤0.33
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ808АДб, Ом, Вт
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
КТ808Г1
КТ808А3
КТ808Б3
КТ808АМ
КТ808БМ
КТ808ВМ
КТ808ГМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ808А≤2000*пс
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
КТ808Г1
КТ808А3≤2000*
КТ808Б3≤2000*
КТ808АМ≤2000*
КТ808БМ≤2000*
КТ808ВМ≤2000*
КТ808ГМ≤2000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Транзисторы типа: 2Т808А, КТ808А

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные: 2Т808А, КТ808А. Предназначены для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развёртки, электронных регуляторах напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора не более 22 грамма, накидного фланца 12 грамм.

Чертёж транзистора 2Т808А, КТ808А

Характеристика транзистора КТ808А, 2Т808А

Электрические параметры.

Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=6 А, IБ=0,6 А 1-2,5 В
типовое значение 1,4 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=3 В, IК=6 А
при Т=24,85°С 10-50
типовое значение 15
при Т=124,85°С 2Т808А и Т=99,85°С КТ808А 10-150
при Т=-60,15°С 6-50
Отношение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
при Т=124,85°С к статическому коэффициенту при Т=24,85°С, не более
3
Время рассасывания при UКЭ=15 В, IК=6 А, не более 2 мкс
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=3,5 МГц, UКЭ=10 В, IЭ=0,5 А, не менее 2,4
Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=10 В, ƒ=1 МГц, не более 500 пФ
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом
при Т=24,85 и -60,15°С, UКЭ=200 В 2Т808А и UКЭ=120 В КТ808А, не более 3 мА
типовое значение 0,1 мА
при Т=124,85°С, UКЭ=160 В 2Т808А, не более 20 мА
при Т=99,85°С, UКЭ=120 В КТ808А, не более 20 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=4 В, не более 50 мА
типовое значение 4 мА

Предельные эксплуатационные данные 2Т808А, КТ808А.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом, Тп≤99,85°С 120 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при UБЭ=2 В или
RБЭ=10 Ом, τи≤500 мкс, Q≥6, Тп≤99,85°С
250 В
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т=213-398 К 4 В
Постоянный ток коллектора при Т=213-398 К 10 А
Ток базы при Т=213-398 К 4 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Тк=213-323 К с теплоотводом 50 Вт
при Т=213-323 К без теплоотвода 5 Вт
Тепловое сопротивление переход корпус 2 К/Вт
Температура перехода 149,85°С
Температура окружающей среды
2Т808А От -60,15 до Тк=124,85°С
КТ808А От Т=-60,15 до Тк=99,85°С

Примечания. 1. Постоянное и импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Тп=373-423 К снижается линейно на 10% через каждые 10 К.

Не рекомендуется работа транзисторов КТ808А, 2Т808А при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всём диапазоне температур.

Для снижения контактного теплового сопротивления между корпусом и теплоотводом необходимо применять смазку из невысыхающего масла или тонкую фольгу из мягкого металла.

2. Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.

Зависимость максимально допустимой рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса и входные характеристики

Зависимость максимально допустимой рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса и входные характеристики.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока корпуса. 4. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока корпуса. 4. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы и область максимальных режимов

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы и область максимальных режимов.


elektrouzel.ru