Кт818Гм транзистор параметры – КТ818, 2Т818 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Содержание

КТ818, 2Т818 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Основные технические параметры транзистора КТ818, 2Т818

МодельМаксимальные параметрыПараметры при температуре = 25°CRТ п-к, °C/ватт
  при температуре =25°C            
IК, макс, амперIК и, макс, амперUКЭ0 гран, вольтUКБ0 макс, вольтUЭБ0 макс, вольтPК макс, ваттTК, °CTп макс, °CTК макс, °Ch21ЭUКЭ
(UКБ),
вольт
IК(IЭ), амперUКЭ насыщ, вольтIКБ0, мАмперfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ818А101525 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Б101540 5602512510020(5)5213 1000  2,51,67
КТ818В101560 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Г101580 5602512510012(5)5213 1000  2,51,67
КТ818АМ152025 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818БМ152040 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ВМ152060 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ГМ152080 51002512510020551 3 1000  2,51
2Т818А15208010051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818Б1520608051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818В1520406051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818А21520801005402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818Б2152060805402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818В2152040605402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13

Обозначение на схеме КТ818, 2Т818

 

Цоколёвка транзистора КТ818, 2Т818

Цоколёвка транзистора КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ

Внешний вид транзистора на примере КТ818А

 

Внешний вид транзистора на примере  КТ818ГМ

radiohome.ru

Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.

Транзисторы

КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные
низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах.
Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814.
Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г — 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора
10 А и базовом токе 40 мА
3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода
при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА

— не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г — 2N6051.
КТ825Д — 2N6050.
КТ825Е — BDX64.
КТ825ГM — 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б — 2N6286.
2Т825А — TIP147, TIP142

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые
транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ818 — DataSheet

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ818АBD292, BD202, 2N6132 *2, TIP42 *2
КТ818БBD202, BDT92, 40876, BD664, 

BD244 *2, BD246 *2

КТ818ВBD204, BDT94, RCA1C08, 

BD500A,  BD244A *2

КТ818ГBD538, BDT96, BD500B *2, NTE197 *2, ECG197 *2, BDW22B *3, BD710, BD244B *2
КТ818АМ2N6469, BDW52, MJ2901
КТ818БМBDW22, BDX92, 2N6469, BDW52
КТ818ВМBDW52A, 2N5867, 2N6246 *2, BDX18N, 2N5879, BDW52A, 

MJ2940 *2, 2N5875 *2, 2N4908 *2, BDX92 *2

КТ818ГМBDW22C, BDX18, SM2183 *1, АР1119, BD910 *1, BD710 *3, BDW22B *2
КТ818А-1BD546C, MJE1290 *1, TIP34F *3
КТ818Б-1BD546B, BD906 *3, BDW52 *1, BD706 *1, BD664 *3, TIP74 *3
КТ818В-1BD546A, BD908, BD500A, 

BD708 *2, BD244A *2

КТ818Г-1BD546, АР1119 *1, BD910, BD710 *2, SM2183
Структура —p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ818А60*Вт
КТ818Б60*
КТ818В60*
КТ818Г60*
КТ818АМ100*
КТ818БМ100*
КТ818ВМ100*
КТ818ГМ100*
КТ818А-1100*
КТ818Б-1100*
КТ818В-1100*
КТ818Г-1100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ818А(М,-1)≥3МГц
КТ818Б(М,-1)≥3
КТ818В(М,-1)≥3
КТ818Г(М,-1)≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ818А(М,-1)0.1к40*В
КТ818Б(М,-1)0.1к50*
КТ818В(М,-1)0.1к70*
КТ818Г(М,-1)0.1к90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ818А(М,-1)5В
КТ818Б(М,-1)5
КТ818В(М,-1)5
КТ818Г(М,-1)5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ818А10(15*)А
КТ818Б10(15*)
КТ818В10(15*)
КТ818Г10(15*)
КТ818АМ(-1)15(20*)
КТ818БМ(-1)15(20*)
КТ818ВМ(-1)15(20*)
КТ818ГМ(-1)15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ818А(М,-1)40 В≤1мА
КТ818Б(М,-1)40 В≤1
КТ818В(М,-1)40 В≤1
КТ818Г(М,-1)40 В≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ818А(М,-1)5 В; 5 А≥15*
КТ818Б(М,-1)5 В; 5 А≥20*
КТ818В(М,-1)5 В; 5 А≥15*
КТ818Г(М,-1)5 В; 5 А≥12*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ818А(М,-1)5 В≤1000пФ
КТ818Б(М,-1)5 В≤1000
КТ818В(М,-1)5 В≤1000
КТ818Г(М,-1)5 В≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ818А(М)≤0.27Ом, дБ
КТ818Б(М)≤0.27
КТ818В(М)≤0.27
КТ818Г(М)≤0.27
КТ818А-1≤0.4
КТ818Б-1≤0.4
КТ818В-1≤0.4
КТ818Г-1≤0.4
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ818А(М,-1)Дб, Ом, Вт
КТ818Б(М,-1)
КТ818В(М,-1)
КТ818Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ818А(М,-1)≤2500**пс
КТ818Б(М,-1)≤2500**
КТ818В(М,-1)≤2500**
КТ818Г(М,-1)≤2500**

rudatasheet.ru

КТ818ГМ Транзистор

Общая информация

НаименованиеКТ818ГМ Транзистор
Торговая маркаЗАО Группа-Кремний, Брянск
Страна происхождения СССР
ТУаАО.336.188 ТУ
Вид приемки«1»
Масса изделия, гр13,5
Дата выпуска01.01.1991
Наличие паспорта — этикеткипаспорт
ТранслитерацияTransistor KT818GM
Вид упаковкикартонная коробка
Доупаковкакартонная пластина
Состояние упаковкизаводская

Основные параметры

Функциональный типбиполярный
Типоразмер корпуса отечественныйКТ-9
Фактическая маркировкаКТ818ГМ
Габаритные размеры L*W*H39х26х23
Высота корпуса10 mm
Длина выводов13 mm

Технические характеристики

Макс. обратный ток1 mA
Макс. мощность рассеивания100 W
Макс. допустимое напряжение эммитер-база Uэб5 V
Макс. допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ90 V
Макс. допустимый постоянный ток коллектора15 A
Статический коэффициент передачи токане менее 12
Структураp-n-p

Транзистор КТ818ГМ биполярный, кремниевый, меза-эпитаксиально-планарный, структуры n-p-n переключательный, граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц,. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.

ipelectron.ru

КТ818ГМ Транзистор

Общая информация

НаименованиеКТ818ГМ Транзистор
Торговая маркаЗАО Группа-Кремний, Брянск
Страна происхождения СССР
ТУаАО.336.188 ТУ
Вид приемки«1»
Масса изделия, гр13,5
Дата выпуска01.01.1988
Наличие паспорта — этикеткипаспорт
ТранслитерацияTransistor KT818GM
Вид упаковкикартонная коробка
Доупаковкакартонная пластина
Состояние упаковкизаводская

Основные параметры

Функциональный типбиполярный
Типоразмер корпуса отечественныйКТ-9
Фактическая маркировкаКТ818ГМ
Габаритные размеры L*W*H39х26х23
Высота корпуса10 mm
Длина выводов13 mm

Технические характеристики

Макс. обратный ток1 mA
Макс. мощность рассеивания100 W
Макс. допустимое напряжение эммитер-база Uэб5 V
Макс. допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ90 V
Макс. допустимый постоянный ток коллектора15 A
Статический коэффициент передачи токане менее 12
Структураp-n-p

Транзистор КТ818ГМ биполярный, кремниевый, меза-эпитаксиально-планарный, структуры n-p-n переключательный, граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц,. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.

ipelectron.ru

КТ818

КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ

Транзисторы меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных
усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г выпускаются в пластмассовом корпусе с
гибкими выводами (вариант 1).
Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ — в металлостеклянном корпусе с
жесткими выводами (вариант 2).
Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г не более 2,5 г,
Масса транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ не более 15 г.

Электрические параметры

Граничное напряжение при Ik = 0,1 А, ?и < 300 мкс, Q > 100 не менее:
КТ818А, КТ818АМ25 В
КТ818Б, КТ818БМ40 В
КТ818В, КТ818ВМ60 В
КТ818Г, КТ818ГМ80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Ik = 5 А, Ib = 0,5 А не более2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Ik = 5 А, Ib = 0,5 А не более3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ = 5 В, IK = 5 А не менее:
КТ818А, КТ818В, КТ818АМ, КТ818ВМ15
КТ818Б, КТ818Г, КТ818БМ, КТ818ГМ12
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКБ = 5 В, IЭ = 0,5 А не менее3 МГц
Емкость коллекторного перехода при UКЭ = 5 В, f = 465 кГц не более115 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ = 40 В не более1 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при бесконечном значении RБЭ, Tк 233…373 К:
КТ818А, КТ818АМ25 В
КТ818Б, КТ818БМ40 В
КТ818В, КТ818ВМ60 В
КТ818Г, КТ818ГМ80 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ < 100 Ом, Tк 233…373 К:
КТ818А, КТ818АМ40 В
КТ818Б, КТ818БМ50 В
КТ818В, КТ818ВМ70 В
КТ818Г, КТ818ГМ100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Tк 233…373 К 5 В
Постоянный ток коллектора при Tк 233…373 К:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г10 А
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ15 А
Импульсный ток коллектора при ?и < 10 мс, Q> 100, Tк 233…373 К:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г15 А
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ20 А
Постоянный ток базы при Tк 233…373 К 3 А
Импульсный ток базы при ?и < 10 мс, Q > 100, Tк 233…373 К 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
с теплоотводом при Tк < 298 К:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г 60 Вт
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ100 Вт
без теплоотвода при Tк < 298 К:
КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г1.5 Вт
КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ 2 Вт
Температура перехода398 К
Температура окружающей средыот 233 до 373 К

www.ec-centre.com.ua

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)



September 10, 2012 by admin
Комментировать »

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распостранению в странах СНГ.

В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металическом корпусе.

  КТ819 , 2Т819 (кремниевый транзистор, n-p-n)

   

КТ819 (А…Г), 2Т819 (А2…В2)                                            КТ819 (АМ…ГМ), 2Т819 (А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ
(UКБ),
В
IК (IЭ), АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ819А101525 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ819Б101540 5602512510020(5)5213 1000  2,51,67
КТ819В101560 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ819Г101580 5602512510012(5)5213 1000  2,51,67
КТ819АМ152025 5100251251001555213 1000  2,51
КТ819БМ152040 5100251251002055213 1000  2,51
КТ819ВМ152060 5100251251001555213 1000  2,51
КТ819ГМ152080 5100251251001255213 1000  2,51
2Т819А15208010051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819Б1520608051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819В1520406051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819А21520801005402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13
2Т819Б2152060805402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13
2Т819В2152040605402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13

   КТ818 , 2Т818 (кремниевый транзистор, p-n-p)

      

КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2)                                   КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ
(UКБ),
В
IК (IЭ), АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ818А101525 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Б101540 5602512510020(5)5213 1000  2,51,67
КТ818В101560 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Г101580 5602512510012(5)5213 1000  2,51,67
КТ818АМ152025 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818БМ152040 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ВМ152060 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ГМ152080 51002512510020551 3 1000  2,51
2Т818А15208010051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818Б1520608051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818В1520406051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818А21520801005402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818Б2152060805402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818В2152040605402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13

nauchebe.net