Кт825 технические характеристики – КТ825, 2Т825 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ825, kt825 характеристики (datasheet) | Техника и Программы



September 7, 2012 by admin
Комментировать »

   Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь – 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики тарнзисторов КТ825:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, Втпри TК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКБIЭ, АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ825Г203070 51252515010075010102 4 60060014,51
КТ825Д203045 51252515010075010102 4 60060014,51
КТ825Е203025 51252515010075010102 4 60060014,51
2Т825А204080 516025175125500…1800010102 4 60060014,51,2
2Т825Б204060 516025175125750…1800010102 4 60060014,51,2
2Т825В204045 516025175125750…1800010102 4 60060014,51,2
2Т825А215408010053025150100500…1800010102 4 250400  4,17
2Т825Б21540608053025150100750…1800010102 4 250400  4,17
2Т825В21540456053025150100750…1800010102 4 250400  4,17

nauchebe.net

КТ825, 2Т825 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ825, 2Т825 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

Основные технические параметры транзистора КТ825, 2Т825.

Транз
истор
IК, макс (имп)
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21ЭUКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ825Г20 (30)705125750234
КТ825Д20 (30)455125750234
КТ825Е20 (30)255125750234
2Т825А20 (40)805160500…18000234
2Т825Б20 (40)605160750…18000234
2Т825В20 (40)455160750…18000234
2Т825А215 (40)80100530500…18000234
2Т825Б215 (40)6080530750…18000234
2Т825В215 (40)4560530750…18000234

Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ825, 2Т825

Внешний вид транзистора на примере КТ825Г


radiohome.ru

КТ825 характеристики (datasheet) | Техника и Программы

 

 

 

 

         

 

 

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь – 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, Втпри TК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКБIЭ, АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ825 Г203070 51252515010075010102 4 60060014,51
КТ825 Д203045 51252515010075010102 4 60060014,51
КТ825 Е203025 51252515010075010102 4 60060014,51
2Т825 А204080 516025175125500…1800010102 4 60060014,51,2
2Т825 Б204060 516025175125750…1800010102 4 60060014,51,2
2Т825 В204045 516025175125750…1800010102 4 60060014,51,2
2Т825 А215408010053025150100500…1800010102 4 250400  4,17
2Т825 Б21540608053025150100750…1800010102 4 250400  4,17
2Т825 В21540456053025150100750…1800010102 4 250400  4,17

nauchebe.net

Транзистор КТ825 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КТ825, КТ826

 

Параметры транзистора КТ825
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ825ГBDX62A, MJ4031, 2N6286, 

PMD1702K, SK9439 *2, 2N6051 *2, BDW84B *2

КТ825ДBDX62, MJ2500, PMD1701К, 2N6285
КТ825ЕBDX86
Структура —p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ825Г125*Вт
КТ825Д125*
КТ825Е125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ825Г≥4МГц
КТ825Д≥4
КТ825Е≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ825Г0.1к90*В
КТ825Д0.1к60*
КТ825Е0.1к30*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ825Г5В
КТ825Д5
КТ825Е5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ825Г20(30*)А
КТ825Д20(30*)
КТ825Е20(30*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ825Г90 В≤1*мА
КТ825Д60 В≤1*
КТ825Е30 В≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ825Г10 В; 10 А≥750*
КТ825Д10 В; 10 А≥750*
КТ825Е10 В; 10 А≥750*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ825Г10 В≤600пФ
КТ825Д10 В≤600
КТ825Е10 В≤600
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ825Г≤0.4Ом, дБ
КТ825Д≤0.4
КТ825Е≤0.4
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ825ГДб, Ом, Вт
КТ825Д
КТ825Е
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ825Г≤4.5**мкспс
КТ825Д≤4.5**мкс
КТ825Е≤4.5**мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Параметры транзистора КТ825. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

Параметры транзистора КТ825. Datasheet. Цоколевка и аналоги.


КТ825

кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной (Дарлингтона) n-p-n
транзистор в пластмассовом корпусе TO-3

Назначение: КТ825
предназначен для применения
усилителях низкой частоты, переключающих устройствах

Типы: КТ825
Г, КТ825
Д, КТ825 Е

Аналог КТ825
: по параметрам близок 2N6050

Комплементарная пара: npn транзистор КТ827

Цоколевка КТ825
:
см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ825
:
вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet:
(подробные
характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные параметры транзисторов КТ825:
ПараметрыРежим измеренияMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ825Uкэ=10B, Iк=10A 75018000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ825
Iк=10А, Iб=40мA1

2.0В

Напряжение насыщения база-эмиттер КТ825Iк=20A, Iб=200мA2.64.0В
Предельные параметры транзисторов КТ825
:
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ825 Г
КТ825 Д
КТ825 Е
Rэб≤ 1кОм 90В
60В
30В
Напряжение эмиттер-база (обратное)  
Постоянный ток коллектора КТ825  20А
Импульсный ток коллектора  40А
Постоянный ток базы  0.5А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 25 °С 125Вт

Подробные характеристики КТ825
и графики зависимостей
параметров приведены в
справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru