Маркировка полевых транзисторов – Цветовая маркировка полевых транзисторов и их аналоги — ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ — СПРАВОЧНИК — Каталог файлов

Содержание

Транзистор полевой — проверка исправности — Транзисторы полевые — РАДИОДЕТАЛИ — Каталог статей

 

     Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, малому сопротивлению в открытом состоянии, находят широкое применение в блоках  питания компьютеров, мониторов, телевизоров,  видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры, постепенно, но неуклонно вытесняя транзисторы биполярные.

1         Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.

При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.

При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

2     Определение цоколёвки полевых транзисторов

Полевые транзисторы, выполненные по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) в англоязычной литературе носят наименование MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor). Расположение выводов (цоколёвка) полевых транзисторов Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet). Их можно найти в инете, например на сайте alldatasheet.com. 

Основные типы корпусов полевых транзисторов импортного производства

Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3. Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.

 

 

Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3. Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

 

Корпус типа SO-8.Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

 

 Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8.  тличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

 

 

Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3. По сути — полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Интел на ряде своих плат

 

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные беруться из Даташит (Datasheet — в дословном переводе «бумажка с информацией) — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF.

3     Основные характеристики N-канального полевого транзистора

Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

·        Vds — Drain to Source Voltage — максимальное напряжение сток-исток.

·        Vgs — Gate to Source Voltage — максимальное напряжение затвор-исток.

·        Id — Drain Current — максимальный ток стока.

·       Vgs(th) — Gate to Source Threshold Voltage — пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.

·        Rds(on) — Drain to Source On Resistance — сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.

·        Q(tot) — Total Gate Charge — полныйзарядзатвора.

 

Параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

 

 

4     Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~30V и ток (Id) ~20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток.

 

Примеры:

·       IPP15N03L — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO220

·       IPB15N03L — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO263(D²PAK)

·        SPI80N03S2L-05 — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ Id=80A TO262

·        NTD40N03R — On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ

·        STD10PF06 — ST STripFET™ II Power P-channel, MOSFET 60V 0.18Ω  10A IPAK/DPAK

 

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX — или Rds, или Id Y — тип канала ZZ – Vds.

 

 

5      Алгоритм проверки исправности полевого транзистора

 

Проверку можно проводить стрелочным омметром (предел х100), но более удобно это делать цифровым мультиметром в режиме тестирования P-N пере­ходов (предел, отмеченный значком ). Показываемое мультиметром зна­чение сопротивления на этом пределе численно равно напряжению на P-N переходе в милливольтах.

Рассмотрим проверку на примере транзистора 20N03:

У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от полярности прикладываемого напряжения (щупов). 

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод.

Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к подложке — СТОКУ (D), красным (положительным) — к выводу ИСТОКА (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 — 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт.

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом вывода ЗАТВОРА (G) и опять возвращаем его на вывод ИСТОКА (S). Мультиметр показывает близкое к нулю значение, причём при любой полярности приложенного напряжения — полевой транзистор открылся прикосновением. На некоторых цифровых мультиметрах возможно значение будет не 0, а 150…170 мВ

Если теперь черным щупом коснуться вывода ЗАТВОРА (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на вывод подложки — СТОКА (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз — исправен.

Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Методика проверки исправности полевых транзисторов с достаточной стапенью правильности показана в видеоролике от магазина Чип и Дип

vmtt-comp.do.am

Справочник полевые транзисторы

Справочник

Пары и сборки полевых транзисторов

2П101 — КПС203

 КП301 — КП312

 КП313 — 3П330

 3П331 — КП350

 3П351 — КП364

 КП501 — КП698

 КП150 — КП640 (транзисторы мощные)

 КП701 — КП730

 КП731 — КП771

 КП801 — КП840

 КП901 — 3П930

 КП931 — КП948

 КП951 — КП973

 

Цветовая маркировка полевых транзисторов

Цоколевка полевых транзисторов 1-12

КП101, КП314, КП333, КП102, КП103, КП308-9, КПС104, КП201,КПС202, КПС203, КП301, КП302, КП601, КП914, КП303, КП307, КП310, КП337, КП304

Цоколевка полевых транзисторов 13−24

КП305, КП306, КП350, КП312, КП341, КП313, КПС315, КП322, КП323-2, 2П335-2 , 3П324-2, 3П325-2, 3П343-2, 3П344-2, 3П320-2, 3П321-2, 3П326-2, 3П330-2, 3П331-2, 3П339-2, 3П605-2, 3П328-2…

Цоколевка полевых транзисторов 25−36

2П338-1, 3П345-2, 3П602-2, 3П910-2, 3П603-2, 3П604-2, 3П606-2, 3П608-2, 3П927-2,  2П103-9, КП346-9, 2П347-2, 2П601-9, 2П607-2, КП327, КП103-1

Цоколевка полевых транзисторов 37−48

КПС316, КП901, КП902, КП903, КП904, KP905, KP907, KP908, 2П909, 2П911, 2П913, КП705, КП801, КП802, КП912, КП921, КП926, КП934, КП937, 2П918, 2П923, 2П941, 3П915-2, 3П925-2, 2П920, 2П928, 3П930-2

Цоколевка полевых транзисторов 49−60

2П933, 2П701, 2П702, 2П703, 2П803, КП921, КП931, КП704, КП707-1, КП922-1, КП946, КП948, КП932, КП707, 504НТ1 — 504НТ4, КР504НТ1 — КР504НТ4, 2П706, КП150…

radioschema.ru

Условные обозначения полевых транзисторов

В электронике полевым транзистором называется электронный компонент, в котором ток проходящий через канал регулируется электрическим полем, образующимся в результате подачи напряжения между его истоком и затвором. Основным отличием полевого транзистора от транзистора биполярного является то, что выходное и входное сопротивление у него существенно выше.

Плевые транзисторы нередко именуют униполярными, поскольку основным принципом их действия является перемещение при помощи поля носителей зарядов одного и того же типа. Конструктивно эти приборы представляют собой изготовленные из полупроводниковых материалов пластинки одного типа проводимости, на противоположных сторонах которых способом диффузии создается область другого типа проводимости. На их границах образуется обладающий большим сопротивлением pn-переход.

В полевых транзисторах существуют области полупроводника которые называют каналами. Их поперечное сечение, а вместе с ним и ток носителей заряда изменяются под воздействием электрического поля.

Структура полевого транзистора

с управляющим pn-переходом и каналом n-типа

В случае, если между p-областью и n-областью приложить некоторое напряжение Uзи., как показано на рисунке выше, то pn-переход окажется включенным в обратном направлении, следовательно его толщина увеличится, а толщины канала уменьшается. При этом принято p-область называть затвором полевого транзистора, или же его управляющим электродом. Если к этому каналу подключить еще один источник напряжения U., то через него начнёт протекать ток в направлении от нижнего к верхнему участку n-области. Часть этой области, от которой основные носители зарядов начинают свое движение, называется истоком, а та часть, по направлению к которой они перемещаются – стоком.

Что касается величины тока, который протекает через канал, то определяющим для нее является сопротивление. Оно, в свою очередь, напрямую зависит от толщины канала. Таким образом, если изменяется величина приложенного к каналу напряжения, то вслед за этим происходит изменение величины тока.

В тех случаях, когда для производства этого электронного компонента в качестве основы берут полупроводник p-типа, то получается полевой транзистор, имеющий канал р-типа и управляющий pn-переход. Канал в нем образуется n-областью.

Структура и схема подключения МДП-транзистора

с индуцированным каналом

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Помимо тех полевых транзисторов, которые имеют в своей конструкции управляющий затвор, имеются и такие, у которых он изолирован. В электронике для обозначения таких транзисторов используют аббревиатуры МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник). Соответственно, такие приборы называют МОП-транзисторами или МДП-транзисторами.

Для МДПтранзистора характерно то, что в нем между истоком и стоком располагается n-область, представляющая собой подложку. Поэтому образуется два pn-перехода, которые включены навстречу друг другу. При этом вне зависимости от того, какую именно полярность имеет питающее напряжение, один из этих переходов всегда закрыт, так что в в направлении «исток-сток» ток равен нулю.

Если на затвор подается отрицательное напряжение, то ток в цепи начинает течь. Дело в том, что на расположенные в подложке электроны действует электрическое поле, и они начинают передвигаться вглубь нее.

Существует некоторое пороговое значение напряжения, при котором количество дырок, расположенных у самой поверхности подложки, становится существенно больше, чем электронов. В результате этого происходит так называемая инверсия типа электроповодности: она обретает p-тип. В результате этого между стоком и истоком получается канал, связывающий их. Его толщина зависит от того, какое именно значение имеет приложенное напряжение. Если изменять его, то можно регулировать и толщину канала, поскольку сопротивление участка, располагающегося между истоком и стоком, также будет изменяться.

Обозначения полевых транзисторов на схеме

selectelement.ru

Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов — DataSheet

Буквенное обозначениеПараметр
ОтечественноеМеждународное
 IЗIG Ток затвора (постоянный).
Iз отсIGSX Ток отсечки затвора.
IЗ пр IGF Прямой ток затвора.
IЗ утIGSS Ток утечки затвора.
IЗИОIGSO Обратный ток перехода затвор-исток.
IЗСОIGDO Обратный ток перехода затвор-сток.
IИIS Ток истока (постоянный).
 IИ начISDS Начальный ток истока.
 IИ ост ISDX Остаточный ток истока.
IСID Ток стока (постоянный).
 IС нагрIDSR Ток стока при нагруженном затворе.
  IС начIDSS Начальный ток стока.
 IС остIDSX Остаточный ток стока.
 IПIB, IU Ток подложки.
UЗИ UGS Напряжение затвор-исток (постоянное).
 UЗИ обр UGSR Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
 UЗИ отс UGS(OFF),  UGS(off) Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором
и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).
UЗИ пор UGST, UGS(th), UGS(TO) Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затвором и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором).
 UЗИ прUGSF Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗ пробU(BR) GSS Пробивное напряжение затвора — напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
UЗПUGB, UGU Напряжение затвор-подложка (постоянное).
UЗСUGD Напряжение затвор-сток (постоянное).
UИПUSB, USU Напряжение исток-подложка (постоянное).
 UСИUDS Напряжение сток-исток (постоянное).
  UСПUDB, UDU Напряжение сток-подложка (постоянное).
  U31— U32UG1— UG2 Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами).
PСИPDS Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
PСИ, т max Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом
(постоянная).
Sgms Крутизна характеристики.
RЗИrGS, rgs Сопротивление затвор-исток.
RЗСrGD, rgd Сопротивление затвор-сток.
RЗСОrGSS, rgss Сопротивление затвора (при UDS = 0 или Uds = 0).
RСИ откrDS(ON), rds(on), rDS on Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток.
RСИ закрrDS(OFF), rds(off), rDS off Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток.
СзиоCgso Емкость затвор-исток — емкость между затвором и истоком при
разомкнутых по переменному току остальных выводах.
СзсоCgdo Емкость затвор-сток — емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
СсиоCdso Емкость сток-исток — емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
C11и, Свх, иCiss, C11ssВходная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком.
С12иCrss, C12ss Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком
замыкании на входе по переменному току.
С22иCoss, C22ss Выходная емкость транзистора — емкость между стоком
и истоком.
С22с Cods, C22ds Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменному току).
g11иgiss, g11s Активная составляющая входной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
g22иgoss, g22s Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y11иYis, Y11s Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Y12иYrs, Y12s Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y21иYfs, Y21s Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе;
Yfs = gfs + gbfs = Id / Ugs ; на низких частотах |Yfs| = gfs).
Y22иYos, Y22s Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замыкании на входе).
Kу. PGP Коэффициент усиления по мощности.
fY21иfYfs Частота отсечки в схеме с общим истоком.
UшUn Шумовое напряжение транзистора.
Eшen Электродвижущая сила шума
 KшF Коэффициент шума транзистора.
αID Температурный коэффициент тока стока.
αrds Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
tвклton Время включения транзистора.
tвыклtoff Время выключения транзистора.
tзд, вклtd(on) Время задержки включения.
tзд, выклtd(off) Время задержки выключения.
tнрtr Время нарастания.
tспtf Время спада.
Для сдвоенных полевых транзисторов:
IЗ(ут)1-IЗ(ут)2IGSS1-IGSS2 Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых транзисторов с р-n-переходом).
IC нач1/IC нач1IDSS1/IDSS2 Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток.
UЗИ1-UЗИ2UGS1-UGS2 Разность напряжений затвор-исток.
|Δ(UЗИ1-UЗИ2 )|/ΔT|Δ(UGS1-UGS2 )|/ΔT Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значениями температуры.
g22и1-g22и2gos1-gos2 Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.
 g21и1/g21и2gos1/gos2 Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.

rudatasheet.ru

Устройство и маркировка биполярного транзистора

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Продолжаем знакомиться с полупроводниковыми приборами и с этой статьи начнем разбираться с транзистором. В этой части мы познакомимся с устройством и маркировкой биполярных транзисторов.

Полупроводниковые транзисторы бывают двух видов: биполярные и полевые.
В отличие от полевых транзисторов биполярные получили наиболее широкое применение в радиоэлектронике, а чтобы эти транзисторы как-то отличать друг от друга, биполярные принято называть просто — транзисторами.

1. Устройство и обозначение биполярного транзистора.

Схематично биполярный транзистор можно представить в виде пластины полупроводника с чередующимися областями разной электропроводности, которые образуют два p-n перехода. Причем обе крайние области обладают электропроводностью одного типа, а средняя область электропроводностью другого типа, и где каждая из областей имеет свой контактный вывод.

Если в крайних областях полупроводника преобладает дырочная электропроводность, а в средней области электронная, то такой полупроводниковый прибор называют транзистором структуры p-n-p.

А если в крайних областях преобладает электронная электропроводность, а в средней дырочная, то такой транзистор имеет структуру n-p-n.

А теперь возьмем схематичную часть транзистора и прикроем любую крайнюю область, например, область коллектора, и посмотрим на результат: у нас остались открытыми область базы и эмиттера, то есть получился полупроводник с одним p-n переходом или обычный полупроводниковый диод. О диодах можно почитать здесь.

Если же мы прикроем область эмиттера, то останутся открытыми области базы и коллектора — и также получается диод.

Отсюда возникает вывод, что биполярный транзистор можно представить в виде двух диодов с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. При этом общая (средняя) область называется базой, а примыкающие к базе области коллектором и эмиттером. Это и есть три электрода транзистора.

Примыкающие к базе области делают неодинаковыми: одну из областей изготавливают так, чтобы из нее наиболее эффективно происходил ввод (инжекция) носителей заряда в базу, а другую область делают таким-образом, чтобы в нее эффективно осуществлялся вывод (экстракция) носителей заряда из базы.

Отсюда получается:

область транзистора, назначением которой является ввод (инжекция) носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным.

область транзистора, назначением которой является вывод (экстракция) носителей из базы, называется коллектором, и соответствующий p-n переход коллекторным.

То есть получается, что эмиттер вводит электрические заряды в базу, а коллектор их забирает.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на принципиальных схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p-n-p транзисторах она обращена в сторону базы, а в n-p-n транзисторах – от базы.

2. Технология изготовления биполярных транзисторов.

Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.

Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.
Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.

На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.

В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.

С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.

Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.

Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.

Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.

При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.

Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.

Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.

3. Маркировка биполярных транзисторов.

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент — буква Г, К, А или цифра 1, 2, 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1. Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2. Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3. Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия.

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

Однако до сих пор еще можно встретить транзисторы, на которых стоит более ранняя система обозначения, например, П27, П213, П401, П416, МП39 и т.д. Такие транзисторы выпускались еще в 60 — 70-х годах до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Пусть эти транзисторы устарели, но они все еще пользуются популярностью и применяются в радиолюбительских схемах.

В рамках этой части статьи мы рассмотрели лишь общие методы изготовления транзисторных структур, чтобы начинающему радиолюбителю было легче понять внутреннее устройство транзистора.

На этом мы закончим, а в следующей части проведем несколько опытов и на их основе сделаем практические выводы о работе биполярного транзистора.
Удачи!

Литература:

1. Борисов В.Г — Юный радиолюбитель. 1985г.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К — Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» — 4-е изд. перераб. и доп. 1987г.

sesaga.ru

Цветовая маркировка полевых транзисторов — Меандр — занимательная электроника

Типовые области применения полевых транзисторов

Зарубежные аналоги полевых транзисторов

Читать все новости

КП312А
КП312Б
2П312А
2П312Б
маркируется двумя желтыми точками
маркируется двумя синими точками
маркируется одной желтой точкой
маркируется одной синей точкой
3П320А-2
3П320Б-2
маркируется одной красной точкой
маркируется одной зеленой точкой
КП323А-2
КП323Б-2
маркируется черным символом «+»
маркируется синим символом «+»
3П324А-2
3П324Б-2
маркируется одной красной точкой
маркируется одной синей точкой
АП325А-2
3П325А-2
маркируется черной полосой и точкой
маркируется черной полосой
3П326А-2
3П326Б-2
не маркируется
маркируется черной точкой
КП327А
КП327Б
КП327В
КП327Г
маркируется одной белой точкой
маркируется двумя белыми точками
маркируется одной красной точкой
маркируется двумя красными точками
3П328А-2маркируется черной точкой
КП329А
КП329Б
маркируется одной цветной точкой
маркируется двумя цветными точками
3П330А-2
3П330Б-2
3П330В-2
не маркируется
маркируется белой точкой
маркируется черной точкой
3П331А-2маркируется черной полосой
3П339А-2маркируется черными точкой и полосой
3П343А-2маркируется двумя черными точками
3П344А-2маркируется черной точкой
КП346А-9
КП346Б-9
маркируется белой точкой
маркируется желтой точкой
3П606А-2
3П606Б-2
3П606В-2
маркируется черной точкой
маркируется двумя черными точками
маркируется тремя черными точками
3П608А-2
3П608Б-2
3П608Г-2
маркируется желтой точкой
маркируется двумя желтыми точками
маркируется зеленой точкой
3П927А-2
3П927Б-2
3П927В-2
3П927Г-2
3П927Д-2
маркируется красной точкой
маркируется белой точкой
маркируется черной точкой
маркируется красной и белой точками
маркируется красной и черной точками

Возможно, Вам это будет интересно:

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/5467

meandr.org

Маркировка полевых SMD транзисторов — Меандр — занимательная электроника

Маркировка биполярных SMD транзисторов

Полевые транзисторы КП101-КПС203

Читать все новости

МаркировкаТип прибораМаркировкаТип прибора
6AMMBF4416C92SST4392
6BMMBF5484C93SST4393
6CMMBFU310h26SST4416
6DMMBF5457I08SST108
6EMMBF5460I09SST109
6FMMBF4860I10SST110
6GMMBF4393M4BSR56
6HMMBF5486M5BSR57
6JMMBF4391M6BSR58
6KMMBF4932P01SST201
6LMMBF5459P02SST202
6TMMBFJ310P03SST203
6WMMBFJ175P04SST204
6YMMBFJ177S14SST5114
B08SST6908S15SST5115
B09SST6909S16SST5116
B10SST6910S70SST270
C11SST111S71SST271
C12SST112S74 SST174
C13SST113S75SST175
C41SST4091S76SST176
C42SST4092S77SST177
C43SST4093TVMMBF112
C59SST4859Z08SST308
C60SST4860Z09SST309
C61SST4861Z10SST310
C91SST4391

МОП — транзисторы

МаркировкаТип прибораМаркировкаТип прибора
6ZMMBF170V01VN50300T
7012N7001V02VN0605T
702SN7002V04VN45350T
SABSS123V0AJTP610T
SSBSS138V50VP0610T

Возможно, Вам это будет интересно:

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/5410

meandr.org