Обозначения транзисторов на схеме – ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации (ЕСКД). Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (с Изменениями N 1-4), ГОСТ от 16 августа 1973 года №2.730-73

Содержание

Обозначение радиодеталей на схеме

Обозначение радиодеталей на схеме

В данной статье приведен внешний вид и схематическое обозначение радиодеталей

 

Каждый наверно начинающие радиолюбитель видел и внешне радиодетали и возможно схемы,но что чем является на схеме приходится долго думать или искать,и только где то он может прочитает и увидит новые для себя слова такие как резистор, транзистор, диод и прочее.А как же они обозначаются.Разберем в данной статье.И так поехали.

1.Резистор

Чаще всего на платах и схемах можно увидеть резистор,так как их по количеству на платах больше всего.

Резисторы бывают как постоянные,так и переменные(можно регулировать сопротивление с помощью ручки)

Одна из картинок постоянного резистора ниже и обозначение постоянного и переменного на схеме.

А где переменный резистор как выглядет. Это еще картиночка ниже.Извиняюсь за такое написание статьи.

 

2.Транзистор и его обозначение

Много информации написано, о функциях ихних, но так как тема о обозначениях.Поговорим об обозначениях.

Транзисторы бывают биполярными,и полярными, пнп и нпн переходов.Все это учитывается при пайке на плату, и в схемах.Увидите рисунок,поймете

Обозначение транзистора нпн перехода npn

Э это эммитер, К это коллектор, а Б это база.Транзисторы pnp переходов будет отличатся тем что стрелочка будет не от базы а к базе.Для более подробного еще одна картинка

Есть так же кроме биполярных и полевые транзисторы, обозначение на схеме полевых транзисторов похожи, но отличаются.Так как нет базы эмиттера и коллектора, а есть С — сток, И — исток, З — затвор

И напоследок о транзисторах как же они выглядат на самом деле

Общем если у детали три ножки, то 80 процентов того что это транзистор.

Если у вас есть транзистор и незнаете какого он перехода и где коллектор, база, и вся прочая информация,то посмотрите в сравочнике транзисторов.

 

Конденсатор, внешний вид и обозначение

Конденсаторы бывают полярные и неполярные, в полярных на схеме приресовывают плюс, так как он для постоянного тока, а неполярные соответствено для переменного.

Они имеют определенную емкость в мКф (микрофарадах) и расчитаны на определенное напряжение в вольтах.Все это можно прочитать на корпусе конденсатора

 

Микросхемы, внешний вид обозначение на схеме

Уфф уважаемые читатели, этих существует просто огромное количество в мире, начинаю от усилителей и заканчивая телевизорами

Ну пару слов скажу.Смотреть их так же как и транзисторы в справочниках.У них от 8 и выше выводов ножек.С какой ножки отсчитывать смотрится тоже в справочнике.А на схеме самой указывают первую и последнюю ножку в обозначении.

Диод, обозначение на схеме

Сказав в кратце о этой радиодетали, скажу что она пропускает ток в одну сторону и непропускает в другую.Применяются самое распространеное для выпрямление тока, делают из переменного — постоянный

Насчет обозначений остальных деталей которых нет в этой статье я буду еще возращатся.

автор Шепелев Алексей

radiostroi.ru

Радио для всех — Транзисторы

 

 

Слово Transistor является аббревиатурой и представляет собой комбинацию слов Transfer + Varistor, используемых для описания их режима работы еще в первые дни своего создания.

Три изобретателя транзистора: (слева направо) Уильям Шокли, Джон Бардин. И Уолтер Браттен.
Которые были награждены Нобелевской премией 1956 года по физике.

 

Первый транзистор

 

Добавьте дополнительный полупроводниковый слой к соединительному диоду, и вы получите BJT. BJT — трехслойный (легированный) полупроводниковый «сэндвич»,который может быть либо PNP, либо NPN.

 

 

BJT — это регулятор тока, управляемый током. Основной ток протекает от эмиттера к коллектору (PNP) или от коллектора к эмиттеру (NPN). Вы управляете основным током, изменяя  базовый ток. Управляющий ток протекает от эмиттера до базы (PNP-прямая проводимость) или от базы к эмиттеру (NPN-обратная проводимость). Маленькая стрелка на эмиттере всегда указывает направлении тока/ Ток эмиттера = базовый ток + ток коллектора по KCL (международный калибровочный стандарт для измерения электропроводности).

 

 

BJT являются «биполярными», потому что они используют оба типа несущей (электроны + дырки). Когда базовый ток равен 0 (или меньше порогового тока), транзистор выключен (становится полностью непроводящим. Когда базовый ток максимален, транзистор насыщается (становится полностью проводящим). Поскольку подвижность электронов больше подвижности дырок, NPN является более распространенным. Управляемый ток протекает через 2 внешних слоя, а не в базовом.

 

BJT как переключатель

Примечание: BJTs фактически имеют 5 рабочих режимов (а не только обрезание или насыщение)/ Для наших целей мы будем иметь дело главным образом с областями отсечки и насыщения, что позволяет нам использовать BJT в качестве прогрессивного переключателя

 

 

Крошечный сигнал, взятый из микрофона (представьте себе хлопок), однажды выпрямленный, можно использовать для включения базы транзистора и включения лампы. Крошечный ток будеи управлять гораздо большим током (усилением). Аккумулятор обеспечивает больший ток, а не транзистор (без магии). Чем громче хлопок, тем ярче горит лампочка (активный режим) пока не достигнет насыщения.

BJT, как мы уяснили, это в основном управляемое током устройство.

 

На транзисторе NPN

·Высокий потенциал на коллекторе
·Низкий потенциал у эмиттера
·Протекает ток, когда базовому элементу придается высокий потенциал

На транзисторе NPN

·Высокий потенциал на эмиттере
·Низкий потенциал на коллекторе
·Протекает ток, когда база подключена к низкому потенциалу

 

Режимы BJT

-Область отсечки: VBE <VFB, iB = 0
-Транзистор действует как выключатель
-Активная линейная область: VBE = VFB, iB ≠ 0, iC = βiB
-Транзистор действует как усилитель тока
-Область насыщения: VBE = VFB, iB> iC, max / β
В этом режиме транзистор действует как переключатель включения

 

3 параметра, представляющие интерес

-Коэффициент усиления по току (β)
-Падение напряжения от базы к эмиттеру при VBE = VFB
-Минимальное падение напряжения на коллекторе и эмиттере при насыщении транзистора

 

Поскольку биполярный транзистор является трехконтактным устройством, существует три возможных способа его подключения в электронной схеме, причем один вывод является общим для входа и выхода. Каждый способ соединения по-разному реагирует на входной сигнал в цепи, поскольку статические характеристики транзистора изменяются в зависимости от схемы.

  • Общая конфигурация базы — имеет коэффициент усиления по напряжению , но не коэффициент усиления по току.
  • Общая конфигурация излучателя — имеет коэффициент усиления по току и напряжению .
  • Общая конфигурация коллектора — имеет коэффициент усиления по току, но без усиления напряжения .

 

Конфигурация с общей базой (ОБ)

Как следует из названия, в базовой конфигурации базовое соединение является общим как для входного сигнала, так и для выходного сигнала, при этом входной сигнал подается между базовым и эмиттерным терминалами. Соответствующий выходной сигнал берется между базовым и коллекторным терминалами, как показано на базовом терминале, заземленном или подключенном к фиксированной опорной точке напряжения.

Входной ток, протекающий в эмиттер, достаточно велик, так как сумма его как основного тока, так и тока коллектора соответственно, следовательно, токовый выход коллектора меньше входа тока эмиттера, что приводит к коэффициенту усиления по току для этого типа схемы «1», (Единицы) или меньше, другими словами, общая базовая конфигурация «ослабляет» входной сигнал.

Общая цепь базового транзистора

Эта конфигурация усилителя такого типа является схемой усилителя без инвертирующего напряжения, поскольку напряжения Vin и Vout сигнала являются « синфазными » . Этот тип структуры транзистора не очень распространен из-за его необычно высоких характеристик усиления напряжения. Его входные характеристики соответствуют характеристикам прямого смещенного диода, в то время как выходные характеристики соответствуют характеристикам освещенного фотодиода. Также этот тип биполярной конфигурации транзистора имеет высокое отношение выходного сигнала к входному сопротивлению или, что более важно, «нагрузочное» сопротивление ( RL ) к «входному» сопротивлению ( Rin ), что дает ему значение «Resistance Gain». Тогда коэффициент усиления напряжения ( Av ) для общей базовой конфигурации определяется как:

Общий базовый коэффициент усиления напряжения

Где: Ic / Ie — текущий коэффициент усиления, альфа ( α ) и RL / Rin — коэффициент усиления сопротивления. Схема общей базы обычно используется только в однокаскадных схемах усилителя, таких как микрофонный предусилитель или радиочастотный ( Rf ) усилители, благодаря своей очень хорошей частотной характеристике.

Конфигурация с общим эмиттером (ОЭ)

В конфигурации с общим эмиттером или заземленным эмиттером входной сигнал подается между базой и эмиттером, в то время как выходной сигнал берется между коллектором и эмиттером, как показано. Этот тип конфигурации является наиболее часто используемой схемой для транзисторных усилителей и представляет собой «нормальный» метод биполярного транзисторного соединения. Общая конфигурация усилителя эмиттера обеспечивает наибольший коэффициент усиления по току и мощности для всех трех конфигураций биполярных транзисторов. Это связано главным образом с тем, что входной импеданс НИЗКИЙ, поскольку он подключен к прямому смещенному PN-переходу, в то время как выходной импеданс ВЫСОКИЙ, как он взят из обратного смещенного PN-перехода.

Общая схема с эмиттером

В этом типе конфигурации ток, выходящий из транзистора, должен быть равен токам, втекающим в транзистор, когда ток эмиттера задан как Ie = Ic + Ib . Поскольку сопротивление нагрузки ( RL ) последовательно соединено с коллектором, коэффициент усиления тока общей конфигурации эмиттерного транзистора является довольно большим, поскольку он представляет собой отношение Ic / Ib . Текущий коэффициент усиления транзисторов задается греческим символом Beta , ( β ). Поскольку ток эмиттера для общей конфигурации эмиттера определяется как Ie = Ic + Ib , отношение Ic / Ie называется Alpha , учитывая греческий символ α . Обратите внимание: значение Alpha всегда будет меньше единицы. Поскольку электрическое соотношение между этими тремя токами Ib , Ic и Ie определяется физической конструкцией самого транзистора, любое небольшое изменение базового тока ( Ib ) приведет к значительно большему изменению тока коллектора ( Ic ) , Тогда небольшие изменения тока, текущего в базе, будут, таким образом, управлять током в схеме эмиттер-коллектор. Как правило, для большинства транзисторов общего назначения значение бета имеет значение от 20 до 200. Таким образом, если транзистор имеет значение бета, равное, например, 100, то один электрон будет течь от базового терминала на каждые 100 электронов, протекающих между клеммой эмиттер-коллектор. Объединяя выражения для Alpha , α и Beta , β математическое соотношение между этими параметрами и, следовательно, текущее усиление транзистора может быть задано как:

Где: « Ic » — ток, протекающий в коллекторную клемму, « Ib » — ток, протекающий в базовую клемму, а « Ie » — ток, текущий через клемму эмиттера. Затем подведем итог. Этот тип конфигурации биполярного транзистора имеет больший входной импеданс, силу тока и усиление мощности, чем у базовой конфигурации, но его коэффициент усиления намного ниже. Общая конфигурация излучателя представляет собой инвертирующую схему усилителя. Это означает, что результирующий выходной сигнал 180 ° « находится в противофазе » с сигналом входного напряжения.

Конфигурация с общим коллектором (ОК)

В общем коллекторе или конфигурации с заземленным коллектором коллектор теперь распространен через источник питания. Входной сигнал подключается непосредственно к базе, а выход берется из нагрузки эмиттера, как показано. Этот тип конфигурации обычно называют цепью следящего элемента напряжения или схемы следящего элемента эмиттера . Конфигурация общего коллектора или эмиттерного повторителя очень полезна для приложений согласования импеданса из-за очень высокого входного импеданса в области сотен тысяч Ом при относительно низком выходном импедансе.

Общая схема

Общая конфигурация эмиттера имеет коэффициент усиления по току, приблизительно равный β- значению самого транзистора. В конфигурации общего коллектора сопротивление нагрузки расположено последовательно с эмиттером, поэтому его ток равен току эмиттерного тока. Поскольку ток эмиттера представляет собой комбинацию коллектора и суммарного тока базы, сопротивление нагрузки в этом типе конфигурации транзистора также имеет как коллекторный ток, так и входной ток базы, протекающей через него. Тогда текущее усиление схемы задается как:

Текущий коэффициент коллектора

Этот тип конфигурации биполярного транзистора является неинвертирующей схемой, в которой напряжения сигнала Vin и Vout являются « синфазными » . Он имеет коэффициент усиления по напряжению, который всегда меньше «1» (единица). Сопротивление нагрузки общего транзистора коллектора принимает как базовый, так и коллекторный токи, дающие большой коэффициент усиления по току (как в случае с общей конфигурацией эмиттера), что обеспечивает хорошее усиление тока с очень небольшим коэффициентом усиления по напряжению. Теперь мы можем суммировать различные зависимости между отдельными токами постоянного тока транзисторов, протекающими через каждую ветвь, и коэффициентами усиления постоянного тока, приведенными выше в следующей таблице.

Связь между DC-токами

Конфигурации BJT

С обобщенными характеристиками различных конфигураций транзисторов, приведенными в следующей таблице:

Характеристика

Общая
база

Общий
эмиттер

Общий
коллектор

Входное сопротивление

Низкое

среднее

Высокое

Выходное сопротивление

Очень высоко

Высокое

Низкое

Угол фазы

0 o

180 o

0 o

Напряжение

Высокое

среднее

Низкое

Текущий прирост

Низкий

средний

Высокий

Усиление мощности

Низкий

Очень высокий

средний

 

Типичная схема подключения

 

 

Решим задачку

 

Дано:

VB — 5 В

R — 1 кОм

hfe = 50

Найти:

Ice-?

Решение:

 

IBE =  =  = 0,005A

ICE = IBE hfe = 0,005 x 50 = 0,25A

 

Вывод:

Если на базу подаётся 5 В через резистор в 1 кОм, транзистор откроется настолько, что будет способен пропустить до 250 мА. При этом управляющий ток составит всего 5 мА

 

Биполярный транзистор в качестве переключателя

Когда база NPN-транзистора заземлено (0 вольт) и ток базы отсутствует, Ib течет, ток не течет от эмиттера к коллектору, и поэтому транзистор отключается «OFF». Если база смещена вперед более чем на 0,7 вольт, ток будет протекать от эмиттера к коллектору, и транзистор считается включенным. При работе в этих двух режимах транзистор работает как переключатель. Проблема здесь заключается в том, что база транзисторов должна переключаться между нулем и некоторым большим положительным значением, чтобы транзистор стал насыщенным, в этот момент увеличенный базовый ток Ib поступает в устройство, в результате чего ток коллектора Ic становится большим, а Vce маленьким. Тогда мы можем видеть, что небольшой ток на базе может управлять гораздо большим током, протекающим между коллектором и эмиттером. Отношение тока коллектора к базовому току ( β ) известно как коэффициент усиления тока транзистора. Типичное значение β для стандартного биполярного транзистора может находиться в диапазоне от 50 до 200 и может варьироваться даже между транзисторами с одинаковой кодировкой цифрами но разными буквами.

 

Читаем далее по теме

 

Условные обозначения транзисторов

Транзистор IGBT

Транзистор JFET

Транзистор Дарлингтона

МОП- транзистор (MOSFET)

 

 

 

 

www.junradio.com

8. Транзисторы — Условные графические обозначения на электрических схемах — Компоненты — Инструкции

Транзистор (от английских слов tran(sfer) — переносить и (re)sistor — сопротивление) — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или n), базы — противоположная (n или р). Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).

 

 Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. 8.1 [5]. Здесь короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (см. рис. 8.1, VT1), то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база— типа n; если же стрелка направлена в противоположную сторону (VT2), электропроводность эмиттера и базы обратная.

 
 Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой р-п-р, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа р, обозначают формулой n-р-n. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное.    

 
 Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (VT3 на рис. 8.1). В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип.

 

 Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно выводу базы (VT3—VT5). Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (VT4).

 
 Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом (рис. 8.1, VT6).

 
 Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы.

 

 Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (В этом случае на поле схемы помещают такую, например, запись: VT1-VT4 К159НТ1), либо используют код аналоговых микросхем (DA) и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении (рис. 8.2, DA1.1, DA1.2). У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица.

 
 Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем (для примера на рис. 8.2 показаны транзисторы структуры п-р-п с тремя и четырьмя эмиттерами).

 

 Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя (см. рис. 8.3, VT1, VT2). При повороте УГО положение этого знака должно оставаться неизменным.

 
 Иначе построено УГО однопереходного транзистора: у него один р-п-переход, но два вывода базы. Символ эмиттера в УГО этого транзистора проводят к середине символа базы (рис. 8.3, VT3, VT4). Об электропроводности последней судят по символу эмиттера (направлению стрелки).

 
 На символ однопереходного транзистора похоже УГО большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью п или р-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса (рис. 8.4, VT1), символы истока и стока присоединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на продолжении линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора (на рис. 8.4 условное графическое обозначение VT1 символизирует транзистор с каналом п-типа, VT1 — с каналом p-типа).

 

 В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором (его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока) электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону (см. рис. 8.4, VT3) —  с каналом p-типа. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки (VT4), а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого — три коротких штриха (см. рис. 8.4, VT5, VT6). Если подложка соединена с одним из электродов (обычно с истоком), это показывают внутри УГО без точки (VT1, VT8).

 
 В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока (VT9).

 
 Линии-выводы полевого транзистора допускается изг[цензура] лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (см. рис. 8.4, VT2). В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод (например, транзисторы типа КПЗ03).

 
 Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы. В качестве примера на рис. 8.5 показаны условные графические обозначения фототранзисторов с выводом базы (FT1, VT2) и без него (К73). Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. УГО фототранзистора в этом случае вместе с УГО излучателя (обычно светодиода) заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы.

 

 

 

 Для примера на рис. 8.5 изображена одна из оптопар сдвоенного оптрона (об этом говорит позиционное обозначение U1.1), Аналогично строится У ГО оптрона с составным транзистором (U2).

 

radio-hobby.org

2. УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ — Электроника, Микроэлектроника , Элементная база

2.1. Символы общего применения (ГОСТ 2.721-74)

2.2. Резисторы (ГОСТ 2.728-74)

2.3. Конденсаторы (ГОСТ 2.728-74)

2.4.  Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы (ГОСТ 2.723-69)

2.5. Устройства коммутации (ГОСТ 2.755-74, ГОСТ 2.756-76)

2.6. Полупроводниковые приборы (ГОСТ 2.7З0-73)

2.7. Электровакуумные приборы (ГОСТ 2.731-81)

2.8. Электроакустические приборы (ГОСТ 2.741-68*)

2.9. Пьезоэлектрические устройства, измерительные приборы, источники питания (ГОСТ 2.736-68, ГОСТ 2.729-68, ГОСТ 2.742-68, ГОСТ 2.727-68)

2.10. Электрические машины (ГОСТ 2.722-68*)

Вопросы для самопроверки

2.1. Символы общего применения (ГОСТ 2.721-74)

Для построения УГО с уточнением особенностей элементов схем используют базовые символы и различные знаки. Большое распространение в схемах радиоустройств, электротехнических изделий имеют знаки регулирования – различные стрелки, пересекающие исходный символ или входящие в него, пересекающие исходный символ под углом 45°, указывающие на переменный параметр элемента схемы (рис. 2.1, а).

Стрелка может быть дополнена знакоцифровым символом. Так, на рис. 2.1, бвг показан характер регулирования: линейный, ступенчатый, 8-ступенчатый. На  рис. 2.1, д стрелка дополнена условием регулирования. Стрелка с изломом на рис. 2.1, ежи и надпись указывают, что параметр регулирования изменяется по определенному закону. Стрелки на рис. 2.1, кл, м указывают на подстроечное регулирование. В верхней части стрелки возможно присутствие символа, указывающего на расположение регулирующего элемента в данном из­делии: на лицевой панели, задней панели или внутри. Символы общего применения составляют знаки, указывающие направление движения: механических перемеще­ний, магнитных, световых потоков и т. д.

 

 





                          а              б          в                     г                 д                     е

 

 

                                   ж              и                         к                        л                м

 

 

 

Рис. 2.1.  Знаки регулирования

 

На рис. 2.2 показаны обозначения вращательного (рис. 2.2, а), качательного (рис. 2.2, б), сложного (рис. 2.2, в) движений, направление восприятия магнитного сигнала (рис. 2.2, г) и светового потока (рис. 2.2, д).

а          б                       в                    г                      д

 

 

Рис. 2.2. Знаки, указывающие направление движения

 

Составной частью символов некоторых элементов явля­ется знак, указывающий на способ управления подвижными элементами схемы. На рис. 2.3 приведены обозначения руч­ного нажатия (рис. 2.3, а) или вытягивания (рис. 2.3, б), поворота (рис. 2.3, в), ножного привода (рис. 2.3, г) и фиксации движения (рис. 2.3, д).

 

               а                                б                        в             г                      д

                           

 

Рис. 2.3. Знаки, указывающие на способ управления

 

УГО элементов электрических схем выделены в группы и сведены в таблицы для лучшего восприятия. В таблицах даны рекомендуемые размеры УГО для выполнения схем радиоустройств и электротехнических изделий. При выполнении чертежей – плакатов – в курсовом и дипломном проектировании следует обратиться к литературе [2], в которой даны построения УГО по основным фигурам А и В, показывающим пропорциональные отношения элементов.

 

2.2. Резисторы (ГОСТ 2.728-74)

Основное назначение резисторов – оказывать активное сопротивление в электрической цепи. Параметром резистора является активное сопротивление, которое измеряется в омах, килоомах (1000 Ом) и мегаомах (1000000 Ом).

Резисторы подразделяются на постоянные, переменные, подстроечные и нелинейные (табл. 2.1). По способу исполнения различают резисторы проволочные и непроволочные (металлопленочные).

Буквенно-цифровое позиционное обозначение резисторов состоит из латинской буквы R и порядкового номера по схеме.

Таблица 2.1

УГО резисторов

 

 

2.3. Конденсаторы (ГОСТ 2.728-74)

Конденсаторы – это радиоэлементы с сосредоточенной электрической емкостью, образуемой двумя и более электродами, разделенными диэлектриком. Различают конденсаторы постоянной емкости, переменной (регулируемые) и саморегулируемые. Конденсаторы постоянной большой емкости чаще всего оксидные и, как правило,   имеют полярность подключения к электрической цепи. Емкость их измеряется в фарадах, например, 1 пФ (пикофарада) = 10–12 Ф, 1нФ (нанофарада) = 10-9Ф, 1мкФ (микрофарад) = 10-6 Ф (табл. 2.2). Буквенно-цифровое позиционное обозначение конденсаторов состоит из латинской буквы С и порядкового номера по схеме.

Таблица 2.2

УГО конденсаторов

 

2.4.  Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы   (ГОСТ 2.723-69)

Буквенно-цифровое позиционное обозначение катушек индуктивности и  дросселей состоит из латинской буквы L и порядкового номера по схеме. При необходимости указывают и главный параметр этих изделий –  индуктивность, измеряемую в генри (Гн), миллигенри (1 мГн = 10-3 Гн) и микрогенри (1 мкГн = 10-6 Гн). Если катушка или дроссель имеет магнитопровод, УГО дополняют его символом – штриховой или сплошной линией. Радиочастотные трансформаторы могут быть с магнитопроводами или без них и иметь обозначение L1, L2 и т. д. Трансформаторы, работающие в широкой полосе частот, обозначают буквой Т, а их обмотки – римскими цифрами (табл. 2.3).

Таблица 2.3

УГО катушек индуктивности и трансформаторов

 

 

2.5. Устройства коммутации (ГОСТ 2.755-74, ГОСТ 2.756-76)

УГО устройств коммутации – выключатели, переключатели, электромагнитные реле – построены на основе символов контактов: замыкающих, размыкающих и переключающих (табл. 2.4). Стандартом предусматри­вается в УГО таких устройств отражение конструктивных особенностей:неодновременность срабатывания контактов в группе; отсутствие (наличие) фиксации в одном из положений; способ управления коммутационным устройством; функциональное назначение.       

Таблица 2.4

УГО устройств коммутации

 

 

Окончание табл. 2.4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

 

 

2.6. Полупроводниковые приборы (ГОСТ 2.7З0-73)

2.6.1. Диоды, тиристоры, оптроны

Диод – самый простой полупроводниковый прибор, обладающий односторонней проводимостью благодаря электронно-дырочному переходу 
(р–n-переход, см. табл. 2.5).

Таблица 2.5

УГО полупроводниковых приборов

 

В УГО диодов – туннельного, обращенного и диода Шотки – введены дополнительные штрихи к катодам. Свойство обратно смещенного р–n-пе­ре­ходавести себя как электрическая емкость использовано в специальных диодах-варикапах. Более сложный полупроводниковый прибор – тиристор, имеющий, как правило, три р–n-перехода. Обычно тиристоры используются в качестве переключающих диодов. Тиристоры с выводами от крайних слоев структуры называют динисторами. Тиристоры с дополнительным третьим выводом (от внутреннего слоя структуры) называют тринисторами. УГО симметричного (двунаправленного) тринистора получают из символа симметричного динистора добавлением третьего вывода.

Большую группу составляют полупроводниковые приборы – фотодиодысветодиоды и светодиодные индикаторы. Особо необходимо остановиться на оптронах – изделиях, основанных на совместной работе светоизлучающих и светопринимающих полупроводниковых приборов. Группа оптронов постоянно пополняется.

Большое пополнение происходит и в группе полевых транзисторов, условные графические обозначения которых пока никак не отмечены в отечественных стандартах.

 

2.6.2. Транзисторы

 

Транзисторы – полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Большую группу этих приборов соста­вляют биполярные транзисторы, имеющие два р–n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой – с коллектором (коллекторный переход).

Транзистор, база которого имеет проводимость типа n, обозначают формулой р–n–р, а транзистор с базой типа р имеет структуру n–р–n (табл. 2.6). Несколько эмиттерных областей имеют транзисторы, входящие в интегральные сборки. Допускается изображать транзисторы по ГОСТ 2.730-73 без символа корпуса для бескорпусных транзисторов и транзисторных матриц. 

Таблица 2.6

 

УГО транзисторов

 

Окончание табл. 2.6

 

2.7. Электровакуумные приборы (ГОСТ 2.731-81)

Электровакуумными называют приборы, действие которых основано на использовании электрических явлений в вакууме. Система УГО этих приборов построена поэлементным способом. В качестве базовых элементов приняты обозначения баллона, нити накала (подогревателя), сетки, анода и др.Баллон герметичен и может быть стеклянным, металлическим, керамическим, металлокерамическим. Наличие газа в баллоне в газоразрядных приборах показывают точкой внутри символа (табл. 2.7).

Таблица 2.7

УГО электровакуумных приборов

 

 

2.8. Электроакустические приборы (ГОСТ 2.741-68*)

Электроакустическими называют приборы, преобразующие энергию звуковых или механических колебаний в электрические, и наоборот. Основ-ной буквенный код (кроме приборов сигнализации) – латинская буква В.

 

Таблица 2.8

УГО электроакустических приборов

 

2.9. Пьезоэлектрические устройства, измерительные приборы,
            источники питания (ГОСТ 2.736-68, ГОСТ 2.729-68, 
             ГОСТ 2.742-68, ГОСТ 2.727-68)

В радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) широко используются приборы, действие которых основано на так называемом пьезоэлектрическом эффекте (piezo – давлю). Существует прямой пьезоэффект, когда возникают электрические заряды на поверхности тела, подвергнутого деформации, и обратный. Применение резонаторов в РЭА основано на использовании прямого пьезоэффекта. Буквенный код пьезоэлементов и резонаторов –латинские буквы ВQ. На основе пьезоэлектрических резонаторов изготовляют различные полосовые фильтры (буквенный код Z и ZQ)Пьезоэлементы находят широкое применение в пьезоэлектрических преобразователях (подразд. 2.8). Пьезоэлектрические преобразователи используют также в   ультразвуковых линиях задержки. Стандартом не установлен буквенный код этих устройств, рекомендуется обозначать латинской буквой Е.

Для контроля электрических и неэлектрических величин в технике используют всевозможные приборы, их буквенный код – латинская буква Р, а общее УГО приборов – кружок с двумя разнонаправленными линиями – выводами.

Для автономного питания РЭА используются электрохимические источники тока – гальванические элементы и аккумуляторы (код – буква G).

Для защиты от перегрузок по току и коротких замыканий в нагрузке 
в приборах с питанием от сети используют плавкие предохранители (табл. 2.9). Код таких изделий – латинская буква F.

Таблица 2.9

УГО устройств, приборов, источников питания

 

Окончание табл. 2.9

 

2.10. Электрические машины (ГОСТ 2.722-68*)

В устройствах автоматики и телемеханики, в конструкциях промышленных станков и строительно-дорожных машин для привода различных механизмов используют электрические машины. Базовое обозначение статора и ротора электродвигателя имеет форму окружности (табл. 2.10).

Таблица 2.10

Базовые элементы УГО электрических машин

 

ГОСТ 2.722-68* предусматривает УГО, поясняющие конструкцию электрических машин (табл. 2.11), УГО электрических машин в двух формах (табл. 2.12). Внутри окружности допускается указывать следующие надписи латинскими буквами: G – генератор; М – двигатель; В – возбудитель; ВR – тахогенератор. Разрешается также указывать род тока, число фаз, вид соединения обмоток.

Таблица 2.11

УГО, поясняющие конструкцию электрических машин  (ГОСТ 2.722-68*)

 

 

Таблица 2.12

УГО электрических машин (форма 1 и 2)

 

Вопросы для самопроверки

1. Перечислите типы знаков общего применения на схемах.

2. Назовите буквенный код обозначения резисторов.

3. Назовите буквенный код обозначения конденсаторов.

4. Назовите буквенный код обозначения катушек индуктивности.

5. Назовите буквенный код обозначения трансформаторов промышленной частоты.

6. Назовите буквенный код обозначения реле.

7. Назовите буквенный код обозначения тиристоров.

8. Назовите буквенный код обозначения диодов.

9. Назовите буквенный код обозначения транзисторов?

10. Назовите буквенный код обозначения звонков, зуммеров и гидрофонов.

11. Назовите буквенный код обозначения аналоговых измерительных приборов.

12. Перечислите буквенные коды электрических машин.

13. Преобразуйте значение 100 нФ в микрофарады (мкФ).

14. Укажите рекомендуемые размеры УГО резисторов.

15. Укажите рекомендуемые размеры УГО транзисторов.

intellect.ml

Условные графические обозначения на принципиальных электрических схемах

см. также Буквенные обозначения радиодеталей


Под каждой картинкой есть кнопка для скачивания графических обозначений в векторе.

Обозначения сгруппированы по моему произволу:
0. Распространённые компоненты
1. Резисторы
2. Конденсаторы
3. Катушки индуктивности и трансформаторы
4. Диоды, стабилитроны, светодиоды
5. Транзисторы
6. Переключатели, реле, провода, соединители, антенны
7. Источники питания, лампы, электромоторы
8. Электроакустические устройства: микрофоны, громкоговорители
9. Микросхемы и прочая электроника

С обозначениями электронных ламп я уж не стал заморачиваться.
К некоторым нашим обозначениям полупроводников я добавил буржуйские символы — они представлены во вторую очередь как вариант к ГОСТовскому обозначению.

На странице представлены растровые изображения графических обозначений (все картинки кликабельны). Под каждой картинкой есть ссылка, по которой можно скачать тот или иной упакованный в архив файл в векторном формате svg. Пользуйтесь на здоровье.

При масштабировании элементов не забывайте включать режим «При изменении размеров объекта менять в той же пропорции толщину обводки».

Распространённые компоненты

⇩ УГО в векторе

Резисторы

⇩ Резисторы

Конденсаторы

⇩ Конденсаторы

Катушки индуктивности

⇩ Индуктивности

Диоды

⇩ Диоды

Транзисторы

⇩ Транзисторы

Переключатели, реле, провода, соединители, антенны

⇩ Переключатели

Источники и потребители

⇩ Источники питания, лампы и прочее

Электроакустические устройства

⇩ Микрофоны, динамики и прочее

Микросхемы, логические элементы

⇩ Микросхемы


Поделиться новостью в соцсетях

rones.su

Транзисторы | Автомобильное

Общепринятое условное обозначение и внешний вид некоторых образцов транзисторов показаны на рисунке. Из рисунка видно, что этот элемент имеет три вывода: эмиттер (Е), базу (В) и коллектор (С) и что существуют транзисторы двух типов структуры: прп и рпр. Стрелка в обозначении транзисторов указывает направление протекания тока. В схеме подключения транзистора из трех выводов два обычно используются в качестве входных, а третий и один из двух первых являются выходными.

Рис. Транзисторы и их условные обозначения

На рисунке показан прп-транзистор, включенный по схеме с заземленным (общим) эмиттером. Зависимость между током базы Iв и током коллектора Iс для данной схемы выражается следующей формулой:

Ic = hFE*Iв

,где hFE — коэффициент усиления тока транзистора.

Если напряжение, приложенное между базой и эмиттером, обозначить как VBe, то ток базы Iв = (Vi—VBe)/R. Напряжение Vce, приложенное между коллектором и эмиттером, определяется из соотношения Vce = Vc—IcRc. Кроме того, ток эмиттера Ie = Iв+Iс.

Транзисторные схемы по своему назначению разделяются на переключающие и усилительные. В переключающих схемах, управляя током базы, можно, подобно ключу, отпирать и запирать коллекторный выход. В открытом состоянии транзистора ток коллектора большой и транзистор работает в режиме насыщения; в закрытом состоянии ток коллектора практически отсутствует — при этом говорят, что транзистор работает в режиме отсечки. В усилительных же схемах используется активная область характеристики транзистора. При этом с коллекторного выхода снимается усиленный входной сигнал.

Рис. Схема с заземленным (общим) эмиттером

Рис. Семейство выходных статических характеристик транзистора

Пример схемы усилителя на транзисторе показан на рисунке. Когда между базой и эмиттером транзистора прикладывается входное напряжение, начинают протекать небольшой ток базы и ток коллектора. Но, если приложенное напряжение не превышает некоторой величины Е0, коллекторный ток отсутствует. В схемах усиления ток базы определенной величины, называемый током смещения, вызывает протекание начального коллекторного тока. Режим подбирается так, чтобы форма усиленного коллекторного тока была идентична форме тока входного сигнала. В схеме, показанной на рисунке, напряжение смещения задается резистором R1.

Рис. Схема транзисторного усилителя

Рис. Принцип усиления сигнала транзистором: Iс — ток коллектора; Vвe — напряжение эмиттер—база.

В электронных схемах современных автомобилей транзисторные усилители практически не используются (за исключением аппаратуры связи), но широко применяются переключающие схемы на транзисторах.

ustroistvo-avtomobilya.ru

Обозначение транзисторов на принципиальных схемах. Маркировка транзисторов. Классификация транзисторов.

Различают транзисторы биполярные и полевые. Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы, n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный. В биполярном транзисторе основными носителями являются и электроны, и дырки. Схематическое устройство транзистора показано на рисунке 6.
Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, элек-троды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмитте-ром. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. Главное отличие коллектора — большая площадь p-n перехода. Для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.

Рис. 6

Рис. 7
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Полевые транзисторы имеют большое входное сопротивление. Подразделяются на полевые транзисторы 1) с управляющим p-n переходом (рис. 7а) и 2) с изолированным затвором (рис. 7б).
Полевые транзисторы с изолированным затвором в свою очередь подразделяются на транзисторы 1) со встроенным каналом и 2) с индуцированным каналом.
Транзисторы, как правило, имеют три вывода. Вывод, от которого в канал приходят основные носители заряда, называется истоком. Вывод, к которому носители заряда приходят из канала, называется стоком. Вывод, на который подается управляющее напряжение относительно истока или стока, называется затвором. Полевыми транзисторы называют потому, что управление током в выходной цепи транзистора осуществляется электрическим полем во входной цепи. Канальными транзисторы называют потому, что ток в выходной цепи транзистора протекает через его канал. Униполярными транзисторы называют потому, что в работе транзистора принимают носители одной полярности. В условных обозначениях полевых транзисторов на принципиальных схемах стрелка направлена к каналу n-типа, или от канала p-типа. Индуцированный (наведенный электрическим полем) канал, обозначается пунктиром (рис. 7в).


Рис. 8 Цветовая маркировка транзисторов

Рис. 9. Условное графическое обозначение биполярного транзистора струк-туры n-p-n

Рис. 10.Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры p-n-p

Рис. 11. Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа

Рис.12. Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа

Рис.13. Условное графическое обозначение полевого транзистора со встро-енным p-каналом обедненного типа.

Рис. 14. Условное графическое обозначение полевого транзистора со встро-енным n-каналом обогащенного типа.

Рис. 15. Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа.

Рис. 16 — Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа.

Рис. 17. Обозначение транзистора с барьером Шотки (транзистор Шотки).

Рис. 18. Обозначение многоэмиттерного транзистора.
Транзистор с барьером Шотки и многоэмиттерный транзистор встречаются лишь в микроэлектронике.

Рис. 19. Условное графическое обозначение фототранзистора

morez.ru