Полевые транзисторы smd – Транзистор полевой — проверка исправности — Транзисторы полевые — РАДИОДЕТАЛИ — Каталог статей

Маркировка SMD полевых транзисторов | Техведком

Таблица маркировки транзисторов SMD полевых, МОП

МаркировкаТип прибораМаркировкаТип прибора
V01VN50300T
7012N7001 V02VN0605T
702SN7002 V04VN45350T
6AMMBF4416 V0AJTP610T
6BMMBF5484 V50VP0610T
6CMMBFU310 C93SST4393
6DMMBF5457 h26SST4416
6EMMBF5460 I08SST108
6F
MMBF4860 I09SST109
6GMMBF4393 I10SST110
6HMMBF5486 M4BSR56
6JMMBF4391 M5BSR57
6KMMBF4932 M6BSR58
6LMMBF5459 P01SST201
6TMMBFJ310 P02SST202
6WMMBFJ175 P03SST203
6YMMBFJ177 P04SST204
6Z
MMBF170 S14SST5114
B08SST6908 S15 SST5115
B09SST6909 S16SST5116
B10SST6910 S70SST270
C11SST111 S71SST271
C12SST112 S74 SST174
C13SST113 S75SST175
C41SST4091 S76SST176
C42SST4092 S77SST177
C43
SST4093 SABSS123
C59SST4859 SSBSS138
C60SST4860 TVMMBF112
C61SST4861 Z08SST308
C91SST4391 Z09SST309
C92SST4392 Z10SST310

texvedkom.org

Маркировка полевых SMD транзисторов — Меандр — занимательная электроника

Маркировка биполярных SMD транзисторов

Маркировка отечественных и импортных транзисторов

Читать все новости

МаркировкаТипМаркировкаТип
6AMMBF4416C92SST4392
6BMMBF5484C93SST4393
6CMMBFU310h26SST4416
6DMMBF5457I08SST108
6EMMBF5460I09SST109
6FMMBF4860I10SST110
6GMMBF4393M4BSR56
6HMMBF5486M5BSR57
6JMMBF4391M6BSR58
6KMMBF4932P01SST201
6LMMBF5459P02SST202
6TMMBFJ310P03SST203
6WMMBFJ175P04SST204
6YMMBFJ177S14SST5114
B08SST6908S15SST5115
B09SST6909S16SST5116
B10SST6910S70SST270
C11SST111S71SST271
C12SST112S74SST174
C13SST113S75SST175
C41SST4091S76SST176
C42SST4092S77SST177
C43SST4093TVMMBF112
C59SST4859Z08SST308
C60SST4860Z09SST309
C61SST4861Z10SST310
C91SST43916ZMMBF170
7012N7001V02VN0605T
702SN7002V04VN45350T
SABSS123V0AJTP610T
SSBSS138V50VP0610T
V01VN50300T

Возможно, Вам это будет интересно:

Постоянная ссылка на это сообщение: http://meandr.org/archives/5366

meandr.org

Справочник по полевым транзисторам и их импортным аналогам

Характеристики транзисторов с сортировкой по максимальному напряжению

Отечественный Корпус Тип Макс ток, A Импортный Корпус
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364 ТО-92 n 0.02    
КП302 ТО-92 n 0.04    
2П914А ТО-39 n 0.1(0.2) BSS138
2SK583
smd
TO-92
КП601 ТО-39 n 0.4    
КП507 ТО-92 p 1.1(0.6) TP2104 TO-92
    n 1.6 BSP295 smd
    n 2 RTR020N05 smd
    n 4 NTR4170NT1G smd
    n 5 PMV60EN smd
    n 6 BSP100 smd
КП921А TO-220
n
10    
КП954Г TO-220 n 20    
    n 34 BUZ11 TO-220
2П7160А TO-258 n 46(75) IRF2804 TO-220
    n 100 IRF1104 TO-220
    n 162 IRF1404 TO-220
    n 210 IRF2204 TO-220
    n 350 IRFP4004 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 60-75В:
    n 0.2
0.5
2N7000
BS170
TO-92
TO-92
КП804А ТО-39 n 1 IRFL014 smd
КП505 А-Г ТО-92 n 1.4    
КП961Г ТО-126 n 5    
КП965Г ТО-126 n 5    
КП801 (А,Б) ТО-3 n 5    
КП739 (А-В) ТО-220 n 10 IRF520 ТО-220
КП740 (А-В) ТО-220 n 17    
КП7174А ТО-220 n 18    
КП784А ТО-220 p 18    
КП954 В,Д ТО-220 n 20    
2П912А ТО-3 n 25    
КП727(А,Б)
 
ТО-220
 
n
p
30
31
 
IRF5305
ТО-220
КП741 (А,Б) ТО-220 n 50 IRFZ44 TO-220
КП723(А-В) ТО-220 n 50    
КП812(А1-В1) ТО-220 n 50    
2П7102Д ТО-220 n 50    
КП775(А-В) ТО-220 n 50    
КП742(А,Б)
ТО-218
n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08
IRF1010
IRF2807
IRF4905
smd
ТО-220
ТО-220
ТО-220
    n 140
169
IRF3808
IRF1405
ТО-220
ТО-220
    n 210
IRFB3077
ТО-220
    n 350 IRFP4368 ТО-247
Полевые транзисторы на напряжение до 100-150В:
КП961В ТО-126 n 5    
КП965В ТО-126 p 5(6.8) IRF9520 ТО-220
КП743 (А1-В1) ТО-126 n 5.6    
КП743 (А-В) ТО-220 n 5.6 IRF510 ТО-220
КП801В ТО-3 n 8    
КП744 (А-Г) ТО-220 n 9.2 IRF520 TO-220
КП922 (А,Б) ТО-3 n 10 BUZ72 TO-220
КП745 (А-В) ТО-220 n 14 IRF530 ТО-220
КП785А ТО-220 p 19 IRF9540 ТО-220
2П7144А ТО-220 p 19    
КП954Б ТО-220 n 20    
2П912А ТО-3 n 20    
КП746(А-Г) ТО-220 n 28 IRF3315 ТО-220
2П797Г ТО-220 n 28 IRF540 ТО-220
КП769 (А-Г) ТО-220 n 28    
КП150 ТО-218 n 38(34) IRF540NS
BUZ22
smd
TO-220
КП771(А-Г) ТО-220 n 40(47) PHB45NQ10
IRF1310
smd
ТО-220
КП7128А,Б ТО-220 p 40 IRF5210 ТО-220
    n 57 STB40NF10
IRF3710
smd
ТО-220
    n 72 IRFP4710 ТО-247
    n 171 IRFP4568 ТО-247
    n 290 IRFP4468 ТО-247
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А ТО-92 p 0.15 BSS92 TO-92
КП508А ТО-92 p 0.15    
КП501А ТО-126 n 0.18 BS107 TO-92
КП960В ТО-126 p 0.2    
КП959В ТО-126 n 0.2    
КП504В ТО-92 n 0.2 BS108 ТО-92
КП403А ТО-92 n 0.3    
КП932А ТО-220 n 0.3    
КП748 (А-В) ТО-220 n 3.3 IRF610 ТО-220
КП796В ТО-220 p 4.1 BUZ173 TO-220
КП961А ТО-126 n 5    
КП965А ТО-126 p 5    
КП749 (А-Г) ТО-220 n 5.2    
КП737 (А-В) ТО-220 n 9 IRF630 ТО-220
КП704 (А,Б) ТО-220 n 10    
КП750 (А-В) ТО-220 n 18 IRF640
IRFB17N20
TO-220
КП767 (А-В) ТО-220 n 18    
КП813А1,Б1 ТО-220 n 22 BUZ30A TO-220
КП250 ТО-218 n 30    
2П7145А,Б КТ-9 n 30    
КП7177 А,Б ТО-218 n 50    
    n 130 IRFP4668 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А ТО-126 p 0.2    
КП959А ТО-126 n 0.2    
КП796Б ТО-220 p 3.7    
2П917А ТО-3 n 5    
КП768 ТО-220 n 10    
КП934Б ТО-3 n 10    
КП7178А ТО-218
ТО-3
n 40    
Полевые транзисторы на напряжение до 400В:
КП502А ТО-92 n 0.12    
КП511А,Б ТО-92 n 0.14    
КП733А ТО-220 n 1.5    
КП731 (А-В) ТО-220 n 2 IRF710 ТО-220
КП751 (А-В) ТО-220 n 3.3 BUZ76
IRF720
ТО-220
TO-220
КП931 В ТО-220 n 5 IRF734 ТО-220
КП768 ТО-220 n 5.5 IRF730 ТО-220
КП707А1 ТО-220 n 6    
КП809Б ТО-218
ТО-3
n 9.6    
КП934А ТО-3 n 10 IRF740 ТО-220
КП350 ТО-218 n 14 BUZ61 TO-220
2П926 А,Б ТО-3 n 16.5    
КП707А ТО-3 n 25    
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В) ТО-220 n 2.5 IRF820 ТО-220
КП770 ТО-220 n 8 IRF840 TO-220
КП809Б,Б1 ТО-218
ТО-3
n 9.6 2SK1162 ТО-3Р
КП450 ТО-218 n 12 IRFP450 TO-247
КП7182А ТО-218 n 20 IRFP460 ТО-247
КП460 ТО-218 n 20(23) IRFP360 TO-247
КП7180А,Б ТО-218
ТО-3
n 26(31) IRFP31N50 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:
КП7129А ТО-220 n 1.2 SPP02N60 TO-220
КП805 (А-В) ТО-220 n 4(3) SPP03N60 TO-220
КП709(А,Б) ТО-220 n 4 IRFBC30 ТО-220
КП707Б1 ТО-220 n 4 SPP04N60 ТО-220
КП7173А ТО-220 n 4    
КП726 (А,Б) smd
ТО-220
n 4.5    
КП931Б
 
ТО-220
 
n 5(6.2)
7
IRFBC40
SPP07N60
TO-220
TO-220
КП809В ТО-218
ТО-3
n 9.6 IRFB9N65A TO-220
2П942В ТО-3 n 10 SPP11N60 ТО-220
КП953Г ТО-218 n 15    
КП707Б ТО-3 n 16.5 SPP20N60 ТО-220
КП973Б ТО-218 n 30    
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1 ТО-220 n 3    
КП728 (Г1-С1) ТО-220 n 3.3    
КП810 (А-В) ТО-218 n 7    
КП809Е ТО-218
ТО-3
n 9.6    
2П942Б ТО-3 n 10    
КП707В ТО-3 n 12.5    
КП953В ТО-218 n 15    
КП973А ТО-218 n 30    
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
    n 1.5 BUZ78
IRFBE20
ТО-220
TO-220
КП931А ТО-220 n 5 IRFBE30 ТО-220
КП705Б,В ТО-3 n 5.4 SPP06N80 ТО-220
КП809Д ТО-218
ТО-3
n 9.6    
2П942А ТО-3 n 10    
КП7184А ТО-218 n 15 SPP17N80 ТО-220
КП953А,Б,Д ТО-218 n 15    
КП971Б ТО-218 n 25    
Полевые транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б   n 4.5(3.1) IRFBG30 TO-220
КП705А ТО-3 n 5.4(8) IRFPG50
2SK1120
TO-247
TO-218
КП971А ТО-218 n 25    

micpic.ru

Справочник по MOSFET транзисторам

20- 25 В

 

 

 

 

 

IRL3714ZSPBF

20V, 36A, 16 mOhm, 4.8 nC Qg, D2-Pak

IRL3715ZSPBF

20V, 50A, 11 mOhm, 7 nC Qg, D2-Pak

IRF3704ZSPBF

20V, 67A, 7.9 mOhm, 8.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3711ZSPBF

20V, 92A, 6 mOhm, 16 nC Qg, D2-Pak

IRF1324SPBF

24V, 340A, 1.65 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF1324S-7PPBF

24V, 429A, 1 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak 7-pin

30 В

 

 

 

 

IRF3707ZSPBF

30V, 59A, 9.5 mOhm, 9.7 nC Qg, D2-Pak

IRF3709ZSPBF

30V, 87A, 6.3 mOhm, 17 nC Qg, D2-Pak

IRL8113SPBF

30V, 105A, 6 mOhm, 23 nC Qg, D2-Pak

IRL7833SPBF

30V, 150A, 3.8 mOhm, 32 nC Qg, D2-Pak

IRF2903ZSPBF

30V, 260A, 2.4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

40 В

IRF4104SPBF

40V, 120A, 5.5 mOhm, 68 nC Qg, D2-Pak

IRF1404ZSPBF

40V, 190A, 3.7 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

IRF2804SPBF

40V, 270A, 2.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3004PBF

40V, 340A, 1.75 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRF2804S-7PPBF

40V, 320A, 1.6 mOhm, 170 nC Qg, D2-Pak 7-pin

IRFS3004-7PPBF

40V, 400A, 1.25 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

55 — 60 В

IRFS3806PBF

60V, 42A, 15.8 mOhm, 22 nC Qg, D2-Pak

IRFZ44ZSPBF

55V, 51A, 13.9 mOhm, 29 nC Qg, D2-Pak

IRF1018ESPBF

60V, 77A, 8.4 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRF3205ZSPBF

55V, 110A, 6.5 mOhm, 76 nC Qg, D2-Pak

IRFS3306PBF

60V, 160A, 4.2 mOhm, 85 nC Qg, D2-Pak

IRFS3206PBF

60V, 210A, 3 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006PBF

60V, 270A, 2.5 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak

IRFS3006-7PPBF

60V, 293A, 2.1 mOhm, 200 nC Qg, D2-Pak 7-pin

75 — 80 В

IRFS3607PBF

75V, 80A, 9.0 mOhm, 51 nC Qg, D2-Pak

IRFS3307ZPBF

75V, 120A, 5.8 mOhm, 79 nC Qg, D2-Pak

IRFS3207ZPBF

75V, 170A, 4.1 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107PBF

75V, 230A, 3.0 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak

IRFS3107-7PPBF

75V, 260A, 2.6 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak 7-pin

100 В

IRF540ZSPBF

100V, 36A, 26.5 mOhm, 42 nC Qg, D2-Pak

IRF3710ZSPBF

100V, 59A, 18 mOhm, 82 nC Qg, D2-Pak

IRFS4610PBF

100V, 73A, 14 mOhm, 90 nC Qg, D2-Pak

IRFS4410ZPBF

100V, 97A, 9 mOhm, 83 nC Qg, D2-Pak

IRFS4310ZPBF

100V, 127A, 6 mOhm, 120 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010PBF

100V, 180A, 4.7 mOhm, 143 nC Qg, D2-Pak

IRFS4010-7PPBF

100V, 190A, 4.0 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak  7-pin

150 В

IRFS4615PBF

150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak

IRFS4321PBF

150V, 83A, 15 mOhm, 71 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115PBF

150V, 99A, 12.1 mOhm, 77 nC Qg, D2-Pak

IRFS4115-7PPBF

150V, 105A, 11.8 mOhm, 78 nC Qg, D2-Pak  7-pin

200 В

IRFS4020PBF

200V, 18A, 100 mOhm, 18 nC Qg, D2-Pak

IRFS4620PBF

200V, 24A, 77.5 mOhm, 25 nC Qg, D2-Pak

IRFS4227PBF

200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak

IRFS4127PBF

200V, 76A, 21 mOhm, 110 nC, D2-Pak

250 В

IRFS4229PBF

250V, 45A, 48 mOhm, 72 nC Qg, D2-Pak

micpic.ru

Справочник мощных импортных полевых транзисторов.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов.


Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.
MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей, чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и «хвоста», как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции.








Отечеств.КорпусPDFТипImax, AИмпортн.Корпус
Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом:
ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных
условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364ТО-92n0.02    кп364 — полевой транзистор 40В 0.1А, характеристики
КП302ТО-92n0.04      транзистор кп302 на 40В 0.1А
2П914АТО-39n0.1(0.2) BSS138
2SK583
sot23
TO-92
полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А
КП601ТО-39n0.4   полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А

КП507
ТО-92p0.6
1.1
TP2104
 
TO-92, sot23
sot23
полевой транзистор кп507на 40В 0.3А
   n1.6 BSP295 sot223 импортный полевой smd транзистор BSP295
   n2 RTR020N05 sot23 полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе
   n4 NTR4170 sot23
   n5 PMV60ENsot23
   n6 BSP100sot223
КП921АTO-220n10    мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в быстродействующих переключающих устройствах
КП954ГTO-220n20(18) FDD8424TO-252 мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания
   n34 BUZ11TO-220импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А
2П7160АTO-258n46(42) IRFR4104TO-252характеристики мощного MOSFET IRF4104
n100 IRF1104TO-220 MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А
n162 IRF1404TO-220MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet
n210 IRF2204TO-220 импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А
n280 IRF2804TO-220 импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А
n350 IRFP4004TO-247 мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до 195А
MOSFET транзисторы на напряжение до 60-75В:
   n0.2
0.5
2N7000
BS170
TO-92, sot23smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного монтажа
КП804АТО-39n1    
КП505 А-Г
 
ТО-92n1.4
2.7

IRFL014

sot223
импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа
КП961ГТО-126n5   транзистор КП961Г на 60В 0.5А
КП965ГТО-126n5    транзистор КП965Г на 60В 0.5А
КП801 (А,Б)ТО-3n5     
КП739 (А-В)ТО-220n10 IRF520ТО-220 импортный полевой транзистор IRF520, характеристики
КП740 (А-В)ТО-220n17 STP16NF06TO-220 на 60В 15А
КП7174АТО-220n18    
КП784АТО-220p18  
КП954 В,ДТО-220n20 STP20NF06TO-220 мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А
2П912АТО-3n25    полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А
КП727(А,Б)
ТО-220
 

 
n
p
30
31
STP36NF06
IRF5305
ТО-220 мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А
КП741 (А,Б)ТО-220n50 IRFZ44TO-220 мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet.
КП723(А-В)ТО-220n50 STP55NF06TO-220отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А
КП812(А1-В1)ТО-220n50    отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А
2П7102ДТО-220n50  MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А
КП775(А-В)ТО-220n50(60) STP60NF06 TO-220полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А
КП742(А,Б)ТО-218n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08
IRF1010
IRF2807
IRF4905
TO-220, D2PAK
ТО-220
ТО-220
ТО-220
полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А
n140
169
IRF3808
IRF1405
ТО-220
ТО-220
MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А
   n210 IRFB3077ТО-220 полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А
   n350 IRFP4368ТО-247 мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В  ток до 195А
MOSFET на напряжение до 100-150В:
КП961ВТО-126n5     
КП965ВТО-126p5(6.8) IRF9520ТО-220 p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток до7А
КП743 (А1-В1)ТО-126n5.6  
КП743 (А-В)ТО-220n5.6 IRF510ТО-220mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А.
КП801ВТО-3n8 IRFR120DPAK  
КП744 (А-Г)ТО-220n9.2 IRF520TO-220 импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А
КП922 (А,Б)ТО-3n10 BUZ72TO-220mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А
КП745 (А-В)ТО-220n14 IRF530ТО-220транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А
КП785АТО-220p19 IRF9540ТО-220 импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А
2П7144АТО-220p19    мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А
КП954БТО-220n20 IRFB4212TO-220параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212
2П912АТО-3n20   мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А
КП746(А-Г)ТО-220n28 IRF3315ТО-220 импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А
2П797ГТО-220n28 IRF540ТО-220импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А
КП769(А-Г)ТО-220n28     мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А

КП150

ТО-218

n33
34
38
IRF540NS
BUZ22
 
TO-220, D2PAK
TO-220
 
мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А
КП7128А,БТО-220p40 IRF5210ТО-220 mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А
КП771(А-Г)

 

ТО-220

 

 

n40
42
47

IRF1310
PHB45NQ10

ТО-220
TO-247, D2PAK
отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310
   n57 STB40NF10
IRF3710
smd
ТО-220
мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А
   n72 IRFP4710ТО-247mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А
   n171 IRFP4568ТО-247 полевой тразистор irf4568 на 150В 171А
   n290 IRFP4468ТО-247 мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402АТО-92p0.15 BSS92 TO-92  
КП508АТО-92p0.15   
КП501АТО-92n0.18 BS107TO-92  
КП960ВТО-126p0.2    
КП959ВТО-126n0.2     
КП504ВТО-92n0.2 BS108ТО-92  
КП403АТО-92n0.3    
КП932АТО-220n0.3    
КП748 (А-В)ТО-220n3.3 IRF610ТО-220 mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А
КП796ВТО-220p4.1 BUZ173TO-220  
КП961АТО-126n5 IRF620 TO-220полевой транзистор IRF620 на 200В 5А
КП965АТО-126p5    
КП749 (А-Г)ТО-220n5.2    
КП737 (А-В)ТО-220n9 IRF630ТО-220 mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В
КП704 (А,Б)ТО-220n10mosfet на 200В 10А
КП750 (А-В)ТО-220n18 IRF640
IRFB17N20
TO-220 mosfet транзистор IRF640 (200В 18А)
КП767 (А-В)ТО-220n18    
КП813А1,Б1ТО-220n22 BUZ30A
IRFP264
TO-220
TO-247
мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А
КП250ТО-218n30(25)IRFB4620TO-220  
2П7145А,БКТ-9n30 IRFB31N20TO-220 мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А)
КП7177 А,БТО-218n50(62) IRFS4227D2PAK характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А
   n130 IRFP4668TO-247 мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960АТО-126p0.2   
КП959АТО-126n0.2 
КП796БТО-220p3.7 
2П917АТО-3n5  
КП768ТО-220n10  
КП934БТО-3n10  
КП7178АТО-218
ТО-3
n40   
Полевые транзисторы до 400В:
КП502АТО-92n0.12   
КП511А,БТО-92n0.14     
КП733АТО-220n1.5     
КП731 (А-В)ТО-220n2 IRF710ТО-220 mosfet транзистор IRF710
КП751 (А-В)ТО-220n3.3 BUZ76
IRF720
ТО-220
TO-220
mosfet транзистор IRF720, характеристики
КП931 ВТО-220n5 IRF734ТО-220 mosfet транзистор IRF734
КП768ТО-220n5.5 IRF730ТО-220 mosfet транзистор IRF730
КП707А1ТО-220n6     
КП809БТО-218
ТО-3
n9.6     
КП934АТО-3n10 IRF740ТО-220 mosfet транзистор IRF740
КП350ТО-218n14 BUZ61TO-220 mosfet транзистор BUZ61
2П926 А,БТО-3n16.5     
n18.4 STW18NB40TO-247 импортный полевой транзистор на 400В 18А
КП707АТО-3n25 IRFP360TO-247mosfet на 400В 25А
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В)ТО-220n2.5 IRF820ТО-220 mosfet транзистор IRF820
КП770ТО-220n8 IRF840TO-220 mosfet транзистор IRF840
КП809Б,Б1ТО-218
ТО-3
n9.6 2SK1162ТО-3Р mosfet транзистор 2SK1162
КП450ТО-218n12 IRFP450TO-247 мощный полевой транзистор 500В 14А
КП7182АТО-218n20 IRFP460ТО-247  
КП460ТО-218n20(23) IRFP22N50TO-247 мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А
КП7180А,БТО-218
ТО-3
n26(31) IRFP31N50
STW30NM50
TO-247
TO-247,TO-220
мощный полевой транзистор 500В 31А
n32 SPW32N50TO-247 мощный полевой транзистор на 500В 32А
n46 STW45NM50
IRFPS40N50
TO-247
S-247
мощный полевой транзистор на 500В 46А
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:
Раздел: высоковольтные полевые транзисторы.
КП7129АТО-220n1.2 SPP02N60TO-220 высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В
КП805 (А-В)ТО-220n4(3) SPP03N60TO-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики
КП709(А,Б)ТО-220n4 IRFBC30ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики
КП707Б1ТО-220n4 SPP04N60ТО-220 мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В
КП7173АТО-220n4    
КП726 (А,Б)smd
ТО-220
n4.5     
КП931Б
 
ТО-220
 

 
n5(6.2)
7
IRFBC40
SPP07N60
TO-220
TO-220
MOSFET транзистор 600В 5А
КП809ВТО-218
ТО-3
n9.6 IRFB9N65A TO-220 мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В
2П942ВТО-3n10 SPP11N60ТО-220 MOSFET транзистор 600В 10А
КП953ГТО-218n15    
КП707БТО-3n16.5 SPP20N60
SPW20N60
ТО-220
TO-247
MOSFET транзистор 600В 15А
n30 STW26NM60TO-247 полевой транзистор 600В 30А
КП973БТО-218n30 IRFP22N60
IRFP27N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 30А
n40 IRFPS40N60S-247MOSFET транзистор 600В 40А
n47 SPW47NM60
FCh57N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
n60 IPW60R045TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1ТО-220n3    
КП728 (Г1-С1)ТО-220n3.3    
КП810 (А-В)ТО-218n7    
КП809ЕТО-218
ТО-3
n9.6   мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В
2П942БТО-3n10   MOSFET транзистор 700В 10А
КП707ВТО-3n12.5   мощный полевой транзистор 700В 12А
КП953ВТО-218n15 MOSFET транзистор 700В 15А
КП973А
 
ТО-218
 

 
n30
39

IPW60R075

TO-247
полевой транзистор (IRF) 650В 25А
 n 60 IPW60R045TO-247 полевой транзистор (IRF) 650В 38А
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
n1.5 BUZ78
IRFBE20
ТО-220
TO-220
высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики
КП931АТО-220n5 IRFBE30ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики
КП705Б,ВТО-3n5.4 SPP06N80ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики
КП809ДТО-218
ТО-3
n9.6 STP10NK80TO-220 мощный полевой транзистор 800В 10А
2П942АТО-3n10 STP12NK80TO-247 MOSFET транзистор 800В 10А
КП7184АТО-218n15 SPP17N80ТО-220 мощный полевой транзистор 800В 15А
КП953А,Б,ДТО-218n15   MOSFET транзистор 800В 15А
КП971БТО-218n25(55) SPW55N80TO-247 MOSFET транзистор 800В 25А
MOSFET транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б n4.5(3.1) IRFBG30TO-220 высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В
КП705АТО-3n5.4(8) IRFPG50
2SK1120
TO-247
TO-218
мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В
КП971АТО-218n25(36) IPW90R120TO-247высоковольтный mosfet 900В 30А

www.trzrus.ru

Транзистор полевой — проверка исправности — Транзисторы полевые — РАДИОДЕТАЛИ — Каталог статей

 

     Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, малому сопротивлению в открытом состоянии, находят широкое применение в блоках  питания компьютеров, мониторов, телевизоров,  видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры, постепенно, но неуклонно вытесняя транзисторы биполярные.

1         Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.

При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.

При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

2     Определение цоколёвки полевых транзисторов

Полевые транзисторы, выполненные по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) в англоязычной литературе носят наименование MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor). Расположение выводов (цоколёвка) полевых транзисторов Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet). Их можно найти в инете, например на сайте alldatasheet.com. 

Основные типы корпусов полевых транзисторов импортного производства

Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3. Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.

 

 

Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3. Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

 

Корпус типа SO-8.Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

 

 Корпус типа SuperSO-8, он же — TDSON-8.  тличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

 

 

Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3. По сути — полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Интел на ряде своих плат

 

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные беруться из Даташит (Datasheet — в дословном переводе «бумажка с информацией) — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF.

3     Основные характеристики N-канального полевого транзистора

Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

·        Vds — Drain to Source Voltage — максимальное напряжение сток-исток.

·        Vgs — Gate to Source Voltage — максимальное напряжение затвор-исток.

·        Id — Drain Current — максимальный ток стока.

·       Vgs(th) — Gate to Source Threshold Voltage — пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.

·        Rds(on) — Drain to Source On Resistance — сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.

·        Q(tot) — Total Gate Charge — полныйзарядзатвора.

 

Параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

 

 

4     Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~30V и ток (Id) ~20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток.

 

Примеры:

·       IPP15N03L — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO220

·       IPB15N03L — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO263(D²PAK)

·        SPI80N03S2L-05 — Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ Id=80A TO262

·        NTD40N03R — On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ

·        STD10PF06 — ST STripFET™ II Power P-channel, MOSFET 60V 0.18Ω  10A IPAK/DPAK

 

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX — или Rds, или Id Y — тип канала ZZ – Vds.

 

 

5      Алгоритм проверки исправности полевого транзистора

 

Проверку можно проводить стрелочным омметром (предел х100), но более удобно это делать цифровым мультиметром в режиме тестирования P-N пере­ходов (предел, отмеченный значком ). Показываемое мультиметром зна­чение сопротивления на этом пределе численно равно напряжению на P-N переходе в милливольтах.

Рассмотрим проверку на примере транзистора 20N03:

У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от полярности прикладываемого напряжения (щупов). 

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод.

Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к подложке — СТОКУ (D), красным (положительным) — к выводу ИСТОКА (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 — 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт.

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом вывода ЗАТВОРА (G) и опять возвращаем его на вывод ИСТОКА (S). Мультиметр показывает близкое к нулю значение, причём при любой полярности приложенного напряжения — полевой транзистор открылся прикосновением. На некоторых цифровых мультиметрах возможно значение будет не 0, а 150…170 мВ

Если теперь черным щупом коснуться вывода ЗАТВОРА (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на вывод подложки — СТОКА (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз — исправен.

Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Методика проверки исправности полевых транзисторов с достаточной стапенью правильности показана в видеоролике от магазина Чип и Дип

vmtt-comp.do.am

Полевой МОП-транзистор | Практическая электроника

— Георгий Иваныч, он же Гога, он же Гоша, он же Юрий,

он же Гора, он же Жора, здесь проживает?

— Здесь только Георгий Иваныч.

из кинофильма «Москва слезам не верит»

Ну вот наконец-то  дошли и до МОП-транзисторов ;-).
Как часто вы слышали название МОП, MOSFET, MOS, полевик, МДП-транзистор, транзистор с изолированным затвором? Да-да… это все слова синонимы и относятся они к одному и тому же радиоэлементу.

Полное название такого радиоэлемента на английский манер звучит как Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFET), что в дословном переводе звучит как Металл Оксид Полупроводник Поле Влияние Транзистор. Если преобразовать на наш могучий русский язык, то получается как полевой транзистор со структурой Металл Оксид Полупроводник или просто МОП-транзистор ;-). Почему МОП-транзистор также называют МДП-транзистором и транзистором с изолированным затвором? С чем это связано? Об этих и других вещах вы узнаете в нашей статье. Не переключайтесь на другую вкладку! 😉

Итак

В семействе МОП-транзисторов в основном выделяют 4 вида:

1) N-канальный с индуцированным каналом

2) P-канальный с индуцированным каналом

3) N-канальный со встроенным каналом

4) P-канальный со встроенным каналом

Как вы могли заметить, разница только в обозначении самого канала. С индуцированным каналом он обозначается штриховой линией, а со встроенным каналом — сплошной.

 

В современном мире МОП-транзисторы со встроенным каналом используются все реже и реже, поэтому в наших статьям мы их затрагивать не будем, а будем рассматривать только N и P — канальные транзисторы с индуцированным каналом.

Начнем наш цикл статей про МОП-транзисторы именно с самого распространенного N-канального МОП-транзистора с индуцированным каналом. Go!

 

Если взять тонкий-тонкий нож и разрезать МОП-транзистор вдоль, то можно увидеть вот такую картину:

Если рассмотреть с точки зрения еды на вашем столе, то МОП-транзистор будет больше похож на бутерброд. Полупроводник P-типа — толстый кусок хлеба, диэлектрик — тонкий кусок колбасы, а сверху кладем еще слой металла — тонкую пластинку сыра. И у нас получается вот такой бутер:

А как  будет строение транзистора сверху-вниз? Сыр — металл, колбаса — диэлектрик, хлеб — полупроводник. Следовательно получаем Металл-Диэлектрик-Полупроводник. А если взять первые буквы с каждого названия, то получается МДП — Металл-Диэлектрик-Полупроводник, не так ли? Значит, такой транзистор можно назвать по первым буквам МДП-транзистором ;-). А так как в качестве диэлектрика используется очень тонкий слой оксида кремния (SiO2), можно сказать что почти стекло, то и вместо названия «диэлектрик» взяли название «оксид, окисел», и получилось Металл-Окисел-Полупроводник, сокращенно МОП. Ну вот, теперь все встало на свои места ;-).

Давайте еще раз рассмотрим структуру нашего МОП-транзистора:

Имеем «кирпич» полупроводникового материала P-проводимости. Как вы помните, основными носителями в полупроводнике P-типа являются дырки, поэтому их концентрация в данном материале намного больше, чем электронов. Но электроны тоже есть в P-полупроводнике. Как вы помните, электроны в P-полупроводнике —  это неосновные носители и их концентрация очень мала, по сравнению с дырками. «Кирпич» P-полупроводника носит название Подложки. Она является основой МОП-транзистора, так как на ней создаются другие слои. От подложки выходит вывод с таким же названием.

Другие слои — это материал N+ типа, диэлектрик, металл. Почему N+, а не просто N? Дело в том, что этот материал сильно легирован, то есть концентрация электронов в этом полупроводнике очень большая. От  полупроводников N+ типа, которые располагаются по краям, отходят два вывода: Исток и Сток. Между Истоком и Стоком через диэлектрик располагается металлическая пластинка, от который идет вывод и называется Затвором. Между Затвором и другими выводами нет никакой электрической связи. Затвор вообще изолирован от всех выводов транзистора, поэтому МОП-транзистор также называют транзистором с изолированным затвором.

Итак, смотря на рисунок выше, мы видим, что МОП-транзистор на схеме имеет 4 вывода (Исток, Сток, Затвор, Подложка), а в реальности только 3. В чем прикол? Дело все в том, что Подложку обычно соединяют с Истоком. Иногда это уже делается в самом транзисторе еще на этапе разработки. В результате того, что Исток соединен с Подложкой, у нас образуется диод между Стоком и Истоком, который иногда даже не указывается в схемах, но всегда присутствует:

Поэтому, требуется соблюдать цоколевку при подключении МОП-транзистора в схему.

Итак, как же будет выглядеть рабочая схема транзистора? Что куда подавать и что где снимать?

Да тут все то же самое как и в полевом транзисторе с управляющим P-N переходом. Исток — это вывод, откуда начинают свой путь основные носители заряда, Сток — это вывод, куда они притекают, а Затвор — это вывод, с помощью которого мы контролируем поток основных носителей.

Пусть Затвор у нас пока что никуда не подключен. Для того, чтобы устроить движуху электронов через Исток-Сток, нам потребуется источник питания Bat:

Если рассмотреть наш транзистор с точки зрения P-N переходов и диодов на их основе, то эту можно нарисовать эквивалентную схемку для нашего рисунка. Она будет выглядеть вот так:

где

И-исток, П-Подложка, С-Сток.

Как вы видите, диод VD2 включен в обратном направлении, так что электрический ток никуда не потечет.

Значит, в этой схеме

никакой движухи электрического тока не намечается.

НО…

Если подать определенное напряжение на Затвор, в подложке начинаются волшебные превращения. В ней начинает индуцироваться канал.

Индукция, индуцирование — это буквально означает «наведение», «влияние». Под этим термином понимают возбуждение в объекте какого-либо свойства или активности в присутствии возбуждающего субъекта (индуктора), но без непосредственного контакта (например, через электрическое поле). Последнее выражение для нас имеет более глубокий смысл: «через электрическое поле».

Давайте глянем, как начинает индуцироваться канал в МОП-транзисторе.

Также нам не помешает вспомнить, как ведут себя заряды различных знаков. Те, кто не играл на физике на последней парте в  морской бой и не плевал через корпус шариковой ручки бумажными шариками в одноклассниц, тот наверняка вспомнит, что одноименные заряды отталкиваются, а разноименные — притягиваются:

На основе этого принципа еще в начале ХХ века ученые сообразили, где все это можно применить и создали гениальный радиоэлемент. Оказывается, достаточно подать на Затвор положительное напряжение относительно Истока, как сразу под Затвором возникает электрическое поле. А раз  подаем на Затвор положительное напряжение, значит он будет заряжаться положительно не так ли? Так как у нас слой диэлектрика очень тонкий, следовательно, электрическое поле будет также влиять и на подложку, в которой дырок намного больше, чем электронов. А раз и на Затворе положительный потенциал и дырки обладают положительным зарядом, следовательно, одноименные заряды отталкиваются, а разноименные  — притягиваются. Картина будет выглядеть следующим образом пока что без источника питания между Истоком и Стоком:

Дырки обращаются в бегство подальше от Затвора и поближе к выводу Подложки, так как одноименные заряды отталкиваются, а электроны наоборот пытаются пробиться к металлической пластинке затвора, но им мешает диэлектрик, который не дает им воссоединиться с Затвором и уравнять потенциал до нуля. Поэтому электронам ничего другого не остается, как просто создать вавилонское столпотворение около слоя диэлектрика.

В результате, картина будет выглядеть следующим образом:

Видели да? Исток и Сток соединились тонким каналом из электронов! Говорят, что такой канал индуцировался из-за электрического поля, которое создал Затвор транзистора.

Так как этот канал соединяет Исток и Сток, которые сделаны из N+ полупроводника, следовательно у нас получился N-канал. А  такой транзистор уже будет называться N-канальным МОП-транзистором. Если вы читали статью проводники и диэлектрики, то наверняка помните, что в проводнике очень много свободных электронов. Так как Сток и Исток соединились мостиком из большого количества электронов, следовательно этот канал стал проводником для электрического тока. Проще говоря, между Истоком и Стоком образовался проводок, по которому может бежать электрический ток.

Получается, если подать напряжение между Стоком и Истоком при индуцированном канале, то мы можем увидеть вот такую картину:

Как вы видите, цепь стает замкнутой и в цепи начинает спокойно протекать электрический ток.

Но это еще не все! Чем сильнее поле, тем больше концентрация электронов, тем толще получается канал. А как сделать поле сильнее? Достаточно подать побольше напруги на Затвор 😉 Подавая бОльшее напряжение на Затвор с помощью Bat2, мы  увеличиваем толщину канала, а значит и его проводимость! Или простыми словами, мы можем менять сопротивление канала, «играя» напряжением на затворе 😉 Ну гениальнее некуда!

В нашей статье мы разобрали N-канальный МОП транзистор с индуцированным каналом. Также есть еще и P-канальный  МОП-транзистор с индуцированным каналом. P-канальный работает точно также, как и N-канальный, но вся разница в том, что основными носителями будут являться уже дырки. В этом случае все напряжения в схеме меняем на инверсные, в отличие от N-канального транзистора:

На ютубе нашел очень неплохое видео, поясняющее работу полевого МОП-транзистора. Рекомендую к просмотру (не реклама):

А вот и  продолжение

www.ruselectronic.com