Схема ключ – Двусторонний ключ для питания / Схемотехника / Сообщество разработчиков электроники

Двухтранзисторные биполярные ключи в схемах на микроконтроллере

«Один в поле не воин». Так можно символически охарактеризовать однотранзисторные ключи. Естественно, в паре с себе подобными решать поставленные задачи гораздо легче. Введение второго транзистора позволяет снизить требования к разбросу и величине коэффициента передачи А21э- Двухтранзисторные ключи широко применяются для коммутации повышенных напряжений, а также для пропускания большого тока через нагрузку.

На Рис. 2.68, a…y приведены схемы подключения двухтранзисторных ключей на биполярных транзисторах к MK.

Рис. 2.68. Схемы подключения двухтранзисторных ключей на биполярных транзисторах (начало):

а)транзистор VT1 служит эмиттерным повторителем. Он усиливает ток и через ограничительный резистор R2 подаёт его в базу транзистора VT2, который непосредственно управляет нагрузкой RH;

б) транзисторы K77, VT2 включены по схеме Дарлингтона (другое название «составной транзистор»). Общее усиление равно произведению коэффициентов передачи Л21Э обоих транзисторов. Транзистор VT1 обычно ставят маломощный и более высокочастотный, чем VT2. Резистор R1 определяет степень насыщения «пары». Сопротивление резистора R2 выбирается обратно пропорционально току в нагрузке: от нескольких сотен ом до десятков килоом;

в) схема Д.Бокстеля. Диод Шоттки VD1 ускоряет запирание мощного транзистора VT2, повышая в 2…3 раза крутизну фронтов сигнала на частоте 100 кГц. Тем самым нивелируется основной недостаток схем с транзисторами Дарлингтона — низкое быстродействие;

г) аналогично Рис. 2.68, а, но транзистор VT1 открывается при переводе линии MK в режим входа с Z-состоянием или входа с внутренним « pull-up» резистором. В связи с этим уменьшается токовая нагрузка на линию порта, но снижается экономичность за счёт рассеяния дополнительной мощности на резисторе R1 при НИЗКОМ уровне на выходе MK;

д) «само защищённый ключ» на силовом транзисторе VT2 и ограничивающем транзисторе VT1 Как только ток в нагрузке Лн превысит определённый порог, например, из-за аварии или замыкания, на резисторе R3 выделяется напряжение, достаточное для открывания транзистора VT1 Он шунтирует базовый переход транзистора VT2, вызывая ограничение выходного тока;

е) двухтактный усилитель импульсов на транзисторах разной структуры; О

ж) транзистор И72открывается с относительно малой задержкой по времени (R2, VD1, C7), а закрывается — с относительно большой задержкой по времени (C7, R3, VT1)\

з) высоковольтный ключ, обеспечивающий фронты импульсов 0.1 МК с при частоте повторения до 1 МГц. В исходном состоянии транзистор VT1 открыт, а ГТ2закрыт. На время импульса транзистор VT1 открывается и через него быстро разряжается ёмкость нагрузки 7?н. Диод VD1 исключает протекание сквозных токов через транзисторы VT1, VT2\

и) составной эмиттерный повторитель на транзисторах VT1, ГТ2обладает сверхбольшим коэффициентом усиления по току. Резистор 7?2гарантированно закрывает транзисторы при НИЗКОМ уровне на выходе MK;

к)транзистор VT1 в открытом состоянии блокирует транзистор VT2. Резистор R1 служит коллекторной нагрузкой транзистора VT1 и ограничителем базового тока для транзистора VT2\ л) мощный двухтактный каскад с буферной логической микросхемой 7)7)7, которая имеет выходы с открытым коллектором. Сигналы с двух линий MK должны быть противофазными. Резисторы R5, 7?6ограничиваюттоки в нагрузке, подключаемой к цепи 6 вых; О

м) ключ для нагрузки Лн, которая подключается к источнику отрицательного напряжения. Транзистор VT1 служит эмиттерным повторителем, а транзистор VT2 — усилителем с общей базой. Максимальный ток нагрузки определяется по формуле /н[мА] = 3.7 /Л,[кОм]. Диод VDJ защищает транзистор VT2 от переполюсовки питания.

н) ключ на транзисторах разной структуры. Резистор R1 определяет ток в нагрузке RH, но подбирать его надо осторожно, чтобы не превысить ток базы транзистора VT2 при полностью открытом транзисторе VT1 Схема критична к коэффициентам передачи обоих транзисторов;

о) аналогично Рис. 2.68, н, но транзистор VT1 используется как ключ, а не как переменное сопротивление. Ток в нагрузке задаётся резистором R4. Резистор R5 ограничивает начальный пусковой ток транзистора VT2 при большой ёмкостной составляющей нагрузки RH. Схема не критична к коэффициентам передачи транзисторов. Если в качестве К72используется «суперба» транзистор KT825, то сопротивление R4 следует увеличить до 5.1 …10 кОм;

п) практический пример коммутации высоковольтного напряжения 170 В при низком токе нагрузки при сопртивлении RH не менее 27 кОм;

p) аналогично Рис. 2.68, н, но с активным НИЗКИМ уровнем на выходе MK; О

О Рис. 2.68. Схемы подключения двухтранзисторных ключей на биполярных транзисторах (окончание):

с) транзисторы VT1 и кТ2работают в противофазе. Напряжение в нагрузку Лн подаётся через транзистор VT2 и диод VD1, при этом транзистор VT1 должен быть закрыт ВЫСОКИМ уровнем с верхнего выхода MK. Чтобы снять напряжение с нагрузки, транзистор Г72закрывается ВЫСОКИМ уровнем с нижнего выхода MK, после чего транзистор VT1 открывается и через диод VD2 ускоренно разряжает ёмкость нагрузки. Достоинство — высокое быстродействие, возможность быстрой повторной подачи напряжения в нагрузку;

т) на MK подаётся «взвешенное» и отфильтрованное питание в диапазоне 4…4.5 В. Обеспечивают это гасящий стабилитрон VD1 и помехоподавляющий конденсатор C1. При ВЫСОКОМ уровне на выходе МК  транзисторы K77, Г72закрыты, при НИЗКОМ — открыты. Максимально допустимый ток стабилитрона VD1 должен быть таким, чтобы он был больше суммы тока потребления MK, тока через резистор R1 при НИЗКОМ уровне на выходе MK и тока внешних цепей, если они подключены к MK по другим линиям портов;

у) видеоусилитель натранзисторах VT1 и VT2, которые включены по схеме Шиклаи (Sziklai). Это разновидность схемы Дарлингтона, но на транзисторах разной проводимости. Данная «парочка» эквивалентна одному транзистору структуры п—р—п со сверхвысоким коэффициентом усиления Л21Э. Диоды VD1, КД2защищаюттранзисторы от выбросов напряжения, проникающих извне по цепи  ВЫх- Резистор R1 ограничивает ток при случайном коротком замыкании в кабеле, подстыкованном к внешней удалённой нагрузке 75 Ом.

Источник: Рюмик, С. М., 1000 и одна микроконтроллерная схема. Вып. 2 / С. М. Рюмик. — М.:ЛР Додэка-ХХ1, 2011. — 400 с.: ил. + CD. — (Серия «Программируемые системы»).

nauchebe.net

Ключи на биполярных транзисторах | Основы электроакустики

В линейных схемах потенциал коллектора транзистора устанавливается таким, чтобы его величина находилась в пределах между напряжением питания и напряжением на коллекторе в режиме насыщения UК НАС. При этом усиление сигнала осуществляется в окрестности установленной рабочей точки.

Отличительной особенностью линейных схем является то, что величина входного сигнала остается настолько малой, что выходное напряжение линейно зависит от входного и не выходит за пределы верхней и нижней границ линейного участка характеристики, так как в противном случае появились бы заметные искажения сигнала.

В отличие от линейных схем цифровое схемы работают только в двух характерных рабочих состояниях. Эти состояния характеризуются тем, что выходное напряжение может быть либо больше некоторого заданного напряжения , либо меньше заданного напряжения  причем UL < UH. Если выходное напряжение превышает , то говорят, что схема находится в состоянии H (high – выcокий), если же оно меньше, чем  говорят, что она находится в состоянии L (low – низкий).

Величины уровней  и  зависят только от используемой схемотехники. Чтобы можно было однозначно интерпретировать выходной сигнал, уровни, лежащие между значениями  и , считаются запрещенными. Схемотехнические особенности, определяемые этими требованиями, рассмотрим на примере транзисторного ключа, представленного на рис. 15.2.

 

Рис. 15.2. Транзисторный ключ

 

В схеме должны выполняться следующие условия:

UВЫХ ≥ UH при UУПРUL,                       (15.1)

UВЫХ ≤ UL при UУПРUH.                      (15.2)

 

Эти условия должны выполняться даже для самого неблагоприятного случая, т.е. UВЫХ не должно быть меньше, чем  при UУПР=UL, и UВЫХ не должно быть больше, чем  при UУПР=UH. Такие условия могут быть выполнены соответствующим выбором уровней  и , а также величин сопротивлений RK и RБ. Передаточная характеристика транзисторного ключа показана на рис. 15.3.

 

Рис. 15.3. Передаточная характеристика ключа

 

Параллельный ключ. Применение биполярного транзистора в качестве параллельного ключа показано на рис. 15.3, а, б.

 

 

 

Рис. 15.3. Параллельный ключ на биполярном транзисторе:

a) прямое включение; б) инверсное включение

 

Чтобы транзисторная цепь была достаточно низкоомна, необходимо поддерживать ток базы в пределах нескольких миллиампер. Токи коллектора и эмиттера не должны превышать этих значений; при этом остаточные напряжения, соответствующие IК=0 или IЭ=0, будут малы.

Последовательный ключ. На рис. 15.4 представлена схема последовательного коммутатора, выполненная на биполярном транзисторе. Чтобы перевести этот транзистор в режим отсечки, необходимо приложить отрицательное управляющее напряжение. Оно должно быть по абсолютной величине большим, чем максимальное напряжение отсечки.

Рис. 15.4. Последовательный ключ на базе насыщенного эмиттерного повторителя

 

Чтобы открыть транзистор, на его вход надо подать управляющее напряжение большее, чем напряжение отсечки, на величину ΔU = IБRБ. При этом переход коллектор-база откроется, и транзистор будет работать как ключ в инверсном включении. Недостатком схемы является протекание базового тока IБ транзистора через цепь источника входного сигнала. Чтобы это не сказывалось на работе схемы, внутреннее сопротивление источника сигнала должно быть достаточно малым.

Если выполняется это условие, то схема оказывается пригодной и для положительного входного напряжения. При этом ток эмиттера IЭ открытого транзистора будет положителен, что уменьшает напряжение смещения. При определенном значении тока эмиттера IЭ оно может даже равняться нулю.

В этом режиме работы схема представляет собой насыщенный эмиттерный повторитель. Для управляющего напряжения, величина которого лежит в пределах от нуля до входного напряжения (0 < UУПР < UВХ), она работает как эмиттерный повторитель сигнала управляющего сигнала. Это обстоятельство иллюстрируется передаточной характеристикой ключа для положительных входных напряжений, представленной на рис. 15.5.

 

Рис. 15.5. Передаточная характеристика для положительных входных напряжений

 

Последовательно-параллельный ключ. Если совместить насыщенный эмиттерный повторитель и параллельный ключ, получится последовательно-параллельный коммутатор, имеющий в обоих рабочих состояниях малое напряжение смещения. Недостатком его является необходимость наличия комплементарных управляющих сигналов. Более простое управление можно обеспечить, если применить изображенный на рис. 15.6 комплементарный эмиттерный повторитель, который работает в режиме насыщения в обоих направлениях. Для этого необходимо обеспечить    выполнение    следующих   условий   UУПР МАКС>UВХ   и UУПР МИН<0.

Благодаря низкому выходному сопротивлению в обоих режимах схема реализует высокую скорость коммутации выходного напряжения при 0 < UВЫХ < UВХ.

 

 

Рис. 15.6. Последовательно – параллельный ключ

audioakustika.ru

принципиальная схема, передаточная характеристика, статический режим работы.

Электронными
ключами называют устройства,
предназначенные для замыкания или
размыкания электрических цепей под
действием внешних управляющих сигналов.
В бесконтактных электронных ключах
используются нелинейные элементы:
полупроводниковые диоды, биполярные
и полевые транзисторы, тиристоры. В
отличие от механических переключателей
электронные ключи обладают большим
быстродействием и надежностью.

В
зависимости от назначения ключевые
схемы бывают: цифровые и аналоговые.

Различают
статический режим работы ключа, когда
он находится в закрытом или открытом
состоянии, и динамический режим,
соответствующий переключению из
закрытого состояния в открытое и
наоборот. Каждый из режимов работы
описывается определенным набором
характеристик и параметров.

Параметры
статического режима электронного
ключа определяются

его
передаточной характеристикой, которая
устанавливает зависимость выходного
напряжения от входного Uвых = f(Uвх).
Рассмотрим работу насыщенного электронного
ключа на БТ, принципиальная схема
которого представлена на рис. 8.2, а
передаточная характеристика – на рис.
8.1.

В
транзисторном ключе два его устойчивых
состояния (разомкнутое и замкнутое)
соответствуют пологим участкам
передаточной характеристики, ограниченным
точками А и В. На пологом участке
(ограниченном точкой А и соответствующем
малым входным напряжениям Uвх<
U0пор)
ключ разомкнут, транзистор закрыт или
находится в режиме отсечки, и на нем
падает большое напряжение – напряжение
логической единицы U1вых
. При относительно большом входном
напряжении Uвх>U1пор
, соответствующем другому пологому
участку, ограниченному точкой В, ключ
замкнут, транзистор открыт и насыщен,
выходное напряжение U0вых
мало. Участок передаточной характеристики
между точками А и В соответствует работе
транзистора в активном режиме.

Основными
параметрами статического режима
являются (см. рис.8.2): пороговое
напряжение нуля

U0пор
, соответствующее входному напряжению,
при котором БТ находится на границе
между режимом отсечки и активным режимом;
пороговое
напряжение единицы

U1пор
, соответствующее входному напряжению,
при котором БТ находится на границе
между активным режимом и режимом
насыщения; напряжение
логического нуля U
0вых
,
соответствующее минимальному выходному
напряжению; напряжение
логической единицы
U1вых
, соответствующее максимальному выходному
напряжению.

Различают
запас помехоустойчивости по уровню
нуля: U0пом=U0пор-U0вых

который
определяет допустимое напряжение помехи
положительной полярности, и запас
помехоустойчивости по уровню единицы:
U1пом
=U1пор
–U1вых
который определяет допустимое напряжение
помехи отрицательной полярности.

32 . Ключ на бт: принципиальная схема, динамический режим работы.

Электронными
ключами называют устройства,
предназначенные для замыкания или
размыкания электрических цепей под
действием внешних управляющих сигналов.
В бесконтактных электронных ключах
используются нелинейные элементы:
полупроводниковые диоды, биполярные
и полевые транзисторы, тиристоры. В
отличие от механических переключателей
электронные ключи обладают большим
быстродействием и надежностью.

В
зависимости от назначения ключевые
схемы бывают: цифровые и аналоговые.

Различают
статический режим работы ключа, когда
он находится в закрытом или открытом
состоянии, и динамический режим,
соответствующий переключению из
закрытого состояния в открытое и
наоборот. Каждый из режимов работы
описывается определенным набором
характеристик и параметров.

Динамический
режим ключа описывается параметрами
быстродействия, которые определяются
скоростью переходных процессов,
возникающих в устройстве при подаче на
вход прямоугольного импульса (рис. 8.5).
Быстродействие ключа определяется
параметрами используемого активного
элемента – транзистора, номинальных
значений элементов схемы, характера
и параметров нагрузки.

Различают
следующие параметры быстродействия:

время
задержки

tзд
– интервал времени от момента подачи
входного сигнала до момента, когда ток
коллектора достигнет значения 0,1∙IКнас
, определяется длит-тью заряда барьерных
емкостей эмиттерного и коллекторного
переходов БТ, tзд
часто называют временем задержки
включения;

длительность
фронта

tф
– интервал времени, в течение которого
коллекторный ток нарастает от значения
0,1∙IКнас

до 0,9∙IКнас

определяется скоростью накопления
носителей в базе;

время
включения

время
рассасывания

tрас
– интервал времени между моментом
подачи на базу транзистора запирающего
импульса до момента, когда ток коллектора
уменьшается до 0,9IК
нас
,
определяется скоростью рассасывания
избыточных носителей базы, tрас
часто называют временем задержки
выключения;

длительность
спада

tсп
– интервал времени, в течение которого
ток коллектора уменьшается от уровня
0,9IК
нас
до
уровня 0,1IК
нас
,
определяется скоростью рассасывания
неосновных носителей базы и коллектора;

время
выключения

где
IБ
обр
m
— амплитуда обратного тока базы в момент
подачи на базу запирающего импульса.

Принципиальная
схеме ключа на БТ

studfiles.net

Транзисторный ключ | Volt-info

Зная, как работает транзистор, с его помощью можно создать несколько простых, но весьма практичных электронных устройств. Одним из таких устройств является транзисторный ключ.

Транзисторный ключ представляет собой аналог электромеханического реле с одним контактом. Как положение контактов реле управляется подачей достаточной разности электрических потенциалов на выводы обмотки реле, так проводимость коллекторного перехода биполярного транзистора управляется подачей достаточной разности электрических потенциалов на его эмиттерный переход (рисунок 1).

Рисунок 1. Реле и транзисторный ключ.

К контактам X1 и X2 подключен источник управляющего сигнала, к X3 и X4 – источник питания нагрузок HL1 и HL2.

При нажатии кнопки SB1 от источника сигнала GB1 через замкнутые контакты кнопки подаётся напряжение на обмотку реле KL1. При этом, замыкается контакт реле, через который начинает протекать ток нагрузки HL1. Так коммутируется нагрузка с помощью обычного электромеханического реле.

Аналогично работает схема транзисторного ключа.

  • При разомкнутых контактах кнопки SB1 потенциалы на выводах резисторов R1 и R2 практически равны потенциалу эмиттера, на эмиттерном переходе смещение отсутствует, коллекторный переход закрыт, ток через нагрузку не течёт (аналог разомкнутого контакта реле).
  • Замыканием контактов кнопки SB1 подаётся напряжение на делитель R2-R1, который выполняет несколько функций. Соотношение резисторов подбирается таким, чтобы при заданном напряжении управляющего сигнала через базу транзистора протекал ток не превышающий максимально допустимого значения. Таким образом, предотвращается выход из строя транзистора и перерасход электрической энергии на управление ключом. При размыкании контакта кнопки SB1, на базе транзистора остаётся напряжение насыщенной базы, которое поддерживается коллекторным током нагрузки. Чтобы закрыть транзистор, необходимо принудительно снизить потенциал базы до такого значения, чтобы транзистор переключился в режим отсечки (для кремниевых транзисторов это напряжение примерно меньше 0,3-0,6 В). Это делает резистор R1, уравнивая потенциал базы с потенциалом эмиттера, как бы подтягивая базу к эмиттеру. (По этой причине, резисторы выполняющие подобные функции часто называют подтягивающими).

Часто в схемах дискретного управления ключи управляются напряжениями логического нуля и единицы, и напряжение логического нуля может быть отличным от нулевого значения. Значения напряжений логических уровней указывается в справочных данных на используемые элементы схем, и их необходимо учитывать при проектировании схем ключей.

Для того, чтобы определить необходимый ток базы для полного насыщения (отпирания) транзистора, можно воспользоваться справочными данными. Зная максимально допустимый ток коллектора можно вычислить необходимый для этого значения ток базы делением на коэффициент усиления по току. В справочных данных коэффициент усиления обычно приводится в виде диапазона значений, например 50…200, нужно брать нижний предел (50) как крайний случай, при котором будут работать транзисторы с любым коэффициентом из указанного диапазона, так как ток базы будет максимальным.

Для того, чтобы транзистор надёжно закрывался в режиме отсечки, необходимо проследить, чтобы при подаче напряжения логического нуля на резистор R2, на базе транзистора напряжение было меньше 0,3 В.

volt-info.ru

Двусторонний ключ для питания / Схемотехника / Сообщество разработчиков электроники

Для i3, мне понадобилась такая система: по умолчанию питание берется от батарейки, а когда пользователь подключает USB, прерыватель начинает питаться от USB. Вроде бы, просто. Но чем отключать батарейку? Первая мысль — mosfet’ом, конечно. К сожалению, у мосфетов есть паразитный внутренний диод, который портит всю малину. Вот смотрите:


Видно, что USB закорочен на батарейку, и тут выживет сильнейший 🙂 Понятно, что это — плохой вариант. Именно для того чтобы увидеть такие моменты, я всегда изображаю паразитный диод в символе транзистора. Опустив свои поиски, покажу готовый результат:

Идея в том, что один транзисторы блокируют внутренние диоды друг друга. (транзисторы можно поставить и истоками друг к другу, схема все равно будет работать).

Такой ключ может проводить ток в обе стороны. Иногда это не желательно и нужна защита от переполюсовки, как в случае с i3. Если присмотреться, то видно, что левый транзистор играет роль управляемого «идеального диода», но, в отличии от него не проводит ток в обратном направлении, так как закрывается напряжением от USB.

В качестве примера, у нас будет кусок схемы питания i3, в котором используется этот ключ(напряжение батареек (2xAA) 2-3.5в, USB и внешнего выхода — 4.75-5.25в):

Итак, с ключом на Q1 и Q2 вы уже знакомы. По умолчанию, ключ закрыт. Когда пользователь нажимает кнопку B1, напряжение на затворе падает и ключ открывается. При подаче питания, запускается процессор, который открывает Q3 и таким образом, при отпускании кнопки, система не выключается. unidk очень удачно называл это «триггер на процессоре».

Через отдельный диод D1, питание от USB смешивается с питанием от батареек. Раздельные диоды для затвора и для подачи питания нужны для того, чтобы напряжение от батарейки само не закрывало свой-же ключ.

От чего сейчас питается прерыватель, он может узнать по напряжению VSupply. Если это напряжение меньше 4в, то это батарейка и можно мерить ее напряжение и экономить питание. Если больше — то это USB.

Эта статья навеяна тем, что недавно я встретил человека в местном магазине радиодеталей, который хотел сделать высоковольтный двунаправленный ключ. Собственно, эта статья и является ответом на его вопрос.

tqfp.org

КЛЮЧИ ДЛЯ ДОМОФОНА

   Началось с того, что мне пришлось носить несколько ключей (таблеток) от домофонов. Поискав по интернету нашел приемлемую схему и повторив её пришел в восторг от безотказной работы.

   Вот такая таблетка представляет из себя микросхему DS1990A фирмы MAXIM. Устройство позволяет считывать в память и эмулировать до 10 таких ключей. 

   Ключ общается с домофоном по двухпроводной шине 1-wire, по ней же получает питание. 

   Схема устройства для эмуляции ключей очень проста. Основа — микроконтроллер ATTiny2313, для индикации я использовал одноразрядный семисегментный индикатор, который отображает режим работы номер ячейки. С3 — переключает режимы, С2 — номер ячейки. Для индикации режима записи использовал СМД светодиод, на фото для настройки пока стоит обычный диод. Всё устройство замены ключей для домофонов потребляет ток всего 10 мА. 

   Микроконтроллер ATtiny тактируется от встроенного генератора с частотой 8 МГц, при прошивке необходимо включить BOD (запрограммировать фьюзы BODLEVEL0, BODLEVEL1 стереть BODLEVEL2), иначе при выключении питания попортится EEPROM данных. 

   Работа с ключом для домофона:

— Программирование ключа. При нажатии С3, загорается дополнительный светодиод. Выбираем номер ячейки С2, и подносим к контактам ключ таблетку. Данные с ключа копируются в EEPROM контроллера и светодиод автоматически гаснет.

— Эмуляция ключа. Для эмуляции ключа выбираем на индикаторе номер ячейки, а затем тыкаем контакты в дмомфон

   В моём варианте, размеры получились очень маленькими. Элемент питания батарейка 23АЕ на 12 вольт. Здесь можно скачать прошивку и чёртёж печатной платы для ключа домофона. Схему прислал Я. Эдуард

   Форум по электронным ключам

   Обсудить статью КЛЮЧИ ДЛЯ ДОМОФОНА

radioskot.ru

Схема — ключ — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Схема — ключ

Cтраница 1

Схема ключа особенно благоприятна для возникновения неустойчивости, поскольку при запирании прибора, когда часть эмиттера уже закрылась, интегральный ток коллектора падает, а следовательно, напряжение на коллекторе значительно повышается: сопротивление нагрузки в данном случае играет роль обратной связи, способствующей кумуляции мощности в местах коллекторного перехода, противолежащих открытым участкам эмиттера. Эти участки эмиттера могут располагаться в областях, наиболее удаленных от базовых контактов в случае идеальной структуры транзистора или около определенных технологических дефектов в реальных структурах.
 [1]

Схема ключа, показаная на фиг.
 [2]

Схема ключа приведена на рис. 6.16, а. Ключевым элементом служит транзистор Т, нагрузкой которого является нелинейный резистор в виде МДП-структуры Тн. Параметры рассматриваемого элемента определяются вольт-амперными характеристиками как ключевого, так и нагрузочного транзистора.
 [4]

Схема ключа с общим эмиттером или ключа ОЭ ( рис. 3.2, а) применяется чаще других. Отличительная особенность ключа ОЭ, соответствующего типовой схеме рис. 3.1, а, состоит в том, что в нем происходит инвертирование сигнала.
 [5]

Схема ключа на комплементарных МДП-транзисторах ( дополняющих типов проводимости) приведена на рис. 6.20, я. В этой схеме в качестве ключевых элементов используются два транзистора, один из них Т с n — каналом, а другой Тр с р-кана-лом. Подложка транзистора Т подключается к точке с наименьшим потенциалом, а подложка транзистора Тр — к точке с наивысшим потенциалом. Тем самым исключается отпирание p — n — переходов, изолирующих каналы МДП-структур от их подложек.
 [6]

Схема ключа на транзисторах с индуцированными каналами р-и n — типа приведена на рис. 3.12. Коммутирующий транзистор Т1 имеет канал р-типа, а нагрузочный транзистор Т2 — канал n — типа. Стоки транзисторов соединены и с них снимается выходное напряжение ыа. Затворы также соединены друг с другом и на них подается входное напряжение иг. В данном случае разделение транзисторов на коммутирующий и нагрузочный условно, так как оба они управляются входным сигналом и, таким образом, оба выполняют функцию коммутации.
 [7]

Схема ключа, показанная на рис. 4, хотя и содержит больше элементов, предъявляет менее жесткие требования к параметрам полевого транзистора.
 [8]

Схема ключа приведена на ряс. А и Б, с которыми соединен ключ, равно нулю, а в разомкнутом состоянии — бесконечности.
 [10]

Схема тристабильного ключа ( вырожденного мультиплексора), его таблица истинности и его обозначение приведены на рис. 58, а-в. Тристабильный элемент в отличие от логики с двумя состояниями имеет дополнительное третье состояние с высокоомным сопротивлением, так называемое высокоимпедансное состояние.
 [11]

В схеме ключа при большом количестве источников целесообразно применять кремниевые триоды во избежание влияния напряжений источников друг на друга. При работе в режиме переключения ключ находится в закрытом состоянии, когда его сопротивление велико, или в режиме насыщения — при относительно малом сопротивлении. При любой полярности входного сигнала Е в запертом состоянии ключа коллекторный переход одного из триодов включен в обратном направлении, а коллекторный переход другого — в прямом, что обеспечивает возможность коммутации напряжений любой полярности.
 [12]

В схеме ключа МДП-транзистор соединяется последовательно с нагрузкой.
 [14]

Страницы:  

   1

   2

   3

   4

   5




www.ngpedia.ru