Транзистор d2018 – Высоковольтные биполярные PNP транзисторы (PNP Bipolar High Voltage Bipolar Transistors) | Документация и описания электронных компонентов

NanoRing — новый вид транзисторов от Qualcomm

Во всей современной электронике используются транзисторы. Несмотря на бурное развитие технологий, сам принцип работы транзистора за последнее время мало изменился, но вскоре благодаря компании Qualcomm нас может ждать небольшая техническая революция из-за появления транзистора абсолютно нового типа под названием NanoRing.

Ранее в этом году специалисты Qualcomm, совместно со своими коллегами из Applied Materials и Synopsys, провели расчеты математических моделей пяти новых типов транзисторов следующего поколения. В отличие от современных электронных транзисторов, в которых основным элементом является кремниевое «ребро», пропускающее ток во включенном состоянии, NanoRing работают иначе. Они представляют собой «сэндвич» из трех кремниевых прямоугольных каналов. Каждый такой канал окружен слоем диэлектрика, покрытого металлическим слоем управляющего электрода — затвора. Подача электричества на затвор изменяет напряженность электрического поля в кремнии, что позволяет току течь через него.

Несмотря на отличные результаты, полученные в ходе расчетов математических моделей, о полноценном успехе говорить пока рано. Первые испытания NanoRing должны состояться в 2018 году, и если они пройдут успешно — Qualcomm собирается разработать смартфон на основе новых транзисторов. В случае успеха это будет телефон, который для своей работы будет потреблять в несколько раз меньше энергии, чем существующие модели при сохранении той же производительности.

hi-news.ru

Создан транзистор c самым маленьким затвором в мире

Строение транзистора. В роли канала выступает бислой дисульфида молибдена, затвор — углеродная нанотрубка

Sujay Desai/UC Berkeley

Физики из Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли, а также университетов Калифорнии, Техаса и Стэнфорда создали транзистор с рекордно малым размером затвора — части устройства, отвечающей за включение и отключение. Его длина составила всего один нанометр — в 20 раз меньше, чем в современных устройствах. Ключевым для создания транзистора стало использование в качестве основного материала атомарно тонких слоев дисульфида молибдена. В случае традиционных кремниевых транзисторов минимальный размер затвора ограничен пятью нанометрами. Исследователи отмечают, что разработанная технология не адаптирована для массового производства, но тем не менее работа показывает, что предел миниатюризации транзисторов еще не достигнут. Исследование опубликовано в журнале Science, кратко о нем сообщает пресс-релиз лаборатории.

Основной деталью современных микроэлектронных устройств являются транзисторы — полупроводниковые приборы, способные изменять свою электропроводность под действием приложенного управляющего напряжения. Полевые транзисторы (самый распространенный тип) состоят из трех основных частей — истока, затвора и стока. В простейшем случае в транзисторе есть два разных типа проводников с различными видами проводимости. Между истоком и стоком есть канал, через который могут перемещаться носители заряда, часть этого канала контактирует с полупроводником другого типа проводимости. Если приложить к последнему напряжение, то возникает запирающий слой, повышающий сопротивление канала — транзистор «отключается». 

Современные транзисторы имеют размеры порядка десятков нанометров — на таких расстояниях начинают сказываться различные побочные эффекты, связанные с квантовой природой носителей зарядов, электронов. Так, при малых длинах канала, расположенного рядом с затвором, электроны могут «не обращать внимания» на запирающий слой и попросту туннелировать сквозь него. Такой транзистор невозможно выключить. Этот эффект можно подавить, увеличив эффективную массу электронов и сделав их менее подвижными. Эффективная масса носителей заряда — это такая масса, имея которую в вакууме частицы двигались бы так же, как двигаются в реальном материале. Изменить ее можно, выбрав другой материал для транзистора.

В новой работе авторы использовали для канала транзистора слой дисульфид молибдена толщиной в несколько атомных слоев. Эффективная масса носителей заряда в нем в несколько раз выше, чем в кремнии. Роль управляющего электрода, изменявшего состояние затвора, играла одиночная углеродная нанотрубка. От затвора она отделена слоем диэлектрика — оксида циркония. 

Чтобы собрать подобное устройство, ученые пользовались высокоточными техниками — на первом этапе одиночную углеродную нанотрубку переносили на подложку. Затем с помощью сканирующей электронной микроскопии физики устанавливали точное положение нанотрубки на подложке и напыляли на ее концы палладий. Образовывались контакты большой площади, благодаря которым можно было подавать напряжение на затвор. Затем с помощью техники атомного послойного осаждения авторы наносили слой оксида циркония требуемой толщины. Следом за этим на диэлектрик помещали дисульфид молибдена и напыляли контакты — исток и сток.

Эксперименты с устройством показали, что проводимость транзистора управляется напряжением на затворе. Ток, проходящий через транзистор в выключенном состоянии, в миллион раз меньше, чем ток включенного транзистора. 

Авторы отмечают, что хотя разработанные транзисторы гораздо меньше, чем используемые в современных устройствах, их массовое производство на сегодняшний день потребует значительных усовершенствований техник литографии. Так, сложность представляет рост больших по площади моноатомных слоев дисульфида молибдена, а также технология нанесения на них металлических контактов.

Слева направо, сверху-вниз: строение транзистора, микрофотография затвора, микрофотография всего транзистора, микрофотография среза, распределение элементов в срезе транзистора

Sujay B. Desai et al. / Science, 2016

Для того чтобы увеличить скорость работы и другие характеристики транзисторов, физики используют необычные материалы. Так, недавно материаловеды из Университета Висконсина впервые создали транзистор на основе углеродных нанотрубок, обошедший кремниевые устройства по плотности тока насыщения. Создать в некотором смысле биосовместимые транзисторы удалось шведским физикам — ученые превратили в транзисторы клетки садовой розы.

Владимир Королёв

nplus1.ru

Новое поколение транзисторов

Новое поколение транзисторов

1. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов

Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано на стремительном развитии последних технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), и в частности, возможности их использования как недорогой альтернативы мощным полевым МОП транзисторам.

В данной статье приводится сравнение динамических характеристик, потерь на переключение и проводимости мощных полевых МОП транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором PT (Punch Through) новой технологии IGBT Advanced Power Technology Power MOS 7®. Также рассматривается использование последних в некоторых типовых, наиболее распространенных схемах включения.

Мы постараемся подробнее рассмотреть одно из направлений силовых полупроводниковых приборов – линию дискретных биполярных транзисторов с изолированным затвором РТ IGBT, выполненных по новой технологии Advanced Power Technology Power MOS 7®.

2. Структура РТ IGBT

Всем известно, что биполярные транзисторы с изолированным затвором обладают преимуществами легкого управления полевых МОП транзисторов и низкими потерями проводимости, характерными для биполярных транзисторов. Традиционно IGBT используют в применениях, где необходимо работать с высокими токами и напряжениями. Сегодня Advanced Power Technology представляет новое поколение РТ IGBT, которое позволяет сбалансировать потери на переключение и проводимости, и использовать биполярные транзисторы с изолированным затвором в области высоких частот, где обычно применяются полевые МОП транзисторы, одновременно обеспечивая высокий КПД.

Общая структура РТ IGBT представлена на рис. 1. Как видно из рисунка, структура РТ IGBT практически идентична структуре других топологий биполярных транзисторов с изолированным затвором.

Рисунок 1 — Структура РТ IGBT

Особенностью структуры РТ IGBT является наличие комбинации инжектирующего слоя p+ и буферного слоя n+. Благодаря высокой инжектирующей способности слоя p+, буферный слой контролирует коэффициент передачи транзистора при помощи ограничения числа дырок, которые были изначально введены в область дрейфа. В связи с тем, что время жизни неосновных носителей в буферном слое намного ниже, чем в области дрейфа, буферный слой поглощает захваченные дырки в момент выключения.

В дополнение к работе буферного слоя n+, «хвостовой» ток в PT IGBT контролируется ограничением общего времени жизни неосновных носителей до того, как они рекомбинируют. Это свойство называется управлением временем жизни неосновных носителей. Облучение электронами в процессе производства создает дополнительные рекомбинационные центры во всем пространстве кристалла кремния, которые существенно уменьшают время жизни неосновных носителей и, следовательно, хвостовой ток. Дырки быстро рекомбинируют, даже при условии отсутствия напряжения в устройстве, характерного для режима мягкого переключения.

Устройства нового поколения PT IGBT Power MOS 7® выделяются среди прочих IGBT высокой скоростью переключений. Этому способствует металлическая полосковая топология затвора. В результате применения данной топологии, устройства обладают очень низким внутренним эквивалентным сопротивлением затвора (EGR), доли Ом; гораздо меньшим, чем у устройств с поликремниевым затвором. Низкое сопротивление затвора дает возможность быстрее осуществлять переключения и, следовательно, уменьшить потери. Полосковая металлическая топология обеспечивает равномерное и быстрое возбуждение затвора, уменьшая нагрев при переходных процессах и повышая надежность. И наконец, полосковая структура затвора более устойчива к дефектам, которые неизбежно возникают во время производства, и улучшает выносливость и надежность устройства, особенно в режиме работы транзистора при высоком токе и высокой температуре.

Управление PT IGBT Power MOS 7® очень похоже на управление традиционными полевыми МОП транзисторами. При прямой замене полевых транзисторов устройствами PT IGBT Power MOS 7® в высокочастотных применениях, можно использовать те же уровни, даже если они составляют всего 10В. Хотя, в этих случаях, рекомендуемые значения управляющего напряжения затвора, для уменьшения потерь при включении, составляет 12 – 15В, как для биполярных транзисторов с изолированным затвором, так и для полевых МОП транзисторов.

3. Потери на переключение и потери проводимости

Динамические характеристики включения биполярных транзисторов с изолированным затвором практически идентичны характеристикам полевых МОП транзисторов. При выключении, есть различия, связанные с наличием хвостового тока. Подавить хвостовой ток полностью не удается, и поэтому у IGBT импульсная энергия выключения намного больше энергии включения. Стремление получить высокие динамические характеристики и сокращение потерь на переключение приводит к росту потерь проводимости, поэтому перед разработчиками часто стоит проблема выбора оптимального соотношения. Чтобы уменьшить потери проводимости, импульсная энергия должна увеличиваться и наоборот, а снижение напряжения приводит к росту потерь на переключение.

Рисунок 2 — Зависимость импульсной энергии Eoff
от напряжения VCE(on)

Рисунок 2 изображает выбор оптимального соотношения между импульсной энергией выключения Еoff и напряжением коллектор-эмиттер в открытом состоянии транзистора VCE(on). Представлены зависимости для двух поколений IGBT: характеристика предыдущего поколения IGBT и характеристика нового поколения Advanced Power Technology РТ IGBT Power MOS 7®. При использовании устройств нового поколения РТ IGBT удается снизить энергию выключения на 30-50% без значительного увеличения VCE(on). Результатом этого является повышение КПД в импульсных источниках питания, использующих PT IGBT новой технологии Advanced Power Technology Power MOS 7®.

4. Рабочие частоты и токи

Одним из самых удобных методов сравнения производительности различных устройств, таких, например, как IGBT и полевые МОП транзисторы, является зависимость рабочей частоты от тока. Удобство метода заключается в том, что можно увидеть не только потери проводимости, но и потери на переключение, и оценить тепловое сопротивление.

На рисунке 3 изображены кривые зависимости частоты и тока для трех устройств: одного PT IGBT и двух мощных полевых МОП транзисторов. Все три устройства являются устройствами нового поколения Power MOS 7® производства АРТ.

Рисунок 3 — Зависимость рабочей частоты от тока

АРТ30GP60В – это биполярный транзистор с изолированным затвором нового семейства PT IGBT Power MOS 7®, с рабочим напряжением 600В и номинальным значением прямого тока IC2 = 49А в корпусе ТО-247. Устройства АРТ6038ВLL и АРТ6010В2LL – это полевые МОП транзисторы APT Power MOS 7®, с рабочим напряжением 600В и номинальными значениями прямых токов ID = 17 и 54А соответственно. Транзистор АРТ6038ВLL выполнен в корпусе ТО-247, а АРТ6010В2LL в корпусе Т-МАХ (схожий с ТО-247).

В качестве условий тестирования были выбраны следующие параметры: режим жесткого переключения с индуктивной нагрузкой, рабочее напряжение 400В, температура перехода Tj=175С, температура корпуса TC=75С, рабочий цикл 50% и общее сопротивление затвора 5 Ом. Совместно с каждым устройством использовался диод сверхбыстрого восстановления на 15А, 600В в качестве фиксирующего диода. Тестируемая схема представляла собой типовую топологию для индуктивных нагрузок.

Устройства АРТ30GP60В и АРТ6038ВLL имеют одинаковые размеры кристалла, а размер кристалла АРТ6010В2LL примерно в 3 раза больше. Обычно, стоимость устройства зависит от площади кристалла, поэтому устройства с требуемыми характеристиками построенные на меньшем по площади кристалле, стоят, как правило, дешевле.

Предположим, что нам необходимо обеспечить импульсный ток 8А на частоте 200кГц. Исходя из зависимостей на рис. 3, становится ясно, что полевой МОП транзистор АРТ6038ВLL – наилучший выбор, т.к. он может работать со значительно большими частотами, чем другие устройства. Теперь предположим, что требуется обеспечить ток 20А на частоте 200кГц. Такой ток будет способен обеспечить как PT IGBT АРТ30GP60В, так и полевой МОП транзистор АРТ6010В2LL. Однако PT IGBT АРТ30GP60В будет стоить в три раза меньше, чем транзистор АРТ6010В2LL, в связи с уменьшенным размером кристалла. Полевой МОП транзистор АРТ6038ВLL полностью отпадает. При токе свыше 37А, PT IGBT имеет все преимущества, даже не смотря на то, что обладает меньшим размером кристалла; при таких рабочих частотах температура перехода IGBT будет ниже, чем у полевого МОП транзистора. Этот пример идет вразрез с общепринятым мнением, что полевые МОП транзисторы всегда работают эффективнее, чем IGBT, и высокая эффективность подразумевает высокую стоимость.

Для более корректного анализа стоит сделать еще несколько замечаний.

Во-первых, значение прямого тока ID полевого МОП транзистора АРТ6038ВLL составляет 17А, но в нашем случае этот транзистор вряд ли сможет обеспечить ток более 10 А. При других условиях, таких, например, как короткий рабочий цикл, транзистор сможет обеспечить прямой ток близкий к номинальному значению. Номинальное значение прямого тока не может показать нам реальное значение тока для нашего применения, т.к. измеряется оно в непрерывном режиме (без потерь на переключение) и при определенной температуре. В основном номинальное значение прямого тока показывает относительную величину тока и потери проводимости в устройстве.

Во-вторых, общее сравнение показывает, что значение прямого тока ID полевого МОП транзистора АРТ6010В2LL (при непрерывном режиме с температурой корпуса 25С) близко к значению прямого тока IC2 IGBT АРТ30GP60В (при непрерывном режиме с температурой корпуса 110С), 54 и 49 А соответственно. Эти характеристики весьма схожи между собой, производительность этих двух устройств тоже практически одинаковая. Оба устройства могут работать на частоте 200кГц при рабочих токах в половину меньших номинальных значений тока.

mirznanii.com

Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Транзистор КТ815 – биполярный, кремневый эпитаксиально-планарный, имеющий структуру n-p-n. Данный транзистор применяется в схемах усилителей низкой частоты (УНЧ), в дифференциальных и операционных усилителях, в импульсных устройствах и различных преобразователей. Транзистор КТ815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы.

Параметры КТ815 транзистора

Наимен.Uкбо(и),ВUкэо(и), ВIкmax(и), мАPкmax(т), Втh31эIкбо, мкАfгр., МГцUкэн, В
КТ815А40301500(3000)1(10)40-275≤50≥3<0.6
КТ815Б50451500(3000)1(10)40-275≤50≥3<0.6
КТ815В70651500(3000)1(10)40-275≤50≥3<0.6
КТ815Г100851500(3000)1(10)30-275≤50≥3<0.6

 

  •  Uкбо — max разрешенное напряжение коллектор-база
  • Uкбо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-база
  • Uкэо — max разрешенное напряжение коллектор-эмиттер
  • Uкэо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
  • Iкmax — max разрешенный ток коллектора
  • Iкmax(и) — max разрешенный ток (импульсный) коллектора
  • Pкmax — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
  • Pкmax т — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
  • h31э — статический коэффициент передачи тока транзистора КТ815 в схеме с ОЭ (общий эмиттер)
  • Iкбо — обратный ток коллектора
  • fгр — граничная частота h31э в схеме с общим эмиттером
  • Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Габаритные и установочные размеры транзистора КТ815

При монтаже допускается сгибать выводы не ближе 5 миллиметров от самого корпуса транзистора и желательно с радиусом закругления не менее 2 мм. Так же необходимо исключить передачу усилия при сгибании выводов на корпус транзистора.

Производить пайку контактов транзистора следует не ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не более 250 гр. при погружении выводов в припой на период не более 2 сек.

Цоколевка КТ815 транзистора

Ниже представлена цоколевка транзистора КТ815 в корпусе КТ-27 (ТО-126)

Маркировка транзистора КТ815

Согласно маркировке: цифра 5 указывает на тип транзистора (КТ815), буква А – группа, U2 – дата выпуска.

Аналоги транзистора КТ815

Транзистор Кт815 возможно заменить на отечественный аналог: КТ8272, КТ961, либо на его зарубежный аналог: BD135, BD137, BD139, TIP29A

Скачать datasheet КТ815 (213,7 Kb, скачано: 2 855)

www.joyta.ru