Транзистор кт827в характеристики – КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Схема транзистора КТ827 | Все своими руками

Опубликовал admin | Дата 16 марта, 2013

Аналог КТ827А

     Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

     Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

     Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.

     При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.

     Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

     В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.

     На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.

     Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.

     Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.

Обсудить эту статью на — форуме «Радиоэлектроника, вопросы и ответы».

Просмотров:81 273

www.kondratev-v.ru

Транзисторы КТ827 и КТ973 — маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы

КТ973

Транзисторы КТ973 — мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура — p-n-p.

Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно — цифровая, либо — кодированная, на лицевой части корпуса.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ973.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока

свыше 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:

У транзисторов КТ973А —
60в.
У транзисторов КТ973Б —
45в.

Коэффициент передачи тока — от 750.

Максимальный постоянный ток коллектора4 А.

Обратный ток колектора
при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В — 1 мА, при температуре окружающей среды
+ 25 по Цельсию.
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в — 1 мА, при температуре окружающей среды
+ 25 по Цельсию.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА

— не более 1,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА

— не более 2,5в.

Рассеиваемая мощность коллектора
8 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока

200 МГц.

Транзистор комплементарный КТ973 — КТ972.

Зарубежный аналог КТ973 — BD876.

На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

elektrikaetoprosto.ru

Параметры транзистора КТ827. Datasheet. Цоколевка и аналоги.

Параметры транзистора КТ827. Datasheet. Цоколевка и аналоги.


КТ827

кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной (Дарлингтона) n-p-n
транзистор в пластмассовом корпусе TO-3

Назначение: КТ827 предназначен для применения
усилителях низкой частоты, переключающих устройствах

Типы: КТ827А, КТ827Б, КТ827В

Аналог КТ827: по параметрам близки
BDX87, 2N6057

Комплементарная пара: pnp транзистор КТ825

Цоколевка КТ827: см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ827: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные
характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные параметры транзисторов КТ827:
ПараметрыРежим измеренияMin (минимальное значение параметра)Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ827Uкэ=3B, Iк=10A 75018000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ827 Iк=10А, Iб=40мA1

2.0В

Напряжение насыщения база-эмиттер КТ827Iк=20A, Iб=200мA2.64.0В
Предельные параметры транзисторов КТ827:
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ827А
КТ827Б
КТ827В
Rэб≤ 1кОм 100В
80В
60В
Напряжение эмиттер-база (обратное)  
Постоянный ток коллектора КТ827  20А
Импульсный ток коллектора  40А
Постоянный ток базы  0.5А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектораТк ≤ 25 °С 125Вт

Подробные характеристики КТ827 и графики зависимостей
параметров приведены в
справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru

КТ827 характеристики (datasheet) | Техника и Программы



September 18, 2012 by admin
Комментировать »

   Кремниевый составной транзистор КТ827 (n-p-n)

Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.

      

Основные технические характеристики тарнзисторов КТ827:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ, ВIК, АUКЭ нас, ВIКЭR, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ827А2040100100512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
КТ827Б20408080512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
КТ827В20406060512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827А2040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827А22040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т827А52040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т827Б20408080512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827Б220408080512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т872В20406060512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т872В220406060512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4

Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87

nauchebe.net

КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ827, 2Т827 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

Основные технические параметры транзистора КТ827, 2Т827.

Транз
истор
IК, макс (имп)
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21ЭUКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ827А20 (40)1001005125750…18000234
КТ827Б20 (40)80805125750…18000234
КТ827В20 (40)60605125750…18000234
2Т827А20 (40)1001005125750…18000234
2Т827Б20 (40)80805125750…18000234
2Т827В20 (40)60605125750…18000234
2Т827А220 (40)60605125750…18000234
2Т827А520 (40)1001005125750…18000234
2Т827Б220 (40)80805125750…18000234
2Т827В220 (40)60605125750…18000234

Обозначение на схеме и реальные размеры транзистора КТ827, 2Т827

Внешний вид транзистора на примере КТ827Б


radiohome.ru

Транзистор КТ827 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КТ827, КТ828

 

Параметры транзистора КТ827
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ827АBDX63A, MJ3521, SK9440, SK3858, 

2N6284, PMD1603K *2, MJ3521 *2

КТ827БBDX65, PMD1602K, SK9438 *2, SMD4006 *2, 2N6357 *2
КТ827ВBDX85, MJ3520, PMD1601К, 2N6282, 

SDM4005 *2, 2N6057 *2

Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ827А125*Вт
КТ827Б125*
КТ827В125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ827А≥4МГц
КТ827Б≥4
КТ827В≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ827А100*В
КТ827Б80*
КТ827В60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ827А5В
КТ827Б5
КТ827В5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ827А20(40*)А
КТ827Б20(40*)
КТ827В20(40*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ827А100 В≤3мА
КТ827Б80 В≤3
КТ827В60 В≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ827А3 В; 10 А750..18000*
КТ827Б3 В; 10 А750..18000*
КТ827В3 В; 10 А750..18000*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ827А10 В≤400пФ
КТ827Б10 В≤400
КТ827В10 В≤400
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ827А≤0.2Ом, дБ
КТ827Б≤0.2
КТ827В≤0.2
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ827АДб, Ом, Вт
КТ827Б
КТ827В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ827А≤4.5* мкспс
КТ827Б≤4.5* мкс
КТ827В≤4.5* мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

КТ827 характеристики (datasheet) | Світ електронних схем

Складовою транзистор КТ827 аналог, графіки вхідних і вихідних характеристик. Детальні параметри КТ827А, КТ827Б, КТ827В

 

 

 

 

        

 

 

 

 

 

ПриладГраничні параметриПараметри при T = 25 ° CRТ п-к, ° C / Вт
  при T = 25 ° C            
IК, max, АIДо і, max, АUКЕ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЕБ0 max, ВPДо max, ВтTДо, °CTп max, °CTДо max, °Ch21ЕUКЕ, ВIДо, АUКЕ нас, ВIКЕR, МАfгр, МГцДош, ДБCДо, ПФCЕ, ПФtвкл, Мксtвикл, Мкс
КТ827 А2040100100512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
КТ827 Б20408080512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
КТ827 В20406060512525200100750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827 А2040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827 А22040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т827 А52040100100512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т827 Б20408080512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т827 Б220408080512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4
2Т872 В20406060512525200125750…18000310234 400350161,4…10,9
2Т872 В220406060512525200125750…18000310234 400350161,4…19,4

Зарубіжні аналоги: 2N6057, BDX87

ua.nauchebe.net