Транзистор мп39б – Биполярный транзистор МП39Б: продажа, цена в Киеве. от «Интернет-магазин «lb.net.ua»»

Транзистор МП39 — DataSheet

Цоколевка транзисторов МП38, МП39, МП40

 

Параметры транзистора
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогМП39SFT306
МП39БАС540
Структура —p-n-pмВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxМП39150
МП39Б150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxМП39≥0.5*МГц
МП39Б≥0.5*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.МП3910к15*В
МП39Б10к15*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., 
МП39
5В
МП39Б5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxМП3920(150*)мА
МП39Б20(150*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOМП395 В≤15мкА
МП39Б5 В≤15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭМП395 В; 1 мА≥12
МП39Б5 В; 1 мА20…60
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эМП39≤50пФ
МП39Б≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ насМП39Ом
МП39Б
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, PвыхМП39Дб, Ом, Вт
МП39Б1 кГц≤12
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)МП39пс
МП39Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 — 2N1413 
МП40 — 2N104 
МП41 возможный аналог — 2N44A 
МП42 возможный аналог — 2SB288 

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12, у МП39Б находится в пределах от 20

 до 60.
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40.
У транзисторов МП41 — от 30 до 60, МП41А — от 50 до 100.
у транзисторов МП42 — от 20 до 35, МП42А — от 30 до 50, МП42Б — от 45 до 100.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 — 15в.
У транзисторов МП40А — 30в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером: 
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А. 
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 

1,5 МГц у транзисторов МП42А. 
До 2 МГц у транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. — 20мА постоянный, 150мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.

Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12дб.

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 

150мВт.
У МП42 — 200мВт.

Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе, без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.

 

 

Цоколевка транзистора МП41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП41 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП41

  • Структураp-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база15* (10к) В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора20 (150*) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
    0.15 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером30…60 (5 В; 1 мА)
  • Обратный ток коллектора
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером>1* МГц
  • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
  • Обратный ток коллектора — мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Обозначение транзистора МП42 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП42

    • Структура p-n-p
    • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 
      15* (Зк) В
    • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
    • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
    • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
    • Обратный ток коллектора — мкА
    • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц
< Предыдущая   Следующая >

bsh1.ru

modem: характеристики транзистора мп39б


Фотография МП39Б / Чип и Дип.

Если у вас оказался германиевый транзистор МП39Б

Принцип и применение понятны из рисунка. Транзистор в приставке также

Типы транзисторов.

В качестве второго транзистора используется МП39Б, МП41, МП41А, МП42Б

Схема выполнена на транзисторах типа МП39Б (1 шт.

Исследование характеристик биполярных транзисторов.

Транзистор должен быть МП39Б

Текст. но заменить на МП39Б, МП41, МП41А, МП42А, Б. Транзистор ГТ402Б

…m МП396. Картинка. базу транзистора Т11 оконечного… Рис. 2.

Технический форум — Показать сообщение отдельно — Транзистор МП39

Усилитель может быть собран на отечественных транзисторах типов КП103Е

Схема выполнена на транзисторах типа МП39Б (1 шт.) и МП42А (2 шт.).

МП39Б, Купить, микросхемы, преобразователи, быстро, в Запорожье, в

Цоколевка транзистора МП39Б

Vēlāk tādos gadijumos lika МП39(Б), tikai kājas būs svādāk jāizloka.

Если у вас оказался германиевый транзистор МП39Б (структуры р-п-р

Транзисторы серии МП, такие как МП25, МП36, МП39 — знакомы, пожалуй

Вместо транзистора ВТ1 — ВТ2 , КТ 3102 подойдёт транзистор МП 39 Б

Вместо транзистора ВТ1 — ВТ2 , КТ 3102 подойдёт транзистор МП 39 Б

shouldnsufyan.blogspot.com

Заменяемость транзисторов

Заменяемость транзисторов

Заменяемость отечественных транзисторов старых выпусков

  на главную

НОВАЯ ВЕРСИЯ САЙТА

КЛАССИФИКАЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Всем транзисторам, разработанным до 1964 года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в 1959 году. Согласно этому стандарту условное обозначение транзисторов может состоять из трех элементов: первый — буквенный (П — плоскостной транзистор): второй — цифровой, указывающий на материал прибора (германий или кремний) и обычное применение или назначение транзистора. Основная классификация ведется по максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе Р

к.доп и частотным свойствам — частоте fa или /макс Классификация различает транзисторы малой мощности (Рк.доп < 0,25 вт) и большой мощности (Рк.доп > 0,25 вт.), низкочастотные (fa < 5 Мгц) и высокочастотные (fa> > 5 Мгц).  Последний третий элемент обозначения — буквенный, указывающий разновидность прибора. Исключение из этого правила представляют транзисторы типа П4А—П4Д, которые являются транзисторами большой мощности.

Например, условное обозначение П13 расшифровывается: «транзистор низкочастотный, германиевый, малой мощности, типа 13».

В настоящее время эта система классификации транзисторов устарела и не соответствует возросшему количеству и разнообразию приборов. В связи с этим с 1964 года была введена новая система классификации и условных обозначений на полупроводниковые приборы, в том числе и на транзисторы. Согласно новому стандарту основная классификация ведется по исходному материалу, рассеиваемой прибором мощности и частотным свойствам.

В зависимости от этого транзисторы могут называться германиевыми или кремниевыми, малой, средней или большой мощности; транзисторами низкой, средней или высокой частоты. Энергетической характеристикой транзистора является мощность, рассеиваемая на коллекторе Рк.доп,

а частотной — максимальная частота генерации fмакс.

Условное обозначение транзистора по новому стандарту состоит из четырех элементов.

Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия. Одновременно первый элемент обозначает верхний предел допустимой температуры корпуса прибора: Г-+ 60° С, 1-+70° С; К—+85° С, 2— +120° С.

Второй элемент — буква, указывающая класс полупроводникового прибора: Т—транзистор (биполярный с проводимостью р-п-р или п-р-п).П—полевой транзистор (с каналом р или п типа).

Третий элемент — цифровой, характеризующий основные энергетические и частотные параметры транзистора.

Четвертый элемент обозначения — буквенный — указывает на разновидность прибора.

Например, условное обозначение прибора ГТ108А означает: «германиевый транзистор малой мощности, низкочастотный, подтипа А, предназначенный для работы при температуре не выше +60° С».

Все необходимые сведения о параметрах транзисторов можно найти в специальных справочниках по полупроводниковым приборам.

Следует заметить, что ряд транзисторов может иметь условные индексы, которых нет в приведенных выше классификациях. Это главным образом транзисторы, разработанные до 1964 года, но выпускаемые в модернизированном варианте. В этом случае дополнительные буквенные индексы означают следующее:

М — холодносварной корпус;

Э — улучшенная влагостойкость;

И — улучшенные импульсные свойства. Например, МП39Б означает, что это низкочастотный маломощный транзистор с холоднссварным корпусом; П601 А(И) — высокочастотный транзистор средней мощности с улучшенными импульсными свойствами.

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Наличие значительного количества типов и подтипов транзисторов связано с большим разнообразием технологических средств и приемов, а также исходных материалов, используемых при изготовлении транзисторов. Производство транзисторов — очень сложный и трудоемкий процесс, требующий высокой точности, чистоты и жесткого соблюдения технологических режимов. Выполнение всех этих требований связано с большими техническими трудностями, чем и объясняется имеющийся большой разброс параметров выпускаемых транзисторов. В связи с этим обычно указываются средние либо минимальные значения параметров, гарантированные для данного типа транзисторов. Наибольший разброс наблюдается у коэффициента усиления по току бета в схеме с общим эмиттером, обратного тока коллектора /к0

и емкости коллекторного перехода Ск. Несколько меньшим разбросом обладают частотные параметры fа и fmакс.

Большой разброс параметров транзисторов делает весьма условными границы между типами транзисторов, что позволяет в ряде случаев без особых затруднений заменять одни транзисторы другими. При такой замене в первую очередь обращается внимание на параметры в режиме, при котором транзистор будет работать в данной схеме Фк, /к, Рк). Исходя из этих сведений подбираются типы транзисторов, обладающие некоторым запасом по указанным параметрам и необходимыми частотными и усилительными свойствами (fa или fmakс и beta). Предпочтение при этом отдается более дешевым и доступным транзисторам.

Например, имеется описание схемы усилителя низкой частоты на двух транзисторах типа МП41. Постоянное напряжение источника питания составляет 9 в, постоянный ток коллектора каждого транзистора не превышает 1—2 ма, а сама схема допускает применение транзисторов с beta = 20—40.

Из приведенных в приложении справочных таблиц видно, что в данном случае возможно применение транзисторов типа МП40, МП42А, МП42Б, а также некоторых образцов транзисторов МП39 и МП39Б.

Другой пример. В приемнике прямого усиления, рассчитанном для работы в диапазоне средних волн (СВ), где максимальная частота сигнала 1,6Мгц, рекомендуется применение транзисторов типа ГТ313А, приобрести которые по тем или иным причинам не удалось. Учитывая сказанное ранее о том, что для устранения влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала необходимо применять транзисторы, у которых граничная частота усиления fm по крайней мере в 20—30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем вывод, что возможно использование транзисторов с граничной частотой от 50 Мгц и выше. Как видно из таблицы 5, этому условию удовлетворяют практически все высокочастотные транзисторы, кроме П401 и КТ301, КТ301А. Поскольку ГТ313А — германиевый р-п-р транзистор, то, для того чтобы не вносить в схему устройства каких-либо дополнительных изменений, следует применить такой же проводимости германиевый транзистор, например, П402 или П403. Если же германиевый транзистор заменяется кремниевым, хотя бы и той же проводимости, то в большинстве случаев требуется проведение дополнительных изменений в схеме смещения вследствие большого различия в характере зависимости тока коллектора от напряжения смещения.

К сожалению, дать какой-либо конкретный рецепт замены транзисторов на все случаи жизни нельзя из-за чрезмерно большого числа типов выпускаемых транзисторов, а также вследствие огромного множества различных вариантов схем. Можно только рекомендовать стремиться производить замену транзисторов внутри группы наиболее близких по своему устройству и параметрам транзисторов. При этом допускается замена с улучшением или ухудшением параметров транзисторов. Лучше всего, когда заменяющий транзистор не уступает заменяемому ни по одному из предельно

допустимых параметров (Рк.доп UK3, /K макс), а также по величине гарантированных значений усиления тока (а или бета) и предельной частоты усиления (fa или fbeta). В крайнем случае возможна замена транзисторов с несколько заниженными значениями beta и fa, что хотя и приведет к некоторому изменению параметров устройства, но ненамного.

Особо следует сказать о замене транзисторов, выпуск и продажа которых давно прекращены, но упоминание на страницах радиолюбительской литературы еще иногда встречается. Кроме того, в употреблении находится большое количество бытовой радиоэлектронной аппаратуры, где применяются транзисторы старых выпусков, что создает определенные трудности при ремонте. Например, согласно табл. транзистор П15 заменяется через МП41, П105 — МП 115, П420 —П401 и т. д. При такой замене каких-либо дополнительных изменений в схемах не требуется.

Нужно отметить, что труднее всего находить замену транзисторов начинающим радиолюбителям, которые еще не накопили достаточного опыта обращения с параметрами транзисторов, чтобы свободно сравнить их между собой, находя лучшие и худшие варианты для взаимной замены транзисторов.

Граничная частота fm определяет частоту, где гарантируется усиление потоку не менее единицы, а f2 — характеризует максимальную частоту, выше которой наблюдается резкое возрастание внутренних шумов транзистора. Наилучшими шумовыми характеристиками обладают транзисторы ГТ322А—ГТ322Е, у которых коэффициент шума не превосходит 4 дб. Распространенные в любительской практике транзисторы типа П401 — П403, имеют значительно худшие свойства. Из низкочастотных транзисторов в лучшую сторону отличаются транзисторы типа П27А и П27. Эти транзисторы применяются, как правило, в промышленной аппаратуре. Конструктивно они оформлены точно так же, как МП35— МП42, но отличаются от них значительно меньшим шумом. Для сравнения можно указать, что наименее «шумящим» из доступных любителям транзисторов является МП39Б, у которого коэффициент шума не более 12 дб, тогда как у остальных транзисторов типов МП39—МП42 он может составлять до 24 дб. По этой причине в первых каскадах усиления низкой частоты всегда желательно применение малошу-мящих транзисторов типа МП39Б, а еще лучше- П27А и П28.

Можно, конечно, производить разбраковку транзисторов по величине интересующих параметров и выбирать наилучшие из них. Иногда это бывает полезным или необходимым. Но ввиду влияния на транзисторы различных внешних факторов и процесса естественного старения транзисторов, при конструировании аппаратуры целесообразно ориентироваться на средние, а еще лучше — на минимальные значения параметра.

 

 

Замена Замена Замена
Старый Новый Старый Новый Старый Новый
П4А     П216А П10Б МП37Б П201 П213А
П4Б П216Г П11 МП38 П201А П213Б
П4В П216Б П11А МП38А П202 П214Б
П4Г П216Г П13 МП39 П202А П214В
П4Д П216Д П13А МП39А П203 П214Г
П4Д П216Д П13Б МП39Б П203А П214В
П5А   ГТ108А П14 МП40 П410 ГТ313А
П5Б   ГТ108Б П14А МП40А П410 ГТ313А
П5В ГТ108В П14Б МП40Б П410А ГТ313Б
П5Г ГТ108Г П15 МП41 П411 ГТ313Б
П5Д ГТ108Д П15А МП41А П411А ГТ313Б
П5Е ГТ108Г П16 МП42 П417 ГТ313А
П6А МП39 П16А МП42А П417А ГТ313Б
П6Б МП39А П16Б МП42Б П420 П401
П6В МП40 П101 МП111 П421 П402
П6Г МП41 П101А МП111А П501 КТ315А
П6Д МП39Б П102 МП112 П502 КТ315Б
П8 МП35 П103 МП113 П503 КТ315В
П9 МП36 П103А МП113А П504 КТ315Г
П9А МП36А П104 МП114 П504А КТ315Г
П10 МП37 П105 МП115 П505 КТ315В
П10А МП37А П106 МП116 П505А КТ315В
 

Форум на сайте

на главную

пишите пожалуйста на

[email protected]



jaxik1.narod.ru