Транзистор s9015 параметры – Транзисторы SS9011(S9011) и STS9013(S9013) — параметры, маркировка,цоколевка.

Транзисторы SS9012(S9012) и SS9015(S9015) — параметры, маркировка,цоколевка.

Транзисторы SS9015(S9015) A, SS9015(S9015) B,
SS9015(S9015) C.

Транзисторы SS9015(S9015) — кремниевые, высокочастотные усилительные, малошумящие(на низких частотах) структуры — p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,450 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером — 190 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер45в.

Максимальное напряжение коллектор — база50в.

Максимальное напряжение эмиттер — база5

в.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой A — от 60 до 150.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой B — от 100 до 300.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой C — от 200 до 600.

Максимальный постоянный ток коллектора 100мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА — не выше 0,7в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА — не выше 1,2в.

Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 50в. не более

50 мКА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 5в не более — 50 мКА.


На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

S9015 Даташит, S9015 PDF Даташиты

производительНомер в каталогеКомпоненты ОписаниеПосмотреть

Fairchild Semiconductor
S9015PNP Epitaxial Silicon Transistor

other parts : SS9015  


Samsung
S9015PNP (LOW FREQUENCY / LOW NOISE AMPLIFIER)

other parts : SS9015  


Weitron Technology
S9015PNP General Purpose Transistors

WEJ ELECTRONIC CO.
S9015TRANSISTOR (PNP)

TY Semiconductor
S9015PNP General Purpose Transistors

other parts : S9015-B  S9015-C  S9015-D  


Tiger Electronic
S9015PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
S9015TRANSISTOR(PNP)

Secos Corporation.
S9015PNP Silicon Low Frequency, Low Noise Amplifier

Galaxy Semi-Conductor
S9015
Silicon Epitaxial Planar PNP Transistor

Shenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd.
S9015TRANSISTOR (PNP)

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
S9015MWBFBP-03B Plastic-Encapsulate PNP Transistors

Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
S9015WPNP General Purpose Transistors

ru.datasheetbank.com

Транзисторы SS9011(S9011) и STS9013(S9013) — параметры, маркировка,цоколевка.

Транзисторы STS9013(S9013) F, STS9013(S9013) G, STS9013(S9013) H, STS9013(S9013) I.

Транзисторы Транзисторы STS9013(S9013) — кремниевые, высокочастотные усилительные, структуры — n-p-n.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,625 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером —

140 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер30в.

Максимальное напряжение коллектор — база40в.

Максимальное напряжение эмиттер — база5в.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов STS9013(S9013) с буквой D — от 96 до 135.
У транзисторов STS9013(S9013) с буквой E — от 118 до 166.
У транзисторов STS9013(S9013) с буквой F — от 144 до 202.
У транзисторов STS9013(S9013) с буквой G — от 176 до 246.

Максимальный постоянный ток коллектора

500мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — не выше 0,25в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — не выше 1 в.

Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 35в. не более 0,1 мА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 5в не более — 0,1 мА.


На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru