Усилитель irf530 – Китайская подделка на мосфеты IRF530N. Резисторы не соответствующие заявленным характеристикам.

50 Вт усилитель на полевых транзисторах. Схема

Это схема усилителя мощности на базе полевых транзисторов (MOSFET) с напряжением питания ± 35В. Входной сигнал предварительно фильтруется и усиливается перед поступлением на MOSFET транзисторы. Дифференциальный  предварительный усилитель собран на транзисторах Q5 и Q6.

Что такое дифференциальный усилитель? Дифференциальный усилитель представляет собой тип усилителя мощности, который усиливает разницу между двумя входными сигналами на определенную величину (коэффициент усиления).

Здесь мы имеем дело со схемой и работой высоковольтного дифференциального усилителя с использованием полевых транзисторов IRF9530 и IRF530. Для работы данного усилителя необходим двухполярный источник питания.

Принципиальная схема усилителя на полевых транзисторах

Необходимые компоненты усилителя

  • Двухполярный источник питания
  • Резисторы 0,25Вт (10 Ом; 560 Ом; 680 Ом; 820 Ом; 1,2 кОм; 2,2 кОм; 2,7 кОм x 2шт; 4,7 кОм x 2шт; 10 кОм; 15 кОм; 47 кОм x 2шт)
  • Потенциометр (1 кОм)
  • Электролитические конденсаторы (47 мкФ, 16 В x 2шт; 100 мкФ; 50 В x 4шт)
  • Конденсаторы (220пф; 68нф)
  • Дроссель 0,1 мкГн
  • Диод (1N4002)
  • Биполярные транзисторы (BC556 x 2шт; BC546 x 2шт)
  • MOSFET (IRF530; IRF 9530)
  • Динамик (8 Ом)

Работа усилителя мощности на полевых транзисторах

Входной аудиосигнал, перед тем как поступить на полевые транзисторы, сначала фильтруется с использованием фильтра низких частот (C7, R16 ) и предварительно усиливается на транзисторах Q5 и Q6.

Для регулировки тока покоя, предварительно подготовленный сигнал поступает на базу транзистора Q3.

Комплементарная пара полевых транзисторов IRF530 и IRF9530 представляет собой оконечный каскад усиления.

R14 и C8 уменьшают нежелательный шум, возникающий в усилителе.

Конденсаторы C5 и C3 являются фильтрами питания.

Примечание: Для обеспечения оптимального температурного режима работы полевых транзисторов их необходимо установить на радиатор.

www.circuitsgallery.com

fornk.ru

Усилитель мощности на IRF510 для КВ трансивера.

Представляю Вашему вниманию усилитель мощности для КВ трансивера на полевых транзисторах IRF510.

 При входной мощности порядка 1 ватта, на выходе легко получается 100-150 ватт.

сразу прошу извинения за качество схемы.

Усилитель двухкаскадный. Оба каскада выполнены на популярных и дешёвых ключевых мосфетах,что выгодно отличает данную конструкцию от многих других.Первый каскад — однотактный. Согласование по входу с источником сигнала 50 Ом достигнуто не самым лучшим, но простым способом — применением на входе резистора R4 номиналом 51 Ом. Нагрузкой каскада является первичная обмотка междукаскадного согласующего трансформатора. Каскад охвачен цепью отрицательной обратной связи для выравнивания частотной характеристики. L1, входящая в эту цепь, уменьшает ООС в области высших частот и тем самым поднимает усиление. Такую же цель преследует установка C1 параллельно резистору в истоке транзистора. Второй каскад — двухтактный. С целью минимизации гармоник применено раздельное смещение плеч каскада. Каждое плечо также охвачено цепью ООС. Нагрузка каскада — трансформатор Tr3, а согласование и переход на несимметричную нагрузку обеспечивает Tr2. Смещение каждого каскада и соответственно — ток покоя, выставляются раздельно при помощи подстроечных резисторов. Напряжение на эти резисторы подаётся через ключ PTT на транзисторе Т6. Переключение на TX происходит при замыкании точки PTT на землю. Напряжение смещения стабилизировано на уровне 5в интегральным стабилизатором. В целом очень несложная схема с хорошими эксплуатационными характеристиками.

Теперь о деталях. Все транзисторы усилителя — IRF510. Можно применить и другие, но с ними можно ожидать увеличения завала усиления в области частот выше 20Мгц, так как входная и проходная ёмкости транзисторов IRF-510 наиболее низкие из всей линейки ключевых мосфетов. Если удастся найти транзисторы MS-1307, то можно рассчитывать на значительное улучшение работы усилителя в области высших частот. Но вот дорогие они… Индуктивность дросселей Др1 и Др2 некритична — они намотаны на кольцах из феррита 1000НН проводом 0.8 в один слой до заполнения. Всё конденсаторы — smd. Конденсаторы С5,С6 и особенно — С14, С15 должны иметь достаточную реактивную мощность. При необходимости можно применить несколько конденсаторов,включённых в параллель. Для обеспечения качественной работы усилителя необходимо особое внимание уделить изготовлению трансформаторов. Тr3 намотан на кольце из феррита 600НН внешним диаметром 22мм и содержит 2 обмотки по 7 витков. Наматывается в два провода, которые слегка скручиваются. Провод — ПЭЛ-2 0.9.

Тr1 и Tr2 — выполнены по классической конструкции одновиткового ШПТ (aka «бинокль»). Tr1 выполнен на 10 кольцах (2 столба по 5) из феррита 1000НН диаметром 12мм. Обмотки выполнены толстым проводом МГТФ. Первая содержит 5 витков,вторая — 2 витка. Хорошие результаты даёт выполнение обмоток из нескольких включенных в параллель проводов меньшего сечения. Tr2 выполнен с использованием ферритовых трубочек,снятых с сигнальных шнуров мониторов. Внутрь их отверстий плотно вставлены медные трубки,которые и образуют один виток — первичную обмотку. Внутри намотана вторичная обмотка, которая содержит 4 витка и выполнена проводом МГТФ. (7 проводов в параллель). В данной схеме отсутствуют элементы защиты выходного каскада от высокого КСВ, кроме встроенных конструктивных диодов, которые эффективно защищают транзисторы от «мгновенных» перенапряжений на стоках. Защитой от КСВ занимается отдельный узел, построенный на базе КСВ-метра и снижающий питающее напряжение при росте КСВ выше определённого предела. Эта схема — тема отдельной статьи. Резисторы R1-R4,R7-R9,R17,R10,R11 — типа МЛТ-1.R6 — МЛТ-2. R13,R12 — МЛТ-0.5. Остальные — smd 0.25 вт.

Немного о конструктивен:

Усилитель должен быть смонтирован на достаточно большом радиаторе, принудительное воздушное охлаждение весьма желательно. Вся схема располается на печатной плате из двухстороннего стеклотекстолита, где одна сторона используется как сплошной экран, а на второй сформированы резаком дорожки. Выводы резисторов должны быть максимально короткими для уменьшения паразитных индуктивностей. Особенно это касается резисторов в истоках транзисторов. Иногда даже полезно удалить их начисто,а пайку осуществлять прямо за колпачки выводов. При испытании двухтоновым сигналом усилитель развил мощность до 150 ватт при сохранении высокой линейности и имеет завал АЧХ на наивысшей частоте КВ диапазона около 4дб относительно 3Мгц. Настройка сводится к установке токов покоя каскадов по наименьшей величине гармоник. При отсутствие приборов это можно сделать, прослушивая частоты второй-третьей гармоники приёмником.

shemu.ru

Простой звуковой усилитель | Микросхема

На базе этой схемы можно «в два счета» соорудить звуковой усилитель, способный развивать неплохую выходную мощность с хорошим качеством звучания. Причем в составе усилителя минимальное число радиодеталей, что позволяет собрать его «навесиком» даже начинающему радиолюбителю.

В схеме используются только три транзистора и горстка резисторов с конденсаторами. Выходная мощность звукового усилителя составляет 18 ватт на нагрузку 8 Ом или до 30 ватт на нагрузку 4 Ом. Коэффициент нелинейных искажений довольно мал — 0,08%, что характерно для транзисторного типа звуковых усилителей. Чтобы гарантировать полную стабильность усилителя звуковой частоты, нужно отрегулировать напряжение питания. Впринципе, это не является проблемой, т.к. звуковой усилитель требует только однополярного источника питания. Снижается уровень шумов и гула предусилителя и обеспечивается необходимая выходная мощность на разную нагрузку. Источник питания должен быть рассчитан на ток не менее 2 ампер и среднее напряжение 40 вольт.

Радиодетали, используемые в схеме звукового усилителя:

R1=2,2 кОм 0,25 Вт
R2=27 кОм 0,25 Вт
R3, R4=2,2 кОм 0,5 Вт металлокерамический или углеродный (или 2 кОм)
R5=100 Ом 0,25 Вт
R6=1 кОм 0,25 Вт
R7, R8=330 Ом 0,25 Вт
C1=22 мкФ 25 В электролит
C2=47 пФ 63 В керамический
C3, C4=100 мкФ 50 В электролит
C5=2200 мкФ 50 В электролит
Q1=BC550C 45 В 100 мА транзистор n-p-n структуры
Q2=IRF530 100 В 14 А N-канальный полевой транзистор (или MTP12N10)
Q3=IRF9530 100 В 12 А P-канальный полевой транзистор (или MTP12P10)

Теперь подробнее о главных радиоэлементах звукового усилителя. На выходе стоят два мощных полевых транзистора.

IRF530:

IRF9530:

Обсуждайте в социальных сетях и микроблогах

Метки: УНЧ

Радиолюбителей интересуют электрические схемы:

Усилитель Mosfet (2SK1058 + 2SJ162)
Схема транзисторного усилителя мощности

xn--80a3afg4cq.xn--p1ai

Простой усилитель мощности на полевых транзисторах. Схема и описание

Низкочастотные усилители очень популярны среди любителей радиоэлектроники. В отличии от предыдущей схемы усилителя на tda7297, данный усилитель мощности на полевых транзисторах состоит в основном из транзисторов и использует выходной каскад на транзисторах MOSFET, которые при двухполярном напряжении питания в 30 вольт могут обеспечить на динамиках сопротивлением 4 Ом выходную мощность до 70 Вт.

Принципиальная схема усилителя на полевых транзисторах

Усилитель собран на базе операционного усилителя TL071 (IO1) или любой аналогичный ему, который создает основное усиление дифференциального сигнала. Усиленный низкочастотный сигнал с выхода операционного усилителя, большая часть которого поступает через резистор R3 к средней точке. Оставшаяся часть сигнала достаточна для прямого усиления на MOSFET IRF9530 (T4 ) и IRF530 (T6).

Транзисторы T2 ,T3 и окружающие их компоненты служат для стабилизации рабочей точки переменного резистора, так как она должна быть правильно установлена в симметрии каждой полуволны на нагрузке усилителя.

Все детали собраны на односторонней печатной плате. Обратите внимание, что на плате необходимо установить три перемычки.

Настройка усилителя

Настройку усилителя лучше всего сделать путем подачи синусоидального сигнала на его вход и подключением нагрузочного резистора со значением 4 Ом. После этого резистор R12 устанавливается таким образом, чтобы на выходе усилителя сигнал был симметричным, т.е. форма и размер положительной и отрицательной полуволн были одинаковыми при максимальной громкости.

На следующем рисунке отражена максимальная мощность синусоидальной волны при напряжении питания около 2×32В и нагрузке 4 Ом.

http://pandatron.cz/?824&70w_nf_zesilovac_s_tranzistory_mosfet

fornk.ru

Китайская подделка на мосфеты IRF530N. Резисторы не соответствующие заявленным характеристикам.

В этой небольшой статье я решил совместить два повествования, о том как я получил полевые транзисторы с надписью а корпусе IRF530N и резисторы, по заявлению продавца 3Вт. Обе посылки в итоге мне достались бесплатно, после открытия диспута. В общем то материалы диспута я и опубликую.

Начну с резисторов, по заявлению продавца, они имеют номинал 3Вт и медные вывода. На практике при сравнении габаритов, оказалось, что резисторы больше всего похожи на двух ваттные, при срезе вывода, внутри обнаружился белый металл, который ко всему прочему был очень мягким. Выводные контакты резисторов очень легко гнутся.

Следующей посылкой были мосфеты IRF530N, по крайней мере так было написано на их корпусе. Транзисторы имели внешний вид б/у деталей, но это не принципиально, главное что бы они корректно работали.

Но нет, применение данных транзисторов планировалось в режиме ключей для управления светодиодами в ДХО, конструкцию я описываю в статье про ДХО для Шевроле Круз. Применение, стало не возможным, т.к. транзисторы имели внутренне сопротивление в открытом состоянии, которое достигало 1,7Ом.

Конечно можно было бырассчитать токоограничительное сопротивление для каждого светодиода индивидуально. Но я считаю, что это пустая трата времени и денег. Гораздо дешевле (в данном случае) стабилизировать выходкаждого транзистора по отдельности, подав напряжение порядка 12В.

На всякий случай, даю ссылку на документацию к транзистору.

В этом случае получаем индивидуально стабилизированное напряжение для каждого светодиода и в связи с повышением напряжения имеем снижения токов на транзисторе и его нагрев.

Почему я брал для 3Вт светодиодов столь мощные транзисторы? Просто я не рассчитывал, что ко мне приедут качественные детали и в итоге они получились дешевле, даже с применением стабилизаторов, чем маломощные решения. Потому что я оплатил только стабилизаторы, а стоимость транзисторов вернул после диспута с формулировкой подделка.

Так же выводы данных транзисторов были восстановлены, т.к. выполнены были не из меди, скорее всего из железа, судя по цвету и прочности. Скорее всего, из-за этого они имеют повышенное сопротивление в открытом состоянии. При измерении характеристик, когда контакты тестера были ближе к корпусу транзистора, сопротивление уменьшалось.







vmelnikov.ru

Усилитель на полевом транзисторе для компьютера

   Этот усилитель подходящим будет только в том случае, когда входной сигнал не требует усиления по напряжению (например, выход достаточной силы дают MP-3 плеер или компьютер). Также, любой шум, возникающий в блоке питания, будет идти прямо через усилитель. По этой причине, необходимо использовать только стабилизированный источник питания. Его диапазон напряжения 10-20 В и ток приблизительно 700 мА. Здесь используется N-канальный МОП — транзистор с обратным диодом для работы в ключевом и линейном режиме IRF610. В процессе изготовления усилителя было опробовано применение и других транзисторов: IRF510, IRF611 и IRF710, все тоже работали хорошо. Рекомендую не использовать IRF530 и IRF540 (обычно встречаются в источниках питания). Используемый LM317 — стабилизатор с регулируемым выходным напряжением позволяет очень точно настроить выходные параметры блока питания.

Схема принципиальная

   Так как этот усилитель будет находиться на рабочем столе в производственном офисе, он должен обязательно вписываться в рабочую обстановку. Повезло, что имелся вышедший из строя внешний CD-ROM, его дизайн подходил идеально. К тому же в его корпусе уже имелся выключатель, адаптер питания, розетка RCA и входы на задней панели, а также разъем для наушников на передней панели.

Корпус усилителя

   На фотографиях ниже показан уже второй по счёту усилитель, он собран на печатной плате очень высокого качества.

   Для его корпуса использую блок питания от старого ноутбука. Напряжение регулируется от 16 до 20 вольт при помощи стабилизатора LM317. Это позволяет избежать образования в блоке питания различных звуковых помех.

   Обычный  RCA разъем используется для входа и выхода звука.

   Для простого  усилителя дизайн и звук довольно хорошие, большего для моих глаз и ушей не нужно. Не задумываясь, отдам ему предпочтение в  сравнении с имеющимся универсальным заводским предварительным усилителем NAD-C162.

Понравилась схема — лайкни!

ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ УНЧ

Смотреть ещё схемы усилителей

       УСИЛИТЕЛИ НА ЛАМПАХ          УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ  

   

УСИЛИТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ          СТАТЬИ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ   

    

amplif.ru

Усилитель мощности на ключевых mosfet.( IRF510) — РА на транзисторах — Усилители — Статьи

Устройство разрабатывалось для применения в качестве автомобильного усилителя для СВ радиостанции, но, как потом оказалось, вполне неплохо работает и на других частотах КВ диапазона…

Короче,схема собственно усилителя никаких особых пояснений не требует.Обычная двухтактная схема с согласующими трансформаторами на входе и выходе.

Детали : Транзисторы — IRF-510. Можно применить также мосфеты IRF-520,530, но с этими транзисторами падает усиление, особенно в области частот выше 20Мгц. Трансформаторы изготовлены по общеизвестной методике на двух столбиках ферритовых колец. Входной трансформатор выполнен на кольцах диаметром 12мм и содержит два столба по 5 колец. Вторичная обмотка представляет собой один виток оплётки от кабеля,внутри которой проложены 4 витка первичной обмотки,выполненные проводом МГТФ.

Выходной трансформатор выполнен на 10 (2 столба по 5 ) кольцах диаметром 22 мм. Конструкция аналогичная. Вторичная обмотка — 4 витка МГТФ. Проницаемость всех колец — 1000. Лучшие результаты можно получить,если выполнить виток трансформатора на основе медных трубок,хотя для «конструкции выходного дня» можно обойтись и так.

Ещё о деталях — резистор R3 — МЛТ-1,остальные МЛТ-0.25. Блокировочные конденсаторы — SMD. Электролит — любой. Реле — РПВ2/7. Дроссели L1 и L2 — бескаркасные катушки, намотаны проводом ПЭВ1 диаметром 1.4мм и содержат по 8 витков. Намотка на оправке диаметром 6мм виток к витку. Хотя,в общем-то,параметры этих дросселей некритичны.Диод Д1 — защитный,любой на ток 20А. У меня стоит КД2999А. В настройке усилитель не нуждается — достаточно выставить ток покоя. Желательно это делать по минимуму внеполосных излучений,прослушивая приёмником частоты вблизи частоты передатчика при подаче на вход SSB сигнала (двухтональный генератор). Обычно оптимальный ток получается в пределах 0.8-1А.

При испытаниях двухтоновым сигналом усилитель показал следующие данные: При питании стабилизированным напряженим 18 вольт — Pвых — 130 ватт на 3.5Мгц и 80 ватт на 28Мгц. При 13.8в питания — Рвых — 95 ватт на 3.5Мгц и 70 на 28. В качестве драйвера использовался трансивер Icom IC-703 с выходной мощностью около 10 ватт.

Вы можете оставить свой коментарий на нашем форуме

ra9yub.ucoz.ru