Компоненты и микросхемы – Компонент — интегральная микросхема — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Компоненты интегральных микросхем — компания Электрорадиолом Приокский

Интегральные микросхемы являются основными компонентами любого вычислительного устройства. Основными составляющими таких микросхем являются электрические схемы, в которых все компоненты находятся на одном полупроводнике или чипе, который как правило, сделанный из кремния.

Интегральные микросхемы позволяют компьютерам образовывать инструкции и выполнять математические операции. Хотя большинство интегральных микросхем крошечные по размеру, но они невероятно сложные и включают в себя четыре основных компонента.

Сегодня многие радиодетали пользуются большим спросом и часто можно увидеть объявления с фразой «куплю радиодетали» или «куплю микросхемы». Итак, давайте более подробно рассмотрим основные компоненты интегральных микросхем.

Полупроводники

Как мы уже указали выше, основным материалом, из которого делают интегральные микросхемы, является кремний, который имеет определенную проводимость (например, способность проводить электричество), где-то между изолятором и металлом.

С повышением температуры, такая проводимость возрастает, поэтому компьютерные компоненты зачастую имеют радиаторы, чтобы избавится от избыточного тепла. Так если кремний становится слишком проводимый, то компоненты компьютера могут слишком перегружаться.

Полупроводниковые материалы позволяют электрическому току проходить через сформированную микросхему во все компоненты электронного устройства.

Резисторы

Покупка резисторов, также, сегодня пользуется достаточно большим спросом. Так резистор является небольшим электронным компонентом, который выполняет функцию сопротивления электронному току.

Более крупные резисторы выглядят в виде цилиндров, но в современных интегральных схемах они слишком малы, чтобы их можно было увидеть невооруженным глазом. В качестве компонентов цепи, резисторы способствуют уменьшению тока, протекающего в следующих компонентах микросхемы в количестве, которое необходимо для должного функционирования. Резисторы особо полезны, когда микросхема имеет возможность принимать ввод с аналогичного (не цифрового) источника, например, в случае с радиоантенной.

Диоды

Диоды являются электронными компонентами, которые позволяют току «путешествовать» только в одном направлении за один раз. Это позволяет им выступать в качестве переключателей и выражать инструкции в двоичной форме (например, да/нет или 1/0). Так вы можете встретить объявление «куплю переключатели», а не «куплю диоды».

Также, диод должен обеспечить, чтобы определенный участок цепи достиг определенного напряжения для активации. В тот момент, когда диод «открывает» проход для тока, ток проходит на следующий участок интегральной микросхемы. Компьютер интерпретирует «открытие» и «закрытие» участков цепи, двоичной системой программирования.

Транзисторы

Каждый компонент микросхемы можно купить, хоть он и имеет очень маленькие размеры. Так и в данном случае, вы всегда найдете массу объявлений с текстом «куплю транзисторы».

Транзисторы усиливают или переключают пути, на которых ток проходит в цепи. Это позволяет компьютерам обрабатывать различные наборы процессов. Так транзисторы могут выступать в качестве «ворот» для электрического тока.

m-radiodetali.ru

Элементы и компоненты гибридных интегральных микросхем

Подложки ГИС

Подложки ГИС являются диэлектрическим и механическим основанием для пленочных и навесных элементов и служат теплоотводом. Материал подложки должен обладать следующими свойствами и характеристиками: 1) высоким сопротивлением изоляции и электрической прочностью; 2) большим коэффициентом теплопроводности для эффективной передачи теплоты от тепловыделяющих элементов (резисторов, диодов, транзисторов) к корпусу микросхемы; 3) достаточной механической прочностью; 4) устойчивостью к воздействию химических реактивов в процессе подготовки поверхности подложки перед нанесением пленок; 5) стойкостью к воздействию нагрева в процессе нанесения тонких пленок и термообработки толстых пленок; 6) способностью к механической обработке (резке и т.д.).

Структура материала подложки и состояние ее поверхности влияют на параметры пленочных элементов. Большая шероховатость поверхности подложки снижает надежность тонкопленочных резисторов и конденсаторов, т.к. микронеровности уменьшают толщину резисторных и диэлектрических пленок. При толщине пленок около 100 нм допускается высота микронеровностей примерно 25 нм. Толстые пленки имеют толщину 10 – 50 мкм, поэтому подложки для толстопленочных ИМС могут иметь микронеровности до 1 – 2 мкм.

Элементы ГИС

ГИС состоит из изолирующего основания (подложки), на поверхности которого размещены пленочные элементы (резисторы, конденсаторы, спирали индуктивности, проводники и контактные площадки), а также навесные бескорпусные миниатюрные активные (транзисторы, диоды, полупроводниковые ИМС и БИС) и пассивные (конденсаторы, катушки индуктивности и т.д.) компоненты. Для защиты ГИС помещают в корпус.

Пленочные резисторы.Пленочный резистор располагают на поверхности диэлектрической подложки, конструктивно он состоит из резистивной пленки определенной конфигурации и контактных площадок. Размеры контактной области должны выбираться такими, чтобы при наихудших сочетаниях геометрических размеров резистивного слоя и контактных площадок резистивная и проводящая пленки перекрывались, обеспечивая малое переходное сопротивление контакта в низкоомных резисторах. В качестве резистивных материалов тонкопленочных резисторов используют чистые металлы и сплавы с высоким электрическим сопротивлением, а также специальные материалы – керметы, которые состоят из частиц металла и диэлектрика (например, Cr и SiO). Широко распространены пленки хрома и тантала. На основе керметов, в состав которых входят хром и монооксид кремния, получают высоомные резисторы. Для изготовления толстопленочных резисторов применяют пасты, состоящие из порошка стекла, наполнителя и органической связки. Наиболее широко используют свинцовые и цинковые боросиликатные стекла. В качестве наполнителя резистивных паст применяют серебро, палладий и их сплавы.

Подгоняемые резисторы.Применяютплавную и ступенчатуюподгонку сопротивления резисторов. Плавная подгонка обеспечивает точность до сотых долей процента, ступенчатая – до единиц процентов.

Плавную подгонкусопротивления тонкопленочных резисторов осуществляют, изменяя или удельное поверхностное сопротивление, или форму резистивной пленки. Удельное поверхностное сопротивление изменяют путем термического, химического или механического воздействия на материал пленки. Форму резистивной пленки корректируют путем удаления части резистивного материала.

Ступенчатая подгонка сопротивленияосуществляется удалением металлических перемычек в подгоночных секциях.

Наиболее распространен способ плавной подгонки, связанный с изменением геометрии резистора лазерным лучом. В процессе подгонки часть пленки удаляется и сопротивление увеличивается. При лазерной подгонке сначала производят грубую подгонку выжиганием пленки поперек, затем точную – вдоль резистора; выжигание резистивной пленки под углом позволяет совместить грубую и точную подгонку.

Пленочные конденсаторы. Такие конденсаторы относятся к числу наиболее распространенных элементов ГИС. Конструктивно эти конденсаторы представляют собой трехслойную структуру металл – диэлектрик – металл (МДМ) и состоят из нижней и верхней обкладок, разделенных слоем диэлектрического материала.

К конструкции конденсаторов предъявляются следующие конструктивно-технологические требования: минимальные габариты; воспроизводимость характеристик в процессе производства; совместимость технических процессов изготовления конденсаторов с технологическими процессами изготовления других элементов ГИС.

Характеристики конденсаторов определяются свойствами применяемых материалов. К диэлектрику конденсаторов предъявляются следующие требования: высокие – диэлектрическая проницаемость, электрическая прочность и сопротивление изоляции; малые – температурный коэффициент диэлектрической проницаемости и диэлектрические потери, хорошая адгезия, совместимость с технологическими процессами изготовления других элементов микросхем.

Диэлектрик конденсатора формируется методами термического напыления, ионно-плазменного и реактивного распыления.

Для изготовления диэлектрических тонких пленок применяют монооксиды кремния SiO и германия GeO, оксиды алюминия Al2O3, тантала Ta2O5, титана TiO2 и редкоземельных металлов. Высокие удельные емкости имеют титанаты бария и кальция. При изготовлении диэлектрических слоев толстопленочных конденсаторов используют пасты, которые содержат титанат бария или диоксид титана, имеющие высокую диэлектрическую проницаемость.

Материал обкладок конденсатора должен удовлетворять следующим требованиям: иметь низкое электрическое сопротивление обкладок, хорошую адгезию, обладать низкой миграционной подвижностью атомов, высокой коррозионной стойкостью.

Подгоняемые конденсаторы

. Иногда возникает необходимость конструирования пленочных конденсаторов с повышенной точностью воспроизведения емкости, превосходящей технологические возможности способа их изготовления, а также конденсаторы, емкость которых может изменяться в определенных пределах. Подгонка может осуществляться как в сторону уменьшения, так и в сторону увеличения емкости. Конструкция подгоняемого конденсатора имеет подгоночные секции. Подгоночные секции можно произвольно размещать по сторонам верхней обкладки. При подгонке возможно увеличение емкости конденсатора с помощью проволочных перемычек. Добавочная емкость определяется площадью обкладки дополнительно подключаемой секции.

Пленочные индуктивные элементы. Такие элементы широко распространены в аналоговых ИМС. Индуктивные элементы входят в состав колебательных контуров автогенераторов, полосовых фильтров, цепей коррекции частотных характеристик и т.д. Толщина пленочной спирали зависит от рабочей частоты и определяется глубиной проникновения электромагнитной волны в материал пленочного проводника. Для изготовления пленочных спиралей применяют материалы с высокой электропроводностью.

Элементы коммутации.Такие элементы (проводники и контактные площадки) служат для электрического соединения компонентов и элементов ГИС между собой, а также для присоединения к выводам корпуса.

Электрофизические свойства коммутационных проводников и контактных площадок определяются свойствами применяемых материалов, к которым предъявляются следующие требования: высокая электропроводность; хорошая адгезия к подложке; высокая коррозионная стойкость; обеспечение низкого и воспроизводимого переходного сопротивления контактов; возможность пайки или сварки выводов навесных компонентов; совместимость технологии нанесения пленочных коммутационных проводников и контактных площадок с технологией изготовления других элементов микросхем. Самым распространенным материалом тонкопленочных проводников и контактных площадок в ГИС повышенной надежности является золото с подслоем хрома, нихрома или титана. Подслой обеспечивает высокую адгезию, а золото – нужную электропроводность, высокую коррозионную стойкость, возможность пайки и сварки.

Пленочные переходные контакты. Контактный узел двух пленочных элементов ГИС обладает определенным сопротивлением, зависящим от геометрии и размеров контакта, электропроводности контактирующих материалов, удельного переходного сопротивления контакта.

Под удельным переходным сопротивлением понимают сопротивление единицы площади контактного перехода току, протекающему по нормали к слоям контакта. Это сопротивление обусловлено рассеянием носителей тока на неоднородностях в месте соприкосновения двух металлических материалов; скачкообразным изменением атомной и электронной структуры, а также наличием инородных включений в месте контакта. Следовательно, значение удельного переходного сопротивления существенно зависит от природы контактирующих материалов, а также условий и способа их формирования.

Компоненты ГИС

Компоненты ГИС могут иметь жесткие и гибкие выводы. Недостатком компонентов с гибкими выводами является трудность автоматизации процессов их монтажа и сборки. Применение компонентов с шариковыми выводами затрудняет контроль процесса сборки. Приборы с балочными выводами дороги, но позволяют автоматизировать сборку, контролировать ее качество, увеличить плотность монтажа.

studfiles.net

Компонент — интегральная микросхема — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Компонент — интегральная микросхема

Cтраница 1

Компонент интегральной микросхемы — часть ИМС, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента и с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации выделяемая как самостоятельное изделие.  [1]

Компонент интегральной микросхемы — часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Компонент является частью гибридной микросхемы.  [2]

Компонент интегральной микросхемы часть микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.  [3]

Компонент интегральной микросхемы — часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Компонент является частью гибридной микросхемы.  [4]

Компоненты интегральной микросхемы отличаются от ее элементов тем, что перед сборкой они были самостоятельными изделиями, отдельно изготовленными и испытанными. Компонентами являются бескорпусные ИМС, диоды и транзисторы, а также конденсаторы и резисторы.  [6]

Компонент интегральной микросхемы — часть МС, выполняющая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, представляющая собой в начальной стадии производства МС самостоятельное изделие и устанавливаемое в МС в процессе дальнейшего ее изготовления Одним из наиболее ргспро-страненных компонентов являются бескорпусные транзисторы, применяемь е в гибридных МС.  [7]

Компонент интегральной микросхемы — часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемеята, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации.  [8]

Компонент интегральной микросхемы — часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации.  [9]

Компонент интегральной микросхемы — часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.  [10]

Компонент интегральной микросхемы — часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Компонент является частью гибридной микросхемы.  [11]

Компонентом интегральной микросхемы называют такую ее часть, которая реализует функцию какого-либо электроэлемента. С точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации компонент интегральной микросхемы выделяется как самостоятельное изделие.  [13]

В качестве компонентов интегральных микросхем можно также назвать навесные ( в отличие от встроенных) электроэлементы, например бескорпусные транзисторы, диоды, миниатюрные резисторы и конденсаторы.  [15]

Страницы:      1    2

www.ngpedia.ru

Справочник «Цифровые Интегральные Микросхемы»

Справочник «Цифровые Интегральные Микросхемы» [ Содержание ]

2.4.2 Микросхемы типа ЛА, ЛИ

Чтобы рассмотреть схемотехнику, составим таблицу функций элементов И, И-НЕ для двух входов А и В (простейший вариант). Каждая переменная А и В моделируется электронным ключом, который можно замкнуть или разомкнуть. Если ключи соединены последовательно, то они работают согласно логике И: ток в цепи появится, если замкнуть оба ключа: и А и В. Если активными входными сигналами считать замыкание ключей А и В и назвать это событие логической 1, то, последовательно перебирая состояние этих ключей, составим таблицу входных и выходных данных для элементов И и И-НЕ.

Таблица состояний
Логический
элемент
Входные
переменные
Выходная
функция
АBИНЕ-И
0001
0101
1001
1110

Рассмотрим способ реализации логической операции И-НЕ на элементах ТТЛ. На рис. 2.8, а приведена принципиальная схема двухвходового логического элемента И-НЕ.


Рис. 2.8.а. Принципиальная схема логического элемента.

Подавая от ключей S1 и S2 на входы А и В напряжение высокого В и низкого Н уровней, составим таблицу выходных уровней элемента.

Таблица состояний логического элемета
ВходВыход
Q(НЕ-И)
ВходВыход
Q(НЕ-И)
АBAB
ННВ001
НВВ011
ВНВ101
ВВН110

Напряжение низкого уровня Н появляется на выходе Q, когда на обоих входах А и В присутствует высокое напряжение В. Условное графическое обозначение двухвходового логического элемента показано на рис 2.8, в


Рис 2.8.в. Условное обозначение элемента.

Среди простейших ИС ТТЛ преобладают элементы И, И-НЕ. Каждый из корпусов ИС типа ЛА и ЛИ содержит от двух до четырех логических элементов, а микросхемы ЛА2 и ЛА19 содержат по одному логическому элементу И-НЕ на восемь и двенадцать входов соответственно.

Цоколевки микросхем типа ЛА и ЛИ и их условные графические обозначения приведены на рис. 2.9, а основные параметры даны в табл. 2.3.


Рис 2.9. Условные обозначения и цоколевки микросхем ЛИ
Рис 2.9. Условные обозначения и цоколевки микросхем ЛА

Следует особо выделить группу микросхем, логические элементы которых имеют выходы с открытым коллектором (ЛА7…ЛА11, ЛА13. ЛА18), (ЛИ2, ЛИ4, ЛИ5). Схема двухвходового логического элемента И-НЕ с открытым коллектором показана на рис. 2.10, а.


Рис. 2.10а. Принципиальная схема логического элемента И-НЕ

Для формирования выходного перепада напряжения к выходу такого элемента необходимо подключить внешний нагрузочный резистор Rн. Такие микросхемы применяются для обслуживания сегментов индикаторов, зажигания ламп накаливания, светодиодов (рис. 2.10,б).


Рис. 2.10б. Схема подключения ламп накаливания и светодиодов

При необходимости в схемах можно использовать элемент ТТЛ с двухтактным выходом. Для некоторых микросхем с открытым коллекторным выходом (ЛА11) нагрузку можно подключать к более высоковольтному источнику питания (рис. 2.10,в).


Рис. 2.10в. Схема подключения нагрузки к высоковольтному источнику

Такое включение необходимо для зажигания газоразрядных и электролюминесцентных индикаторов. Выходы с открытого коллектора используют для подключения обмоток реле.

Выходы нескольких элементов с открытым коллектором можно присоединять к общей нагрузке Rн (рис. 2.10, г).


Рис. 2.10г. Схема подключения нескольких элементов к общей нагрузке

Такое подключение позволяет реализовать логическую функцию И, называемую «монтажное И». Схему (рис. 2.10. г) используют для расширения числа входов логического элемента.

Следует помнить, что двухтактные выходы ТТЛ нельзя соединять параллельно, это приводит к токовой перегрузке одного из элементов.

Многовходовые составные логические элементы с открытым коллектором и общим сопротивлением нагрузки Rн реализуются наиболее просто, однако они не позволяют получить предельное быстродействие. Более лучший способ увеличения числа входов осуществляется с помощью специальной микросхемы-расширителя, имеющей дополнительные выводы коллектора и эмиттера фазоразделительного каскада VT2 (рис. 2.11). Одноименные вспомогательные выводы нескольких таких элементов можно объединять.


Рис. 2.11а. Принципиальная схема 2И-НЕ с дополнительными выводами коллектора и эмиттера.

Рис. 2.11б. Условное обозначение расширителя и способ соединения нескольких микросхем.

Микросхема К531ЛА16 (магистральный усилитель) может передавать данные в линию с сопротивлением 50 Ом.

Микросхемы ЛА17, ЛА19 — это логические элементы И-НЕ с тремя состояниями на выходе, т. е. они имеют дополнительный вход /ЕО (Enable output), дающий разрешение по выходу. На рис. 2.12 показана схема элемента, который имеет третье выходное состояние Z, когда выход размыкается.


Рис. 2.12. Принципиальная схема логического элемента с тремя состояниями на выходе.

Для этой цели в схему стандартного сложного инвертора ТТЛ вводится дополнительный инвертор DDI и диод VD2. Если на этот вход /ЕО подать от переключателя S1 напряжение высокого уровня — 1, то выходное напряжение инвертора DD1 станет низким, т. е. катод диода VD2 будет практически соединен с корпусом. Из-за этого коллектор транзистора VT2 будет иметь нулевой потенциал, т. е. транзистор VT2 будет закрыт. Транзисторы VT3 и VT4 будут находиться в режиме отсечки, т. е. оба закрыты. Следовательно, выходной вывод как бы «висит» в воздухе, микросхема переходит в состояние Z с очень большим выходным сопротивлением. Если на вход ЕО подается разрешающий низкий уровень — О, то логический элемент И-НЕ работает как в обычном режиме.

Таблица состояний логического элемента.
ВходВыход
/EOI/Y
00
1
1
0
10
1
Z

Такие логические элементы разработаны специально для обслуживания проводника шины данных. Если к такому проводнику присоединить много выходов, находящихся в состоянии Z, то они не будут влиять друг на друга. Активным передающим сигналом должен быть лишь один логический элемент, только от его выхода в проводник шины данных будет поступать информация. Следовательно, соединенные вместе выходы не должны быть одновременно активными.

Чтобы сигналом разрешения (низкий уревень — О) , подаваемым на вход /EO, подключался к проводнику выход только одного логического элемента, необходимо предусмотреть дополнительный (защитный) временной интервал, т. е. переключать входы /ЕО различных элементов с паузой. Сигналы разрешения, даваемые выходам разных элементов, не должны перекрываться.

Микросхема К531ЛА19-это 12-входовый логический элемент И-НЕ с дополнительным инверсным входом /ЕО. Сигнал появится на его выходе, если на вход /ЕО подано напряжение низкого уровня — О. Выход логического элемента перейдет в разомкнутое состояние Z, если на вход /ЕО подается напряжение высокого уровня. В состоянии Z элемент потребляет ток Iпот.z=25 мА. Время задержки перехода выхода к разомкнутому состоянию tзд.1z= 16 нс, время задержки перехода выхода tзд.0z= 12 нс (от напряжения низкого выходного уровня), при условии, что Сн = 15 пФ [1].


www.asvcorp.ru

Компоненты и Микросхемы, торговая компания на карте Москвы ул. Хромова, 36

оставить отзыв Москва,
улица Хромова, 36

8 (499) 161-66-13

[email protected]


Как доехать на общественном транспорте:

Ближайшие станции метро:

http://www.kimkit.ru

Последний отзыв:

Об этой компании еще нет ни одного отзыва

  • Контрольно измерительные приборы;
  • Электронные приборы и компоненты
  • Электронные компонентыРадиодетали

Данные об организации «Компоненты и Микросхемы, торговая компания» размещены в справочнике Москвы в рубриках «Контрольно измерительные приборы», «Электронные приборы и компоненты». «Компоненты и Микросхемы, торговая компания» зарегистрирована по адресу Москва, улица Хромова, 36. Связаться с администрацией можно по телефону 8 (499) 161-66-13. Сайт http://www.kimkit.ru

Фирма осуществляет поставку и последующую продажу электронных компонентов. Вашему вниманию предлагаются: • Активные и пассивные компоненты • Строчные трансформаторы • Лазерные и видео головки • Компоненты микроволновых печей • Комплектующие к мобильным телефонам • Электролитические конденсаторы • Постоянные резисторы • Материалы и химия для электроники • Электронные наборы и модули «Мастер Кит» • Техническая литература • И прочее Многие товары уже находятся на нашем складе. Впрочем, это только часть того огромного перечня, какой сможет поставлять наша фирма. Главное направление нашей деятельности – обеспечение работы сервисных мастерских по обслуживанию теле-, видео- и аудиотехники. Мы очень внимательно относимся к нашим партнерам, стараемся создавать им макс. удобные способы взаимодействия и на этой базе строить взаимовыгодный и успешный бизнес. Предлагаем всю номенклатуру без ограничений минимального количества и минимальной суммы заказа. Наши плюсы: • мы трудимся со всеми регионами РФ • с юридическими и физ. лицами • принимаем наличную и безналичную формы оплаты • большой выбор • оперативная обработка заказов • разные способы доставки.

www.maxikarta.ru

Элементы — интегральная микросхема — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Элементы — интегральная микросхема

Cтраница 1


Элементы интегральной микросхемы, реализующие функцию какого-либо электрорадиоэлемента ( например, транзистора, диода, конденсатора), неотделимы от нее и поэтому их нельзя отдельно испытывать или эксплуатировать в других устройствах.  [2]

Какие элементы интегральных микросхем считают пассивными.  [3]

Подложка интегральной микросхемы — основание, на поверхности или в объеме которого формируются элементы интегральных микросхем.  [4]

Особенность интегральных микросхем состоит в существовании паразитных электрических связей между элементами, обусловленных наличием изолирующего слоя или р-л-перехода, разделяющих элементы интегральной микросхемы.  [5]

Основное достоинство микроэлектронной технологии — групповые интегральные методы технологии, основанные на локально-структурных преобразованиях полупроводникового материала: в одном технологическом цикле на кристалле изготовляются не только все ( или почти все) элементы интегральных микросхем ( диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы), электрические соединения элементов, но и множество ИМС одновременно.  [6]

В электронике, одной из наиболее молодых и быстро развивающихся отраслей промышленности, технический прогресс базируется на усложнении и объединении в одной микросхеме все большего числа функций, что характеризуется повышением уровня интеграции полупроводниковых и гибридных микросхем. Здесь невозможно деление на элементы интегральных микросхем, которые объединяются в одном кристалле ( изготовляемом в виде единого твердотельного компонента), поэтому поэтапное освоение для такого рода компонентов не может быть применено. На радиотехническом или приборостроительном предприятии возможен переход на новую продукцию за счет последовательной замены старых функциональных микросхем и блоков на новые, объединяющие, как уже отмечалось, все большее число функций в одном элементе. Эти компоненты поступают на комплектующий завод со стороны и в данном случае речь идет о поэтапном межотраслевом переходе, так как на предприятии электронной промышленности осваивают новые нераздельные интегральные микросхемы, а на радиотехническом или приборостроительном заводе осуществляют поэтапную модификацию продукции за счет замены в собираемых изделиях комплектующих компонентов ( микросхем), поставляемых извне. Этот метод перехода на новую продукцию соответствует современным тенденциям углубления специализации и разделения функций между отраслями.  [7]

Применение интегральных микросхем позволяет уменьшить габариты аппаратуры и ее массу в несколько раз. Это объясняется тем, что элементы интегральных микросхем весьма малы — их размеры составляют единицы и десятые доли микрона.  [8]

По сравнению со вторым изданием в учебник введены новые главы и расширены главы, в которых рассмотрены наиболее перспективные полупроводниковые приборы. В последнее время полупроводниковые приборы применяют не только как дискретные элементы, но и как элементы интегральных микросхем. Поэтому в учебнике рассмотрены конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Однако вопросы технологии изготовления полупроводниковых приборов и особенно интегральных микросхем изложены только в объеме, необходимом для понимания принципа действия, свойств и характеристик полупроводниковых приборов, так как подробно изучаются в других последующих курсах.  [9]

Поэтому различают биполярные и МДП интегральные микросхемы. Элементы биполярной интегральной микросхемы должны быть изолированы друг от друга для исключения паразитного взаимодействия. Методы изоляции рассмотрены в § 7.3. В связи с особенностями МДП-транзисторов элементы МДП интегральных микросхем не нуждаются в специальной изоляции друг от друга.  [11]

Поэтому различают биполярные и МДП интегральные микросхемы. Элементы биполярной интегральной микросхемы должны быть изолированы друг от друга для исключения паразитного взаимодействия. Методы изоляции рассмотрены в § 7.3. В связи с особенностями МДП-транзисторов элементы МДП интегральных микросхем не нуждаются в специальной изоляции друг от друга.  [13]

Рассмотрим классификацию, функциональнее назначение и конструктивные особенности ИМС. Наиболее распространенной является классификация мик-роэлектрснных изделий по конструктивно-технологическому признаку. Основанием, на поверхности или в объеме которого формируются элементы интегральной микросхемы, является подложка.  [14]

Страницы:      1    2

www.ngpedia.ru